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相似文献
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1.
《电子元器件应用》2005,7(8):120-120
国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出一款针对+12V、100A有源应用的参考设计IRAC5001。长期以来,在12V大电流系统中,有源ORing以其更完善的系统效率和成本优势成功地取代了二极管ORing。与市面上采用TO-220元件的其他方案相比,IR新推的IRAC5001解决方案可进一步将所需场效应管的数量减少50%。  相似文献   

2.
《中国集成电路》2005,(5):29-29
国际整流器公司(IR)近日推出采用高性能有源ORing电路的IR5001S通用高速控制器-N沟道功率MOSFET驱动器。  相似文献   

3.
《电力电子》2005,3(2):8-9
全球电源管理技术领袖国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出采用高性能有源ORing电路的IR5001S通用高速控制器-N沟道功率MOSFET驱动器。  相似文献   

4.
《电子设计技术》2005,12(9):132-132
凌特公司(Linear Technology)推出具有阻塞总线恢复功能的两线总线缓冲器LTC4303和LTC4304。通过隔离所有在上行侧的总线连接,这些新的集成电路解决了阻塞总线的共有问题,同时恢复下行总线。如果串行数据输出SDAOUT或串行时钟输出SCLOUT为低电平的时间超过30ms,那么LTC4304将自动中断数据和时钟连接,发布一个故障(Fault)信号。接着,LTCA304将自动在SCLOUT引脚上产生多达16个时钟脉冲,试图释放总线。总线释放以后,立即启动一个连接并恢复合适的工作状态。有了阻塞总线恢复功能,LTC4303和LTC4304无需一般的系统复位并解除了微控制器的负担,为释放总线提供了恰当的信号。LTC4303和LTC4304还在背板和板卡的12C总线之间提供容性隔离,即使它们各自的电源在不同的电平上也是如此。LTC4303采用MSOP.8和3mm×3mmDFN封装,并与LTC4300A-1引脚兼容。而LTC4304采用MSOP-10和3mm×3mm DFN封装。  相似文献   

5.
《电子测试》2005,(6):92-92
IR近日推出采用高性能有源ORing电路的IR5001S通用高速控制器——N沟道功率MOSFET驱动器。  相似文献   

6.
7.
《半导体技术》2006,31(10):800-801
国际整流器公司推出一系列新一代500v及600V高压集成电路(HVIC)。这19款新型HVIC采用半桥设计,配有高端和低端驱动器,可广泛适用于包括马达控制、照明、开关电源、音频和平板显示器等应用。新器件提供单路或双路输入、欠压锁定保护,以及用于半桥驱动器的固定或可编程死区时间,并可驱动高达2.5A的电流。  相似文献   

8.
《电子与电脑》2011,(6):70-70
可减少50%引线电阻,同时提高30%电流 国际整流器公司(IR)推出采用新型WideLead TO-262封装的车用MOSFET系列,与传统的TO-262封装相比,可减少50%引线电阻,并提高30%电流。  相似文献   

9.
《中国电子商情》2005,(6):74-74
国际整流器公司近日推出一款新型的DirectFET MOSFET芯片组。可以提供完善的总线转换器解决方案,在比四分之一砖转换器还要小29%的电路板面积上.实现效率高达97%的336W功率。  相似文献   

10.
《电子元器件应用》2006,8(12):I0012-I0012
全球功率半导体和管理方案供应商-国际整流器公司(International Rectifier.简称IR)日前推出了一款IRF6641TRPbF功率MOSFET,这种采用IR标准的DirectFET封装技术结合IR最新的200 VHEXFET MOSFET硅技术的新器件可实现95%的效率,并可大幅节省占位空间。  相似文献   

11.
12.
《电子与封装》2006,6(2):47-48
世界功率管理技术领袖国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出IRF4000型100V器件。该器件将4个HEXFET MOSFET集成在一个功率MLP封装内,可满足以太网供电(Power-over-Ethernet,简称PoE)应用的需求。这款新器件符合针对网络和通信基础设施系统的IEEE802.3af标准,例如以太网交换器、路由器和集线器等,可提供每个端口15W的功率,  相似文献   

13.
《电子与电脑》2010,(8):85-85
国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装,具有超低导通电阻(RDS(on)),适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动,以及电信设备等应用。  相似文献   

14.
《变频器世界》2008,(11):16-16
国际整流器公司(IR)日前发布了最新的HEXFET系列N沟道型功率MOSFET,该产品具有较低的通态电阻(RDS(on)),采用TO-247封装,其典型应用包括:同步整流、有源ORing、大功率直流电机驱动,直-交逆变器、电动工具等。  相似文献   

15.
16.
《电子技术》2005,32(5):64-64
全球电源管理技术领袖国际整流器公司(InternationalR ectifier,简称IR)近日推出采用高性能有源O R ing电路的IR5001S通用高速控制器-N沟道功率M O SFET驱动器。这款有源O R ing集成电路采用SO-8封装,配合外置M O SFET一起使用,可取代传统的二极管O Ring,既能显著提升效率,又可降低功耗。许多高端系统,诸如运营商级通信设备、电信和数据通信系统服务器等,需要不间断运行,而有源O R ing正好可以满足他们的需要。IR5001S的典型关断延迟为130ns,场效应管的典型关断时间则为20ns,其速度是业界最快的器件的两倍,可有效地将冗余总线…  相似文献   

17.
18.
《电子测试》2004,(2):117-117
国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出IR2304及IR2308多功能600V高侧及低侧驱动集成电路,产品整合了专为照明镇流器、电源及电机驱动内的半桥MOSFET或IGBT电路而设的保护功能。  相似文献   

19.
20.
IR2161是国际整流器公司(IR)专为电子变压器而设计的智能控制集成电路。该器件能驱动低压卤素灯。IR2161把所需功能全部集于单一的8引脚DIP或SOIC封装内,从而可有效减少元件数量、简化电路并增强可靠性。  相似文献   

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