LRI2K／LRIS2K：存储器

意法半导体推出两款新的2048位远距离RFID资产跟踪专用存储器LRI2K和LRIS2K。     

由专用集成电路TX2/RX2组成的遥控系统

<正> 本文介绍的遥控器具有5个通道,能多路同时工作,适合于车、船模型的遥控。遥控器的核心是两块大规模CMOS专用编、译码集成电路。该集成电路的工作电压低(2.5～5V),外围元件少,制作容易,调试简单,很适合业余爱好者制作。下面以车模为例,介绍其电路原理。 发射机 图1是发射机电路图,其中TX2及其周围电路组成编码器。TX2的引脚排列及内部框图如图2所示。K1、K2为两组接地的双刀多掷指令开关。R1、D1、C1、C2组成稳压电路,输出3V电压供IC1使用。R7为IC1的外接振荡电阻,配合内部电路产生时钟脉冲。K1、K2的不同接通方式,使TX2的⑧脚串行输出不同的编码脉冲。这些表征不同遥控指令的编码脉冲作为调制信号,送到调制器     

K_2O-B_2O_3-SiO_2/Al_2O_3 LTCC复合基板材料性能研究

采用K2O-B2O3-SiO2玻璃与Al2O3复合烧结,制备了K2O-B2O3-SiO2/Al2O3低温共烧陶瓷(LTCC)复合基板材料,研究了不同组分含量对体系微观结构和性能的影响。结果表明,复合基板材料的相对介电常数εr和介质损耗均随着Al2O3含量的增加而增加,当Al2O3质量分数为45%时,复合基板材料的介质损耗为0.0085,εr为4.55(1MHz)。抗弯强度可达到160MPa。     

新型大容量闪存芯片-K9K2GXXUOM

K9K2GXXUOM是三星公司生产的大容量闪存芯片，它的单片容量可高达256M。文中主要介绍了K9K2GXXUOM的特性、管脚功能和操作指令，重点说明了K9K2GXXUOM闪存的各种工作状态，并给出了它们的工作时序。     

新型大容量闪存芯片-K9K2GXXU0M

K9K2GXXU0M是三星公司生产的大容量闪存芯片 ,它的单片容量可高达256M。文中主要介绍了K9K2GXXU0M的特性、管脚功能和操作指令 ,重点说明了K9K2GXXU0M闪存的各种工作状态 ,并给出了它们的工作时序     

K_2Te日盲紫外阴极研究(英文)

叙述了K2Te日盲紫外阴极的制作工艺并制作了K2Te日盲紫外阴极,测量了K2Te日盲紫外阴极的光谱响应、光谱反射率、光谱吸收率和250 nm波长激发条件下的荧光谱。与Cs2Te日盲紫外阴极相比较,K2Te日盲紫外阴极的光谱响应较低,而且光谱响应的峰值波长更短,长波截止波长也更短。K2Te日盲紫外阴极光谱响应的峰值波长位于215 nm,长波截止波长位于305 nm,而Cs2Te日盲紫外阴极光谱响应的峰值波长位于250 nm,长波截止波长位于323 nm。另外K2Te日盲紫外阴极的日盲特性更好,633 nm波长的光谱响应为10-6m A/W的数量级,较Cs2Te日盲紫外阴极低一个数量级。光谱反射率的测量结果表明,K2Te日盲紫外阴极的光谱反射率曲线形状与Cs2Te日盲紫外阴极的光谱反射率曲线形状相似,区别是整个光谱反射率曲线向短波方向移动,且波长越长,移动越大。另外K2Te日盲紫外阴极的光谱反射率在200~450 nm的波长范围内均高于Cs2Te日盲紫外阴极的光谱反射率,由此可推断出K2Te紫外阴极的折射率高于Cs2Te紫外阴极的折射率,并且波长越长,折射率差别越大。光谱吸收率的测量结果表明,K2Te日盲紫外阴极的吸收率低于Cs2Te紫外阴极的吸收率。光谱吸收率越高,光谱响应也越高,与光谱响应的测量结果相吻合。荧光谱的测试结果表明,在250 nm波长激发条件下,在200~450 nm的波长范围内,K2Te紫外阴极的荧光弱于Cs2Te紫外阴极的荧光,原因是K2Te阴极的吸收率低于Cs2Te紫外阴极的吸收率。光谱吸收率越高,荧光越强,这同样与光谱响应的测试结果相吻合。所以K2Te日盲紫外阴极与Cs2Te日盲紫外阴极相比,尽管光谱响应较低,但日盲特性更好,因此也可用作为日盲紫外探测器的紫外阴极。     

