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设计了多孔硅电致发光器件,讨论了工艺条件对器件I—V特性影响。试验中已观察到微弱的电致发光。认为利用多孔硅制备可见光发光器件是可行的。 相似文献
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测量了二氧化锡(SnO2)/多孔硅(PS)/硅(Si)的光电压谱,分析表明:在SnO2/PS/Si材料中存在着两个异质结;当样品吸附还原性气体时,其光电压明显下降。当样品在1%液化石油气的氛围时(相对于空气),光电压减少了16.4%-27.5%;在1%CO氛围时,减少了8.1%-19.4%;在1%H2氛围时,减少了12.1%-14.9%,因此SnO2/PS/Si可作为一种新的敏感元件。文中还对测量结果进行了讨论分析。 相似文献
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介绍了两种制备多孔硅的方法:电火花刻蚀法和激光辐射腐蚀法。讨论了这两种新方法制备的多孔硅样品的结构和发光特性,同时,与电化学法制备的多孔硅的结构和发光特性进行了比较。最后指出这两种新方法对于多孔硅形成机理和发光机制研究是有所帮助的。 相似文献
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本文在很宽的导电范围内采用阳极氧化方法形成多孔硅。用SEM观测了多孔硅形貌、性质与腐蚀时间的关系。研究了四种不同掺杂的Si-HF系统的电流-电压特性。 相似文献
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对两种不同条件下制备的多孔硅进行了红外透射光谱测量,并对超临界干燥和自然干燥条件下的光致发光光谱进行了对比测量。用高分辨率透射电镜对其结构进行了观察,研究表明多孔硅的发光机理与其制备条件有关。 相似文献
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硅/多孔硅异结光生电压谱研究 总被引:1,自引:0,他引:1
首次报道硅/多孔硅异质结光生电压谱,发现多孔硅的激发能有不连续性,表明多孔硅量子点由一层层硅硅原子有序排列而构成,其尺寸分布是不连续的,其差值为硅晶格常数的整数倍,光生电压谱是研究多孔硅和硅/多孔硅异质结能带结构的有效方法。 相似文献
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采用阳极氧化方法制备了多孔硅(Ps),经过超声波充分粉碎PS层得到分散的si纳米颗粒(n-Si),利用高速离心旋转方法将n-si镶嵌到多孔氧化铝(Al2O3)模板中,得到nSi/Al2O3。复合体系。研究了PS、分散的n-Si和n-Si/Al2O3。的荧光(PL)光谱性质,观察到n-Si极强的蓝紫光发射。结果表明,在Al2O3模板中的n-Si,比起PS和丙酮中的发光峰值波长向短波方向“蓝移”,而且半峰全宽(FWHM)也相对变窄。实验现象表明,量子限制效应(QCE)对样品的PL性质有苇要作用,并用QCE对样品的发光“蓝移”现象进行了解释。 相似文献
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多孔硅光致发光谱的多峰结构 总被引:2,自引:0,他引:2
基于多孔光致发光的量子限制效应模型,研究了多孔硅发光性质随温度的变化关系.结果表明:多孔硅光致发光谱呈多峰结构,这些分立的发光峰是由多孔硅的本征因素引起的. 相似文献
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显微拉曼光谱法对多孔硅热导率的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
多孔硅优良的热学性能使其成为MEMS领域新兴的热绝缘材料。文中采用一种简便且无损的多孔硅热导率测量技术——显微拉曼光谱技术对电化学腐蚀法制备的不同孔隙率和厚度的多孔硅试样热导率进行了测量,结果表明在多孔硅的拉曼谱峰位置与其温度间存在线性对应关系。在所有样品中,厚度为110μm空隙率为65%的多孔硅显示出最好的绝热性能,其热导率为0.624W/mK。且随多孔硅孔隙率和厚度的减小,其热导率有迅速增加的趋势(厚度和孔隙率为9μm和40%时,其热导率升至25.32W/mK)。 相似文献
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本文在实验基础上,对于多孔硅的形成形貌学进行了研究,用日立S-750型扫描电镜观测了不同条件下生长的多孔硅的正面和侧面孔的形貌。对得到的实验结果进行了较为详细的分析,为进一步研究多孔硅在半导体器件方面的应用提供了一定的基础 。 相似文献
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