共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
本文用不同的发射极宽度和长度与集电极电流Ic和集电极-发射极间电压VCE的函数关系研究了集电区含InGaAsP层、基区为Zn高掺杂的小尺寸InP/InGaAsDHBT的高频性能。结果表明,减小发射极宽度比减小其长度能更有效地提高fmax,0.8μm发射极金属条宽的DHBT在Ic=4mA的小电流时,具有超高的fmax和fT,其数值分别为267GHz和144GHz,fmax的增加归结为基区电阻和降低了 相似文献
2.
3.
4.
曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(4)
新结构高性能In_(0.3)Ga_(0.7)As/In_(0.29)Al_(0.71)As/GaAsHEMT研究证明,InGaAsHEMT的结构优于GaAsMESFET和习用的AlGaAs/GaAsHEMT。在GaAs上制备的赝配结构HEMT(PM-HE... 相似文献
5.
6.
7.
8.
目前GaAs基低噪声HEMT,包括用DBS的InGaAs/N-AlCaAsPHEMT已经商品化,且GaAs基功率HBT也将很快进入市场。尽管InP基HEMT或HBT仍处于研究与发展阶段,但由于它们特殊的电性能,它们将有希望成为下一代异质结构器件。在继续改进器件结构和工艺过程中,晶格生长工艺的改进激发了一种新的趋势,提出并实现了一种用InP做有源层的新型器件结构。这篇文章主要描述了这样一种InP基H 相似文献
9.
GaAs、GaP、InP、InGaAsP、AlGaAs、InAlGaAs的化学腐蚀研究 总被引:2,自引:0,他引:2
许兆鹏 《固体电子学研究与进展》1996,16(1):56-63
为研制全集成光开关、微片式激光器等,对GaAs、GaP、InGaAsP、InAIGaAs、AlGaAs等材料的化学腐蚀进行了实验研究。为了研制InAlGaAs/InAlAs/InAlGaAs微片式激光器,开发了H3PO4/H2O2/H2O薄层腐蚀液和HCl/H2O选择性腐蚀液;为了研制InGaAsP/InP/InGaAsPTbar型光波导,开发了HCl/H3PO4/H2O2薄层腐蚀液和HCl/H2O2选择性腐蚀液;为了研制GaP、InGaP光波导,开发了HCl/HNO3/H2O薄层腐蚀液。它们都具有稳定、重复性好、速率可控、腐蚀后表面形貌好等特点。除此之外,蚀刻成的GaP光波导侧壁平滑无波纹起伏。此种结果尚未见报导。 相似文献
10.
11.
江兴 《固体电子学研究与进展》1996,(3)
1WKu波段AlGaAs/GaAs功率HBT最大功率附加效率达72%《IEEETransactionsonElectionDevices》1995年第42卷11期报道,通过采用最佳发射极镇流电阻器和电镀热沉(PHS)结构已经成功地获得了Ku波段大功率... 相似文献
12.
孙再吉 《固体电子学研究与进展》1994,(3)
具有低温特性的宽频带P-HEMT MMIC LNA《IEEETMT&T》1993年第6—7期报道了使用0.2μmT型栅,InGaAsP-HEMT工艺制作了两个8~18GHZ宽带单级MMIC低噪声放大器。其中一个为平衡结构的P-HEMTMMICLNA,... 相似文献
13.
介绍了通过插入InAs层到InGaAs沟道中,改善了InAlAs/InGaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)的性质,合适的InAs层厚度和准确的插入位置会使在300K时此结构的HEMT比普通结构的HEMT的迁移率和电子速度分别提高30%和15%。 相似文献
14.
李丹红 《固体电子学研究与进展》1994,(3)
势垒厚度在2.5~50nm AlAs/GaAs隧道发射极HBT的奇特电流增益近几年来,人们对用隧道势垒作为有效质量滤波器的兴趣越来越大。曾有人提出一种新型TEBT结构AlGaAs/GaAs双极晶体管。在这种结构中,由于其电子和空穴穿过势垒的几率有很大... 相似文献
15.
16.
孙再吉 《固体电子学研究与进展》1996,(3)
20Gbit/s HBT调制器驱动IC据《NEC技报》1995年第5期报道,NEC公司新开发的AIGaAs/GaAsHBT,应用于20Gbit光调制器驱动IC中,获得了良好的超高速和高压输出性能。在IC制作中,NEC采用了独特的异质护环HG-FST工... 相似文献
17.
18.
《固体电子学研究与进展》1999,(4)
南京电子器件研究所于1995年引进美国EPI公司生产的ModularGenⅡ型MBE设备,封面展示了这一设备,该设备具有75mm和50mm的生产能力,所研制的GaAs,AlGaAs,InGaAs和InAlAs材料具有良好的电特性,利用这些材料研制的HFET,HEMT和PHEMT等器件具有良好性能。生长化合物材料的MBE设备 相似文献
19.
借助一新的工艺模拟与异质器件模型用CAD软件──POSES(Poisson-SchroedingerEquationSolver),对以AlGaAs/InGaAs异质结为基础的多种功率PHEMT异质层结构系统(传统、单层与双层平面掺杂)进行了模拟与比较,确定出优化的双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT异质结构参数,并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算,用于指导材料生长与器件制造。采用常规的HEMT工艺进行AlGaAs/InGaAs功率PHEMT的实验研制。对栅长0.8μm、总栅宽1.6mm单胞器件的初步测试结果为:IDss250~450mA/mm;gm0250~320mS/mm;Vp-2.0-2.5V;BVDS5~12V。7GHz下可获得最大1.62W(功率密度1.0W/mm)的功率输出;最大功率附加效率(PAE)达47%。 相似文献
20.
概述了InGaAs/GaAs异质结构材料用于制作微波器件的优越性,叙述了材料的MBE生长、输运特性和掺杂分布,以及用于制作Ku波段低噪声高增益HFET的结果:栅长0.5μm,12GHz下噪声系数0.93dB,相关增益9dB。 相似文献