二种单频外腔式He－Ne激光器的自稳频原理再分析

作者用高气压加纵向非均匀磁场获得了二种单频、自稳频高输出功率的外腔式Ｈｅ－Ｎｅ激光器，１ｍ激光器的频率非稳定度为６．１７５×１０￣（－９）（τ≤１０ｓ）和３．３８×１０￣（－９）（τ≤１ｓ）；１．８ｍ激光器的频率非稳定度为１．１×１０￣（－８）（τ≤１ｓ）和２×１０￣（－８）（τ≤１０ｓ），所有数据由中国计量科学院测定。本文是继文献［１］，［８］，［９］和［１０］发表后，对这两种激光器的自稳频原理的再分析。     

简单的稳频He－Ne激光器

稳频Ｈｅ－Ｎｅ激光器一般用作精密检测光源。本文介绍一种整体结构小型Ｈｅ－Ｎｅ激光器，尺寸小，能用于恶劣环境，寿命长，频率稳定，结构上增加了阴极面积，防止污染，选用了适当的材料和工艺。     

简单的稳频He－Ne激光器

稳频He-Ne激光器一般用作精密检测光源。本文介绍一种整体结构小型He-Ne激光器,尺寸小,能用于恶劣环境,寿命长,频率稳定,结构上增加了阴极面积,防止污染,选用了适当的材料和工艺。     

二种单频外腔式He-Ne激光器的自稳频原理再分析

作者用高气压加纵向非均匀磁场获得了二种单频、自稳频高输出功率的外腔式He-Ne激光器,1m激光器的频率非稳定度为6.175×10-9(τ≤10s)和3.38×10-9(τ≤1s);1.8m激光器的频率非稳定度为1.1×10-8(τ≤1s)和2×10-8(τ≤10s),所有数据由中国计量科学院测定。本文是继文献[1],[8],[9]和[10]发表后,对这两种激光器的自稳频原理的再分析。     

扁平放电管He—Ne激光器输出模式的研究

本文介绍了扁平放电管He-Ne激光器输出光束的横模测试及其理论分析。     

铟封稳频He－Ne激光器

稳频Ｈｅ－Ｎｅ激光器中布氏窗片的封接引起的各向异性损耗，是影响激光输出功率的主要因素。采用先进的铟封接技术，可以大大改善稳频管的窗口封接质量，从而减小了腔的损耗，明显地提高了稳频Ｈｅ－Ｎｅ激光器的输出功率。     

一种自稳频大功率单频He-Ne激光器的功率估算

介绍了一种大功率单频、自稳频、高输出功率He-Ne激光器功率估算方法的改进。用这种方法的估算值与实际输出功率值符合得较好。     

频率分裂He—Ne激光器功率调谐特征

在改变一个频率分裂短腔（１５０ｍｍ）Ｈｅ－Ｎｅ激光器（波长０．６３２８μｍ）的谐振腔长的过程中,我们分别测量了偏振方向互相垂直的两分裂横（ｏ模和ｅ模）的光功率。两模功率在腔调谐过程中呈反向变化。我们看到一个横的运行在特定区间内由于横竞争被另一个模所抑制,抑制宽度可达几百兆赫兹,而且随着两模的频差大小而改变。此外我们还研究了两模共存区间的宽度和频差的关系。     

一种单频He—Ne激光器的自稳频原理分析

作者用高气压加纵向非均匀磁场获得了He-Ne激光器的大功率单频输出,并成功地生产了1米系列和1.8米系列的单频He-Ne激光器。这两种激光器均有很高的频率稳定性,在自由运转时能达到4×10~(-8)量级。本文首次对这种激光器的自稳频原理进行了分析。     

稳定大功率单频输出He-Ne激光器的新进展

继文献[1～3]之后,为了提高输出功率,并消除放电毛细管不规则带来的腔损耗,作者研磨了放电毛细管的内壁,将输出功率进一步提高到24mW。此时激光器的主要结构参数为:腔长1140mm,放电管长1m,放电管内径2.48mm;采用平凹腔结构,凹面曲率半径为4m,     

单谐振腔光纤激光器输出特性优化实验研究

基于单谐振腔结构,搭建了千瓦级掺镱全光纤激光器,实验研究了增益光纤长度、盘绕半径、制冷温度几种不同参数对输出激光特性的影响.经过参数优化,最终选用镱纤长度16 m,盘绕半径6 cm,制冷温度25℃,在泵浦功率为1348.3 W时,实现了1135 W的连续激光输出.激光中心波长1080 nm,光-光转换效率84.2％,斜...     

激光腔内单模场的强度和频率

本文用半经典理论研究激光腔内辐射场与原子的相互作用，得到了腔内单模场的强度随时间的变化关系以及频率牵引效应。并将兰姆理论结果与哈肯理论结果进行比较。     

He-Ne激光腔内位相调制的增强效应研究

以电光射频位相调制光谱技术为基础,对有源腔内位相调制增强的机理进行了理论和实验研究。数值计算得到了腔内调制存在腔增强效应的结果。在调制频率为10MHz时,理论腔增强倍数为9倍,并在实验上获得了验证。     

单频光纤激光器单纵模区间测量方法的研究

提出了波长计测量法测量1550 nm保偏光纤激光器单纵模区间,并与频谱扫描法、F-P腔法等测量方法进行了比较。实验结果表明三种测量方法得到的单纵模区间相同,说明波长计测量法也可以用于1550 nm保偏光纤激光器单纵模区间的测量。     

外腔半导体激光器的设计与高次谐波稳频

首先讨论了半导体激光器外腔结构参量对激光连续可调范围影响的理论计算方法,给出了Littrow结构外腔半导体激光器调谐范围的计算结果。然后介绍了半导体激光器外腔结构参量的具体设计,利用该设计得到了出射激光线宽小于1 MHz、连续可调谐范围可达3 GHz的780 nm波段外腔半导体激光器。接着讨论了利用腔外饱和吸收谱的三次谐波稳频方法对半导体激光器进行稳频,优化激光频率短期稳定度的方法。最后根据该优化方法设计出稳频系统对半导体激光器进行稳频,得到了稳定度达到10-12量级的半导体激光输出。     

半导体激光器外腔长连续调频特性的研究

研究了半导体激光器的外腔长连续调频特性，在外腔长λ／２变化范围内，激光频率与外腔长度呈线性变化关系，线性连续调频宽度小于外腔纵模频率间隔。外腔长调频率与激光管本征频率成正比，与外腔长度成反比。实验测量结果与理论分析相一致。