掺杂条件对掺寻PVCz薄膜发光性能影响的研究

采用荧光染料Oxazine-720作掺杂剂，对聚乙烯基咔唑（PVCz）进行了掺杂，研究了掺杂溶液浓度，掺杂渐度和掺杂时间对掺杂PVCz膜发光性能的影响，旨在制备高发光效率和发光强度的PVCz膜。     

稀土离子掺杂及制备方法对钛酸盐发光材料性能影响的研究及展望

钛酸盐发光材料是一类新型的功能材料,物理化学性能稳定。由于钛酸盐具有较低声子能量和高振动频率,宜用作发光基质材料。综述了不同稀土离子掺杂对钛酸盐发光材料性能的影响,总结了钛酸盐发光材料的制备方法以及各种方法制备的产品形貌及性能等特点,并提出了今后可能的研究与应用发展方向。     

铈掺杂氧化锌的制备及发光性能研究

以Ce(NO_3)_3·6H_2O、Zn(NO_3)_2·6H_2O和NaOH为原料通过沉淀法制备了一系列Ce掺杂氧化锌(ZnO)材料,研究了Ce掺杂量、煅烧温度和煅烧时间对ZnO发光性能的影响。并用X射线衍射仪和荧光分光光度计对ZnO材料进行表征。结果表明:ZnO与Ce掺杂ZnO的结晶度均较高,Ce的掺杂没有改变ZnO的晶体结构。在煅烧温度为500℃,煅烧时间为2h,Ce掺杂量(摩尔分数)为2%时ZnO的发光性能最佳。Ce掺杂ZnO材料被波长为350nm的光有效激发,在波长为510nm附近的绿光处出现最强发射峰。     

主客体掺杂和空穴阻挡对蓝色磷光OLED发光性能的影响研究

以铱配合物蓝色磷光材料Firpic作为掺杂剂,制备了基于CBP为主体的蓝色有机电致发光器件,其结构为ITO/CuPc/FIrpic:CBP(x%)/BCP/Alq3/LiF/Al,其中x%为发光层主客体掺杂浓度.分别研究了主客体掺杂浓度和空穴阻挡层BCP的厚度对器件发光性能的影响,当掺杂浓度为8%时,主客体间的能量传转移最充分,器件的启亮电压为5V,器件在20V时的亮度为7122.25cd/m2.器件电致发光(EL)光谱出现明显的红移现象,为Alq3部分参与了发光,影响了发光的色纯度,改变BCP的厚度,可以调节载流子复合区域和器件发光的色度坐标,达到改善器件发光性能的目的.     

退火条件对Sn掺杂ZnO薄膜光电性能的影响

采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备Sn掺杂ZnO薄膜(SZO薄膜)。研究空气退火、低真空退火、高真空退火、氮气退火、三高退火、循环退火6种不同退火条件对SZO薄膜光电性能的影响。结果表明:6种不同的退火条件制备的SZO薄膜均为纤锌矿结构且具有c轴择优取向生长的特性。高真空退火下,SZO薄膜的结晶状况和电学性质最优,最低电阻率可达到5.4×10~(-2)Ω·cm。薄膜的可见光区平均透过率均大于85%。薄膜在390nm和440nm附近(325nm光激发下)都出现光致发光峰,在空气、氮气、低真空中退火后薄膜440nm处发光强度最为显著。     

Eu3＋离子掺杂纳米TiO2的制备及发光性能的研究

采用溶胶一凝胶法制备了TiO2和Eu3 离子掺杂的TiO2纳米材料,通过X射线衍射和荧光光谱分析对样品进行了表征.X射线衍射结果表明,少量稀土Eu3 离子的掺杂能有效抑制TiO2纳米颗粒的增长,进而提高晶体相变温度;荧光光谱研究表明TiO2:Eu3 体系中均能得到Eu3 离子特征发射光谱.随着Eu3 离子含量的增加,Eu3 离子的发光性能增强;并且Eu3 离子以Eu2(樟脑酸)3(1,10-菲咯啉)2有机配合物为前驱体掺杂到TiO2:Eu3 纳米晶体的发光性能优于以Eu(NO3)3·6H2O为前驱体制备的TiO2:EU3 纳米晶体.     

掺杂对类金刚石薄膜性能的影响

类金刚石膜具有良好的机械性能、电学性能、光学性能、摩擦学性能、热学和化学性能以及生物相容性.为了进一步挖掘并改善类金刚石膜潜在性能,人们在类金刚石膜中掺入不同元素并研究了膜性能变化.总结了掺杂对类金刚石膜性能的影响.     

