光电平板显示器单片机驱动电路的研究

根据光电平板显示器的特点，给出了应用于光电平板显示器的驱动电路设计原理图及利用单片机作为控制的实际驱动电路。通过试验测试，所研制的驱动电路基本能满足光电平板显示器的要求。     

高压串并转换器芯片HV5308在新型平板显示器驱动电路中的应用

文章介绍了高压串并转换器芯片HV530 8的基本特性和工作原理 ,以及其在新型场助热电子发射显示器驱动电路中的应用。     

TFT-LCD驱动芯片内置电源电路IP核设计

为了进一步提高TFT-LCD驱动芯片内置电源电路设计的合理性,为薄膜晶体管液晶显示器提供更加优质的电路服务,文章通过对TFT-LCD电源电路模块的功能和结构进行分析,在结合其驱动电压要求的基础上,对其内置电源电路IP核展开了详细的设计和分析。研究结果表明,文章所设计的TFT-LCD驱动芯片内置电源电路的IP核,具有显示时间快和工作稳定等特点,能够较好地对内置电源电路进行驱动。     

电压量程自动转换电路

多挡电压表有多个量程挡位接线端,根据被测电压Vi大小需适当选择。这样,改换量程显然不够方便,况且如果错接量程挡位还可能损坏仪表。本文介绍的电路能实现电压量程的自动转换。对被测电压Vi(最大量程范围以内的任意值)无需人为去干预,电压挡会自动进行转换,达到快速测量。工作     

精确实用的电压-频率转换电路

<正> 本文介绍的电压-频率转换电路,不仅是一种实用而精确的电路,而且还具有转换频率的上下限控制电路。它用于控制电机转速时,可以限制电机的最低转速和最高转速。从而有效地防止了电机的超高速和过低速的运行。该电路可以实现无级调速,且转换精度高,抗干扰性能强,测试简单。 该电路如图所示。以三极管U1和双向门IC12为核心的电路是转换频率设置电路。三极管U1是用来控制双向门IC12的。当从电阻R1输入一个低电平时,三极管U1截止,其集电极输出高电平,使双向门IC12导通,通过S按     

PDP显示驱动芯片的高速高低压接口电路的设计

从分析影响PDP显示驱动芯片中高低压接口电路的工作速度的几个方面出发,提出一个改进了的高速高低压接口电路,从电路结构上改善了驱动芯片的频率特性,进而为等离子显示的高分辨率大屏幕化提供了有利条件。通过Hspice模拟验证了改进结构的速度性能比传统结构提高了5％～10％。     

电压转换电路的改进设计

某系统中应用XTR110电路，设计电压到电流的转换，但XTR110电路中输出电流出现错误，提出改进的输入参考电压的电路设计方法，并用改进后的电路实现原理电路设计所要求的电流输出。     

TFT-LCD驱动芯片的二级驱动电路

针对单芯片集成的TFT-LCD驱动芯片的特性,提出了在γ校正电路中加入两级驱动Buffef的驱动电路结构,以及提高其驱动能力的有效措施.对于具有13个驱动buffer的二级驱动电路,当由一个灰度电压驱动全部396个像素单元时,驱动电压的最大安定时间约为19.2μs;静态消耗电流为518μA,与传统的64个驱动buffer电路相比,其功耗减小了77%.本文的设计结果已成功应用于132RGB×176分辨率、26万色彩色显示手机用TFT-LCD驱动芯片中,其也可用于PDA、数码相机等其他便携电子设备的显示驱动.     

TFT-LCD驱动芯片的二级驱动电路

针对单芯片集成的TFT-LCD驱动芯片的特性,提出了在γ校正电路中加入两级驱动Buffef的驱动电路结构,以及提高其驱动能力的有效措施.对于具有13个驱动buffer的二级驱动电路,当由一个灰度电压驱动全部396个像素单元时,驱动电压的最大安定时间约为19.2μs;静态消耗电流为518μA,与传统的64个驱动buffer电路相比,其功耗减小了77%.本文的设计结果已成功应用于132RGB×176分辨率、26万色彩色显示手机用TFT-LCD驱动芯片中,其也可用于PDA、数码相机等其他便携电子设备的显示驱动.     

