双层介质基片上的非对称共面线

本文首先用两种不同的模型分析自由空间中非对称共面线,用共形变换技术得到了基本参数的严格解,然后用双曲正切变换分析有限厚度介质基片上非对称共面线,得到了双层介质基片情况下非对称共面线的有效介电常数和特性阻抗的闭合表达式。所得公式简洁准确,便于微波、毫米波和光学集成电路的计算机优化设计。     

有限厚度衬底非对称共面线的基本参数

本文首先利用保角变换法分析了自由空间中的非对称共面线,得到了其严格解,然后给出了任意多层有限厚度衬底非对称共面线的有效介电常数、单位长度线电容、特性阻抗和导波波长的闭合形式的解析表达式。这些分析对微波毫米波集成电路的设计有意义。     

几种复合传输线特性阻抗的计算

本文就高速光电器件微波封装提出了有希望的几种复合传输线（微带＋共面线，屏蔽微带＋共面线，微带＋不对称共面线），采用边界元法计算了它们的特性阻抗，给出了几组有工程价值的计算曲线，并讨论了实验结果。     

硅衬底上共面线的特性及应用

基于理论和实验结果对深亚微米硅集成电路中的共面传输线的特性进行了研究,提出了硅衬底上传输线分布参数的提取方法和减小共面线衰减的一些设计准则.成功地将共面线应用在深亚微米高速集成电路的设计中,并给出了放大器芯片和共面线的测试结果.测试结果表明:在深亚微米CMOS高速集成电路中,用共面线实现电感是一种行之有效的方法.     

硅衬底上共面线的特性及应用

基于理论和实验结果对深亚微米硅集成电路中的共面传输线的特性进行了研究,提出了硅衬底上传输线分布参数的提取方法和减小共面线衰减的一些设计准则.成功地将共面线应用在深亚微米高速集成电路的设计中,并给出了放大器芯片和共面线的测试结果.测试结果表明:在深亚微米CMOS高速集成电路中,用共面线实现电感是一种行之有效的方法.     

高速半导体激光器等效参数的提取

本文克服了背地共面线谐振现象的有害影响，制作了国产高速半导体激光器非匹配微波封装组件，测试了组件的频响特性，由此提取了器件的等效参数，讨论了改善国产器件性能的技术途径。     

阻容元件

0101855双层介质基片上的非对称共面线[刊]/阮成礼//通信学报.—2000,21(9).—86～90(K)Y2000-62474-789 0101856Gb 规模 DRAM 用的低温(Ba,Sr)TiO_3电容器过程集成(LTB)技术=Low temperature(Ba.Sr)TiO_3 capaci-tor process integration(LTB)technology for gigabitscaled DRAMs[会,英]/Hieda,K.& Eguchi,K.//1999 IEEE International Electron Devices Meeting.—789～792(PC)     

某些非对称耦合传输线的特性

本文推导了某些非对称耦合传输线特性的表达式。包括非对称共面带线,非对称耦合带线,非对称耦合微带线的电容、阻抗以及相速的表达式。     

GaAs微微秒光导开关的研究

采用离子注入高纯ＬＥＣＧａＡｓ材料，设计研制了共面线和微带线两种结构微微秒（ｐｓ）光导开关．其输出电脉冲响应时ＩＮＦＷＨＭ为８—１０ｐｓ，当光强为１ｍＷ时，电脉冲幅度为０．２Ｖ     

GaAs微微妙光导开关的研究

采用离子注入高纯ＬＥＣ ＧａＡｓ材料，设计研制了共面线和微带线两种结构微微秒（ｐｓ）光导开关。其输出电脉冲响应时间ＦＷＨＭ为８－１０ｐｓ，当光强为１ｍＷ时，电脉冲幅度为０．２Ｖ。     

基于AlGaN/GaN HEMT的功率放大器的研究进展

介绍了几类常见的基于AlGaN／GaN HEMT的微波功率放大器；论述了制造微波功率放大器的两种关键工艺技术——倒装芯片集成(FC-IC)和共平面线(CPW)；分析了自行研制的微波功率放大器核心器件AlGaN／GaN HEMT的性能。     