DIY者的宠物AMDK6—2

进入1999斗9月,当DIY爱好者的目光聚焦在Athlon（K7）和Pen-tiumⅢ上时,AMD又悄无声息地推出了K6－2500和K6－2400AFH／450AFX／475AFX此款算是K6－2系列中最高代表性的产品。这样一来整个DIY市场也随之发生了微妙变化,AMD的K6－2系列CPU又一次以出色的性能价格比而倍受DIY朋友的注目,回首往事AMD公司成立于1969年,作为世界级著名的CPU及半导体、集成电路栩可编程逻辑控制器的生产厂商,它的业分范围遍及全球。而在个人微处理器研制计发方面,它的“K（取自Kryptonite：氪炸药之字头）系列CPU始终是Intel最为头疼的…     

“爱必希”XRCD K2 Hi-Fi监听王

XRCD K2即是日本JVC公司的“超解析K2”技术（the extended resolution compact disc 2)制作CD片的简称。爱必希公司已推出了多款XRCD K2的专辑。如果你还没有享受过这样的录音，或是手头只有较少的收藏，这张“监听王”可为你弥补不足。整张CD中12段录音，正是从12张XRCD K2中遴选出来的。这些录音包含了器乐、声乐的内容，涵盖了中乐、西乐，古典、现代，男声、     

制备工艺对Ca_3Co_4O_9/Bi_2Ca_2Co_2O_y复合热电材料组织和性能的影响

采用助熔剂法和固相反应法分别合成了Ca_3Co_4O_9和Bi_2Ca_2Co_2O_y粉体。配比后分别通过冷压、冷等静压、热压三种制备工艺制得组织取向和致密度不同Ca_3Co_4O_9/Bi_2Ca_2Co_2O_y块体复合材料,测量表征了其热电性能和物相形貌。结果表明,冷等静压工艺减弱了材料中颗粒的取向,降低了热导率,973 K时为1.35 W·K~(–1)·m~(–1);热压工艺提高了样品的致密度,降低了电阻率,973 K时功率因子达到了4.0×10~(–4) W·m~(–1)·K~(–2)。     

基于STC15F2K60S2智能罗路温度巡检仪设计

为了解决现有温度监控需要仪表数量多,组网困难问题,设计一种使用STC15F2K60S2作为核心处理器的智能多路温度巡检仪;具有多种类型输入功能,可与多种类型传感器、变送器配合使用,具有测量显示、超限报警控制、数据采集记录及RS485通信功能,方便组成监控网络,大大减少了测量仪表的数量。     

自动淘米式电饭煲设计与研究

设计了一种可定时、自动淘米的新型电饭煲,它是在普通电饭煲上加装电机、搅拌板和快速转换装置,此新型电饭煲可在STC12C5A60S2单片机及电磁阀控制下自动实现进水、淘米、煮饭、洗锅、排水等功能,且密封性良好。     

K_2O-B_2O_3-SiO_2/Al_2O_3低温共烧陶瓷介质材料研究

采用1 500℃高温熔融水淬制得K2O-(n-x)B2O3-xSiO2玻璃粉,掺入Al2O3陶瓷填充料来制备K2O-(n-x)B2O3-xSiO2/Al2O3低温共烧陶瓷介质材料。系统研究了玻璃基中SiO2/B2O3比例变化和玻璃掺入量对玻璃/陶瓷材料结构和性能的影响规律。研究结果表明,B2O3含量增加抑制了玻璃Y中SiO2析晶,使复合材料的介电常数、介电损耗在一定程度上有所减小,复合材料的抗弯强度也有一定程度的减小。     

台湾举行E-2K（E-2T“鹰眼2000NP”）预警指挥机“成军”典礼

台湾当局于2006年4月15日在屏东基地正式举行了2架E-2K（E-2T“鹰眼2000NP”）预警指挥机的“成军”典礼。E-2K预警指挥机是2005年5月到台的，经过了11个月的“成军”训练。     

Ca_3Co_(3.9)Cu_(0.1)O_9/Bi_2Ca_2Co_2O_y复合热电材料的制备与性能

采用助熔剂法合成Ca3Co3.9Cu0.1O9粉体。添加Bi2O3作为助烧剂,通过直流快速热压获得块体,熔融的Bi2O3能够促进Ca3Co3.9Cu0.1O9片流动以完成致密化过程,再通过液相反应烧结制备出了Ca3Co3.9Cu0.1O9/Bi2Ca2Co2Oy复合热电材料,对其物相组成、微观结构和热电性能进行了表征。结果表明,添加Bi2O3提高了样品的密度,降低了材料的电阻率,复合材料的功率因子在973 K时达到4.12×10–4 W·m–1·K–2。     