磁控溅射制备氢掺杂氧化锌薄膜的掺杂性能研究

主要研究了氢掺杂氧化锌(ZnO∶H)薄膜的性能,发现随着H2流量比的变化,其主要表现为浅施主掺杂、钝化空位缺陷以及刻蚀等作用。当H2流量比较小时(R≤0.02),样品沿(002)择优向生长,这时H原子主要作为浅施主掺杂,钝化氧空位和取代锌离子,使晶胞体积变小,提高ZnO薄膜的结晶性,同时使得ZnO带尾变窄,带隙变宽;SEM图观察到薄膜表面粗糙,晶粒变大、且分布均匀;薄膜电阻率下降,主要是薄膜结晶质量提高增加了电子迁移率及浅施主掺杂提高了电子浓度。当H2流量比较大时(R≥0.04),样品XRD(002)衍射峰淬灭,晶胞体积变大,薄膜结晶度降低。从红外吸收谱可以看出,在3400～3900cm-1范围,出现一个较宽的吸收带,这属于典型的O—H键区域振动模式(LVM)吸收带。由于极性分子团羟基造成电荷不平衡,产生氧空位,提高电子浓度,使薄膜电阻率降低。同时,由于刻蚀作用使得缺陷浓度增加,带尾变宽,使得薄膜带隙变窄。     

铅掺杂对BST铁电薄膜性能的影响

为了改善BST铁电薄膜的结晶性能,降低薄膜材料的铁电弛豫和弥散相变特性,采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了不同铅掺杂的BST薄膜(PBST).研究了PBST薄膜的微观结构及其介电、铁电性能.XRD、AFM分析表明,铅对(101、110)峰的生长促进作用最大,掺入5mol%Pb以上的PBST薄膜的结晶状况得到了明显改善;铅的引入使晶粒增大,降低了薄膜的频率色散现象,相变温区有不同程度紧缩;薄膜的介电、铁电性增强.PBST(0.80/0.20/0.05)薄膜具有适当的相变温区、合适的Tmax值、较小频率色散及比BST薄膜更为明显的介电峰与铁电性等特征,可以作为UFPA系统的探测材料.     

Sn掺杂BZT薄膜性能研究

采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Sn掺杂Ba(Zr0.2 Ti0.8)O3 (BZT)薄膜.结果表明,掺锡的BZT薄膜为钙钛矿结构,当Sn掺量超过4％时,出现了第二相BaO;SEM观察发现掺锡BZT薄膜表面光滑平整,孔洞和裂纹较少;当Sn掺量达到8％时,BZT薄膜的介电常数达到最大值,而介电损耗最小;BZT薄膜的剩余极化强度为2.29μC/cm2,矫顽场强为10.36kV/cm.     

掺杂Sb_2O_3/Au对MoS_2溅射膜抗氧化性能的影响

利用 X射线光电子能谱仪 (XPS)对 MoS2溅射膜掺杂 Sb2O3/Au的抗氧化性能进行了研究。结果表明, Sb2O3/Au使得 MoS2溅射膜的结构变得更为致密。同时还改变了 MoSx的化学计量配比,增强了 MoS2溅射膜的抗氧化性能。通过掺杂的 MoS2溅射膜的初始氧化以及在潮湿环境中的氧化只发生在膜表面的 2～ 3个分子层,使得内层被保护得相当好。掺杂是解决 MoS2溅射膜氧化问题的一种行之有效的方法。     

间、对－苯撑硫醚共聚物的热性能研究

用热分析法并结合Ｘ射线衍射分析，研究了间位苯环结构含量为１０％、１５％、２０％和３０％的间、对－苯撑硫醚共聚物的热性能。发现间位苯环结构的引入，改变了聚苯硫醚主链结构的规整性，使聚合物的结晶性降低，熔融温度下降，可溶解性增加，而聚合物的热稳定性却保持不变。这样的结构改性降低了聚合物的加工温度，拓宽了使用范围，同时对聚苯硫醚的合成、结构与性能研究有重要意义。     

工艺参数对AgInSbTe薄膜性能的影响

采用射频磁控溅射工艺,在 Ｋｇ玻璃基片上用 Ａｇ－Ｉｎ－Ｓｂ－Ｔｅ合金靶制备了 Ａｇ_δＩｎ＿（１４）Ｓｂ＿（５５）Ｔｅ＿（２３） 相变薄膜,将沉积态薄膜在３００℃进行了热处理．测量了薄膜的光学性质和静态存储性能,研究了 溅射气压和功率对薄膜光学性质和静态存储性能的影响．结果表明,适当的溅射气压和溅射功率可使 Ａｇ_δＩｎ＿（１４）Ｓｂ＿（５５）Ｔｅ＿（２３）相变薄膜具有较大的反射率对比度,从而提高其存储性能．     