设计屏蔽带状线、开槽线及共面线的计算法

本文介绍了一种根据局部区域法所制订出来的计算法,它系用来计算屏蔽带状线、开槽线:共面线的色散特性及其场。并且,阐述了其验证的结果。此外,还对所求得的各种解的精度及收敛性予以评价。     

微波波段带通光调制器的优化设计

本文对具有极性反转电极结构的行波皮导电光调制器的调制特性进行了理论分析，对共平面波导电极和非对称微带电极用于极性反转电极结构下的有关特征参量进行了数值计算，对使用这两种电极制成的调制器，我们用带宽－长度积、电压－长度积和带宽－电压比这三个品质因子对其性质进行了比较，本文还给出了调制器的设计实例，对结果的分析讨论表明，非对称微带电极用于极性反转电极结构对在高频波段实现低动功率光调制是十分有效的。     

我国采取电信非对称管制可行措施探讨

 本文参考国际电信业非对称管制案例和经验，结合我国法律环境和电信市场竞争实际情况，分析了非对称管制对于电信市场竞争和发展的特殊作用，并提出了当前在我国可能采取非对称管制的可行措施。     

电磁场与微波技术

O4412005050675非对称共面带线保角变换解及Landen变换/田雨波,钱鉴(南京大学电子科学与工程系)//电波科学学报.―2004,19(6).―694～697.非对称共面带线(ACPS)和与其成互补结构的非对称共面波导(ACPW)的分布电容与特性阻抗是表征它们特性的两个重要参量.通过线性分式映射、镜象原理以及保角变换方法实现了从ACPS向对称共面带线(SCPS)的转换,简便求出了它的分布电容和特性阻抗严格解的明晰表达式,同时给出了不同模数下椭圆积分比的精确表达式及其正确反演式,并以之为基础很简洁地证明了Landen变换.图2表3参8O441,O5362005050676激…     

一种基于DCT-Ⅳ变换的非对称数字水印方案

提出了一种新的非对称数字水印方案．该方案通过DCT—Ⅳ变换矩阵构造一个非满秩的线性矩阵，并利用该矩阵和嵌入水印生成非对称的检测水印．在水印检测阶段，先从加水印的载体信号提取特征向量，然后对该特征向量进行DCT—Ⅳ变换，最后利用检测水印和变换后的特征向量进行相关检测．理论分析和实验结果表明该非对称水印方案能够提供可靠的非对称检测，并且在非对称检测失败的情况下，对称检测能够检测到水印．     

非对称共面带线保角变换解及Landen变换

非对称共面带线(ACPS)和与其成互补结构的非对称共面波导(ACPW)的分布电容与特性阻抗是表征它们特性的两个重要参量.通过线性分式映射、镜象原理以及保角变换方法实现了从ACPS向对称共面带线(SCPS)的转换,简便求出了它的分布电容和特性阻抗严格解的明晰表达式,同时给出了不同模数下椭圆积分比的精确表达式及其正确反演式,并以之为基础很简洁地证明了Landen变换.     

非对称单脊波导孤立缝导纳

本文建立了非对称单脊波导孤立缝谐振电导值的数学模型，给出了实例的理论计算结果和实验结果，两者比较有很好的一致性。本文还进一步用实验的方法研究了非对称单脊波导孤立缝导纳特性，这些数据对非对称单脊波导裂缝天线的设计有着重要的意义。     

非对称单脊波导弧立缝导纳

建立了非对称单脊波导孤立缝谐振电导值的数学模给出了实例的理论计算结果和实验结果，两者比较有很好的一致性，还进一步用实验的方法研究了非对称单脊波导弧立缝导纳特性，这些数据对非对称单脊波导裂缝天线的设计有关重要的意义。     

基于相机标定的非对称裁剪检测算法

该文提出一种针对图像非对称裁剪的取证方法,算法通过相机标定的方法来估计主点位置,并根据主点的位置对图像中存在的非对称裁剪进行指证。该文根据图像取证需求改进了相机标定模型,通过选取不共面的规则图形作为标定物,实现了在不用对标定物进行测量和建模的前提下通过单幅图像对主点坐标进行估计。实验表明,该文提出的算法对非对称裁剪篡改具有较好的检测效果。