真空微电子器件的进展与问题

本文简要地叙述了真空微电子学的主要进展，在介绍场发射阵列ＦＥＡ，场发射显示器ＦＥＤ，真空微电子微波毫米波器件等的发展过程中，重点叙述了有关器件对ＦＥＡ的特殊要求，可能的解决办法和存在的问题，并介绍了发展真空微电子微波管的主要内容和意义；最后提到了有效地发展我国真空微电子器件需重视的一个问题。     

微波毫米波真空微电子器件研究进展

本文简介近２－３年来，基于阵列场发射（ＦＥＡ）电子源的微波毫米波真空微电子器件的研究进展情况。     

双栅极场发射阵列的特性模拟与设计

具有聚焦能力的双栅极场发射阵列(DGFEA)是两类最有发展前途的真空微电子器件(高分辨率场发射显示器和真空微电子微波、毫米波器件)的关键技术。本文简要比较了两种结构的DGFEA的主要性能和优缺点,叙述了双层栅极结构DGFEA的设计与模拟方法.从模拟计算获得的发射特性和聚焦性能可以看到:这种结构的DGFEA能获得几乎平行的场发射电子束,其最大发射电流密度可达到约500A/cm2以上,是发展真空微电子微波、毫米波器件和其它强流电子注器件等较理想的电子源。     

场发射平板显示器件

本文概述真空微电子技术的发展及特点。综述了场发射平板显示器件（ＦＥＤ又称平板ＣＲＴ）的优点及其广泛用途。概述了场发射显示器好的结构和工作原理。综述ｓｐｉｎｄｔ型、硅尖锥型及薄膜边缘型三种场发射阴极的制作工艺、性能水平以及制作显示器件所后材料的特点及制作工艺。对目前国际上ＦＥＤ的典型参数加以比较并概述对ＦＥＤ未来市场的预测情况，此外，我们利用ｓｐｉｎｄｔ型阴极研制了平板显示器的原理性样管，在栅、阳极为４００ｖ，６００ｖ时在荧光屏上显示出足够亮的光点，还设计了像素数为１２８×１２８的平板显示器并用矩阵选址方式控制显示图形。现正在作材料和工艺论证并着手进行试制。     

砷化镓SJFET四端器件

本文提出一种由Ｍ－ＳＳｃｈｏｔｔｋｙ结和ｐｎ结组成的ＧａＡｓＳＪＰＥＴ四端器件，对该器件原理进行了分析与讨论，并在实验室研制出了ＧａＡｓＳＪＦＥＴ四端器件．实验结果表明，该器件可通过上、下两个栅分别调控，实现器件阈值电压连续可调．该器件极易获得稳定、重复的Ｅ－和Ｄ－ＭＥＳＦＥＴ，可望在ＧａＡｓ集成电路中得到应用．     

在扫描电镜中检测真空微电子器件的一种新设备

在扫描电镜中检测真空微电子器件的一种新设备胡问国（云南大学物理系）Ａ．Ｐ．Ｄｌｏｋｉｎｇ．Ｓ．Ｉ．Ｚａｉｚｈｅｖ，Ｅ．Ｉ．Ｒａｕ，Ｎ．Ｇ．ＵｓａｋｏＶ（俄罗斯科学院）关键词：新设备，分层体现图像，场发射尖锥，真空微电子器件。众所周知，用扫描电镜只能对...     

FPGA与CPLD器件的特点与应用

现场可编程门阵列（ＦＰＧＡ）和复杂可编程逻辑器件（ＣＰＬＤ）是近年来迅速发展的大规模可编程专用集成电路（ＡＳＩＣ）。文章介绍了这两种器件的基本结构、性能特点、设计流程与方法以及应用中的些注意事项。     

场发射阵列中的分布电阻层

文章提出一种具有网格状分布电阻层结构的场发射阵列（ＦＥＡ）。讨论了电阻层的横向电阻和纵向电阻对器件性能的影响。实验结果表明，通过引入电阻层，器件发射的不均匀性得到较大改善，异常发射得到有效的抑制。     

FPGA／PLD器件应用前景

在大规模ＦＰＧＡ／ＰＬＤ器件用在ＡＳＩＣ的原型实验中，有些问题需要解决，ＩＳＰ型ＦＰＧＡ／ＰＬＤ引人瞩目。ＦＰＧＡ／ＰＬＤ的成本优势增加ＦＰＧＡ／ＰＬＤ（现场可编程门阵列／可编程逻辑器件）的用途有两种：一是用于最终产品；一是用于ＡＳＩＣ（专用集成电路）化前道工序的开发试制品。小型ＰＬＤ（２０脚的１６Ｖ８型、２４脚的２２Ｖ１０型等）的价格已经理顺，用于解码器或序列发生器等的电路中，已经为批量生产的产品所采用。然而，中大规模ＦＰＧＡ／ＰＬＤ，还需要同门阵列进行一番成本比较之后，才有可能用于批量生产的…     