支持JPEG2K的高清图像分布式处理

高清图像的高效压缩及其服务是目前信息处理领域的热点。文章介绍了图像压缩技术国内外的研究现况以及最新的图像压缩标准JPEG2K,提出支持JPEG2K的高清图像分布式处理系统的设计,详细阐述设计的基本思想、总体架构、关键技术。测试结果表明,系统在图像压缩性能和业务远程提供上达到了满意的效果。     

AMD推出最新K6—2笔记本型处理器

AMD公司日前宣布,推出专为笔记本电脑设计的低功耗新型AMD－K6－2系列处理器,钟频最高可达333MHZ,是目前市场上钟额最快的笔记本电脑用处理器。该系列处理器还有300MHZ和266MHZ可供选择。移动型AMD－K6一2是首枚采用3DNow!技术、专为笔记本电脑而设计的处理器,从而使电脑具备卓越的三维图形处理及多媒体性能,使用户可以体验影视世界的无穷乐趣。移动型AMD－K6－2处理器既可支持现有的廉价Socket7插槽,亦可支持Super7平台。由于该平台设计先进,如10OMHZ高性能前置式总线和AGP图形支持,扬智（ALi）及威盛门IA）等第三…     

以RuO2为基的厚膜电阻器中电子传导与温度的关系

本文研究了两种同属RuO_2为基的厚膜电阻器中阻值与温度的关系。两种电阻器的成分(重量百分比,下同)分别为:80%玻璃料(其中:63%pbO-25%B_2O_3-12%SiO_2,称作G_1)-20%RuO_2和80%玻璃料(其中:55.5%pbO-22%B_2O_3-10.5%SiO_2-12%Al_2O_3,称作G_2)-20%RuO_2.成分为80%G_1-20%RuO_2的电阻器在850℃下烧结后,当温度从100K到～400K上升时方阻变小,并在400K到～690K之间保持一个最小值,然后随温度的进一步升高而变大.在100K～500K时获得的负温度系数为～480ppm/℃;当温度再升高时,电阻温度系数(TCR)变得更小. 本文使用厚膜电阻器导电机理的三种传导方式解释了实验结果;用一种改进的传导方式(包详隧道传导和并联传导两种方式),说明了阻值-温度反比曲线的坡度变化和阻值与温度的关系;另外还用一个等效电路模式阐述了厚膜电阻器的电性能.     

JVC家庭影院专业系统DLA—HD2K

JVC将于近期发售搭载新开发的全HD高解像度D-ILA(Direct—Drive Image Light Amplifier)装置、实现高品位高精细的映像的家庭影院专业系统DLA-HD2K。     

厨房新潮一族——电脑电饭煲

电饭煲方便、卫生深受人们喜爱。但有人觉得电饭煲煮出的米饭不如铁锅柴灶煮出的饭松软、可口。采用模糊控制的电脑电饭煲,由于能模拟人的大脑思维,在一定程度上克服了普通电饭煲的缺点。     

NKG2D配体在视网膜母细胞瘤RB细胞的表达及意义

目的：探讨视网膜母细胞瘤RB细胞株上NKG2D配体的表达情况及其对同种异体NK细胞杀伤活性的影响。方法：采用半定量RT-PCR法检测RB细胞及人红白血病细胞K562细胞上NKG2D配体MICA、MICB、ULBP1、ULBP2、ULBP3的mRNA表达情况。应用MTT法检测人NK细胞对肿瘤细胞的杀伤活性。结果：K562细胞表面表达MICA、MICB、ULBP1、ULBP2、ULBP3,RB细胞表面表达MICA、MICB、ULBP2、ULBP3不表达ULBP1。K562细胞表面NKG2D的配体mRNA表达强度明显强于RB细胞（P〈0．05）。当效靶比分别为5：1、10：1、20：1、40：1时NK细胞对K562、RB细胞的杀伤活性分别为28．32％±2．06％、9．11％±0．89％;45．62％±1．17％、22．87％±1．38％;60．79％±1．78％、32．69％±0．37％;73．83％±3．05％、50．29％±2．49％,在各效靶比时NK细胞对K562细胞的杀伤活性较RB细胞明显增强（P〈0．05）。结论：NKG2D配体影响NK细胞对靶细胞的杀伤活性,NKG2D配体表达水平可能决定着NK细胞抗肿瘤免疫应答的强弱,提高NKG2D配体的表达有可能提高NK细胞的抗肿瘤作用。