驱动等离子平板显示器的集成式多芯片模块

引言等离子平板显示器(PDP)由于具有视角宽、轻薄灵活、对比度高和屏幕尺寸大等优势,已成为目前市面上领先的大尺寸平板显示器。为使图像有一个合理的亮度,大多数PDP都采用地址显示分离(ADs)的驱动方式。这种方法包括直接复     

PDP选址驱动芯片的HV-COMS器件设计

设计出一种能与 0 .6μm的标准低压 CMOS工艺完全兼容的 HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构 ,并提出了具体的工艺实现方法——单阱非外延工艺 ,该工艺能降低生产难度和成本。同时采用 TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟 ,并用 MEDICI对该结构的电流 -电压和击穿等特性进行模拟。该结构的 HV-CMOS应用于 PDP(Plasma Display Panel)选址驱动芯片 ,能在 80 V、40 m A的工作要求下安全工作     

等离子显示器扫描驱动芯片的设计

分析了PDP扫描驱动芯片的结构和工作原理,介绍了芯片的系统设计、电路仿真、器件模拟和全定制版图设计,设计的芯片具有较好的功能和驱动特性。该芯片的数字电路部分采用0.6μm双多晶硅双金属线标准CMOS工艺实现。对样片进行了测试,结果表明,电路功能达到设计要求,可同时驱动16路高压输出电路,最高工作频率达到60 MHz。     

平板显示器驱动电路

介绍了各平板显示器件,包括发光二极管显示(LED)、液晶显示(LCD)、等离子体显示(PDP)及场发射显示(FED)的驱动电路。     

平板显示器驱动电路技术分析

介绍了平板显示器件。如场发射显示器、等离子体显示器、液晶显示器、有机电致发光显示器驱动电路．分析了不同驱动电路的优点、缺点。     

平板显示的发展趋势

近年来显示技术发展很快,平板显示器具有完全平面化、轻、薄、省电等特点,符合未来图像显示器发展的必然趋势。目前的主流平板显示包括液晶和等离子,随着显示技术的发展,更多新产品、新技术的出现,使平板显示的显示性能更优化。     

A High Voltage Line Driver for Subscriber Loop Interfaces in a Low Voltage Submicron BiCMOS Technology

This paper presents a 30 V line driver for short loop subscriber line interface circuit applications. The high voltage line drivers was implemented in a low-voltage 0.8 m BiCMOS process using 30 V extended-drain MOS transistors, fully compatible with the low voltage technology. Using a Quasi-Current Mirror architecture for the output stage, the line driver is capable of delivering more than 30 mA current into the lines with an idle current as low as 1 mA, satisfying the short loop requirements. With less than 0.24 mm² area, the circuit can be easily integrated with low-voltage circuitry on a single chip.     

一种低成本的车载显示系统驱动电路设计

设计了一个车载5.6in模拟类型TFT-LCD显示系统.以视频解码IR3Y29BM、时序控制HX8801、小尺寸专用电源芯片LTC3450为主要功能模块.配合外围VCOM放大/调整、场同步分离、LPF/VCO电路,实现了将复合视频(PAL/NTSC)转换为模拟TFT-LCD显示所需的R/G/B、场同步、行同步、VCOM等信号,使A056DN01 TFT-LCD模块实现了复合视频输入的高质量显示,得到了一种结构简单、成本低廉、灵活可行的车载显示解决方案.     

现代战场上的平板显示器

介绍液晶显示器、场发射显示器、电致发光显示器和等离子显示器等平板显示器在现代战场上的突出作用。并依据技术发展趋势,提出了新概念平板显示器的可能形式。     

基于FPGA的平板显示器件驱动电路的设计

介绍了一种基于FPGA的平板显示器件驱动电路的设计方法。在FPGA内部设计了数字GAMMA校正、时基校正、时钟发生器、锁相环、I2C控制等模块,替代了各个专用集成芯片的功能,用数字技术取代传统模拟技术实现电路各模块,简化了电路;能够完成平板显示器件显示时序及控制方面的要求且控制灵活;能驱动大部分的平板显示器件,通用性好;设计了丰富的扩展信号接口,FPGA外挂SDRAM可应用于更大规模的平板显示驱动,可移植性强。采用高分辨率液晶投影显示屏LCX029CPT来验证所设计的驱动电路,通过电路实现,显示出质量很好的图像。     

平板显示技术的发展

介绍了平板显示发展动态,重点介绍液晶显示发展动态。TFT－LCD发展速度符合西村－北原规则,其规则指出TFT－LCD增长速度为3年增长4倍,其数值是玻璃基板尺寸增长速度为1.8倍／3年,屏幕尺寸增长速度为1.44倍／3年,分辨率增长速度为2.5倍／3年及灰度增长速度为1.7倍／3年等相乘而得的。该结果表明TFT－LCD增长速度相当于遵守摩尔规则的微电子发展速度。