真空微电子器件发射体材料研究概况

改善真空微电子器件发射体材料的性能，有助于大大提高真空微电子器件的性能。本文概述了近年来真空微电子器件发射体材料研究状况，认为目前对金属薄膜材料，合金材料，金刚石薄膜，碳化物，硅化物等的场发射特性的研究工作，将产生一些性能优异的发射体材料。     

用硅的各向异性腐蚀工艺制备发射硅尖阵列

本文介绍了真空微电子器件场发射阴极硅尖阵列的制备工艺技术。采用硅的各向异性腐蚀工艺和氧化削尖技术制成了形状和发射性能均较好的硅尖阵列，测试结果表明，起始发射电压为５～６Ｖ，发射电流在阳极电压为２０Ｖ时为０．５ｍＡ，反向击穿电压为７５Ｖ。     

高密度可编程逻辑器件ATV2500H／L简介

近年来，随着集成电路技术的飞速发展，出现了一种用户可定义其逻辑功能的器件－可编逻辑器件，简称ＰＬＤ器件。其发展经历了ＰＲＯＭ、ＦＰＡＬ、ＰＡＬ、ＧＡＬ，直至现在广泛应用的大规模ＰＬＤ器件ＥＰＬＤ、ＣＰＬＤ及目前最流行的可编程逻辑门阵列ＦＰＧＡ。本文详细介绍了美国受特梅尔公司的ＥＰＬＤ－ＡＴＶ２５００Ｈ／Ｌ的内部结构和功能特点。读者只要再学会ＴＡＮＧＯ－ＰＬＤ、ＡＢＥＬ、ＣＵＰＬ等语言中的一种，便能     

场发射显示器发展动态

概述场发射显示器件的原理，结构和制作工艺及发展水平。展望ＦＥＤ的前景并介绍了国际上围绕ＦＥＤ展开的激烈竞争。     

新颖的微波器件材料—InGaAs／GaAs异质结构

新颖的微波器件材料──ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构彭正夫，张允，龚朝阳，高翔，孙娟，吴鹏（南京电子器件研究所２１００１６）一、引言众所周知，ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件的微波特性主要由沟道中的电子饱和速度和栅长决定．由于ＩｎＧａＡｓ的电子饱和速度比Ｇａ...     

PECVDSiN及其在GaAsMESFET中的应用第Ⅱ部分：PECVDSiN的性质及其对GaAs器件性能的影响

ＰＥＣＶＤＳｉＮ及其在ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ中的应用第Ⅱ部分：ＰＥＣＶＤＳｉＮ的性质及其对ＧａＡｓ器件性能的影响罗海云（电子部第１３研究所，石家庄，０５００５１）ＰＥＣＶＤＳｉＮａｎｄＩｔｓＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｉｎＧａＡｓＭＥＳＦＥＴＰａｒｔⅡ：Ｐｒ...     

FEA实验数据进行参数提取的线性回归技术

本文讨论了对场发射阵列（ＦＥＡ）的实验数据利用线性回归的技术得到表征ＦＥＡ器件特性的几个关键多数的方法。并将这种方法应用于我们自己的ＦＥＡ器件样品。根据实验数据得到了器件的关键参数并证实了ＦＥＡ对特性满足ＦｏｗｌｅｒＮｏｅｄｈｅｉｍ方程。文章还对非线性因素对参数估计所带来的偏差问题进行了讨论。     

EPLDXC7300系列简介

ＥＰＬＤＸＣ７３００系列简介福州高奇电子科技有限公司李东星，陈小牧福州大学无线电系林真以前市面上流行的通用逻辑器件及小规模ＰＡＬＧ上Ｌ器件在很多产品的设计中将让位于大规模可编程器件，如ＢＰＬＤ刀ＰＧＡ，美国ＸＩＬＩＮＸ公司是专业设计和生产ＥＰＬＤ，Ｆ...     

场发射金属尖陈列的研究

本文介绍了真空微电子器件场发射金属尖陈列阴极的制备工艺技术。采用硅的各向异性腐蚀工艺（反向）和浓硼腐蚀自停止工艺制备成功金属尖陈列，这为今后研制金属阴极真空微电子器件开拓了新途径。     

基于EDA技术的CPLD／FPGA应用前景

结合电子设计自动化（ＥＤＡ）教学与实践情况,讨论了复杂可编程逻辑器件／现场可编程门阵列（ＣＰＬＤ／ＦＰＧＡ）器件的特点及应用前景,分析了目前电子设计领域中微控制器或单片机（ＭＣＵ）存在的问题,指出了基于ＥＤＡ的ＣＰＬＤ／ＦＰＧＡ的应用和技术推广将是我国未来电子设计技术发展的主流。     

掺饵光纤放大器及其在波分复用系统中的应用

介绍了掺饵光纤放大器（ＥＤＦＡ）的原理、组成结构和所用元器件，阐述了ＥＤＦＡ的增益、噪声和增益谱特性，并对ＥＤＦＡ应用于波分复用（ＷＤＭ）系统中带来的增益谱平坦问题进行了讨论。