微晶交联网络结构对增塑聚氯乙烯性能的影响

研究了温度对ＰＶＣ断裂伸长率,拉伸强度及加热形变量（针入度）的影响,发现与未增塑ＰＶＣ相类似,增塑ＰＶＣ在９０℃左右出现断裂伸长率最大值;增塑ＰＶＣ的形变量随ＰＶＣ聚合度（结晶度）的增加而减小,软化温度则上升。     

孔隙率对多孔聚乙烯醇缩甲醛凝胶性能的影响

通过成孔剂法制备不同孔隙率的聚乙烯醇缩甲醛凝胶(PVFM),其具有对含水量变化快速响应的特性,研究其在吸水、脱水过程中孔隙率对体积、质量、力学性能变化的影响。研究表明,多孔凝胶的孔隙率越高,其吸水、脱水的速度越快。而其力学性能及随含水量变化的敏感性却相应降低。在流量控制、湿度调节等多孔凝胶驱动控制的系统中．缩短凝胶响应时间的同时,要保证其力学行为随含水量变化的敏感性。     

聚乙烯胺盐酸盐的溶液性质

利用聚丙烯酰胺的霍夫曼降级重排反应制备了六种聚乙烯胺盐酸盐,并对它们的水溶液性质进行了研究。聚乙烯胺盐酸盐水溶液的pH值随平均聚合度的变化并不明显,随着胺化度由55．65％升高到82．36％,其水溶液的pH值由3．96降低到2．67,聚乙烯胺盐酸盐的m值由3．65提高到5．50,pKa值由8．33降低到7．37,随着聚乙烯胺盐酸盐的平均聚合度由82．3增加到201．8,它的m值从5．13升高到5．58而pKa值则由7．48降低到了7．26;当聚乙烯胺盐酸盐的浓度小于5g／L时,溶液的比浓粘度急剧增加。     

碳纳米管非金属掺杂对结构和性能影响的研究

通过讨论氮、硼、硅、氟等非金属原子掺杂的碳纳米管,对场电子发射特性的影响。介绍了掺杂在场电子发射、能源电池、气体传感器等领域的研究和应用。掺杂可以增加碳纳米管的缺陷,改变其电子结构。掺杂可使碳纳米管转变为n型半导体或是金属性导体,将提高场发射性能。同时,掺杂亦可使碳纳米管向P型半导体转变,这将不利于场发射性能改善。当场发射性能随着掺杂浓度升高而提高时,存在最佳掺杂浓度值,一旦超出,则场发射性能逐渐下降。因此,研究碳纳米管非金属掺杂具有重要的应用价值。     

聚噻吩乙炔的合成及其导电性

对在水和甲醇－水混合介质中合成的聚噻吩乙炔（ＰＴＶ）前聚物（ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ ｐｏｌｙｍｅｒ）的结构和性能进行了研究。不同聚合介质条件对单体转化率及前聚物的产率有一定影响。不同取代侧基影响ＰＴＶ前聚物的溶解性和热处理性能。并对ＰＴＶ膜碘掺杂后的导电率进行了初步研究。     

离子注入改性聚对苯乙炔的光学及电学性能

利用脱氯化氢反应制备π共轭高分子聚[2-甲氧基-5-(3′-甲基)丁氧基]对苯乙炔(MM B-PPV)。采用能量为15 keV~35 keV,剂量为3.8×1015ions/cm2~9.6×1016ions/cm2的低能氮离子(N+)对MM B-PPV薄膜进行离子注入改性研究。红外光谱显示,离子注入后分子的特征峰未发生显著变化,而在3442cm-1、1622 cm-1等处出现N-H键的振动峰;随着注入能量、剂量的增加,薄膜的紫外-可见吸收边向长波方向移动,π共轭高分子中激发态和基态间的光学禁带宽度变窄;薄膜的表面电导率随着注入能量、剂量的增加迅速提高,当注入能量为35 keV,剂量为9.6×1016ions/cm2时,表面电导率高达3.2×1-0 2S/cm,比本征态提高7个数量级以上。     

聚苯乙炔单分子膜成膜特性研究

研究了聚苯乙炔单分子膜的成膜特性及其结构，结果表明，聚苯乙炔能在较大的表面压范围内形成稳定的单分子膜，并具有不可重复压缩性，表面压力的各向异性和松弛特性，ＴＥＭ照片显示，聚苯乙炔分子链在单分子膜中是有序排列的，转移比和ＸＰＳ研究证明，单分子膜向铝片的沉积是成功的。