汽车用功率MOSFET及其封装

现代功率MOSFET被日益广泛地应用在汽车上,是最具发展前景的功率器件之一。文章在概述不同种类功率MOSFET特点的基础上,具体分析了当前主要的汽车用功率MOSFET的分类、结构、性能及其封装形式与改进,并给出这一领域的现状及发展趋势。     

面向汽车应用的功率半导体集成与封装

在汽车应用中，原来预期的从12V向42V系统电压的转变仍陷于停顿。虽然系统电压并没有改变，但电流却在增加。因而新一代的功率半导体器件必须解决相关的问题，如热性能，同时必须考虑缩小体积以满足设备的集成。     

新型封装技术应对汽车智能功率器件设计挑战

用于汽车动力传动系统和引擎控制的功率半导体器件必须能够耐受恶劣的环境。对于半导体IC来说，最高结温Tjmax是关键因素。阻断能力（Blocking capability）栅极阈值电压（gate threshold voltage）及其它重要的特性参数均受Tjmax所限制。超出Tjmax是大部分失效事故的主要原因。如果考虑到汽车应用中的高工作温度．加上许多汽车应用中功率器件必须在能量吸收模式下工作（这是其它功率设计很少见到）的事实，这就成为了一个相当大的设计挑战。所有这些都要求功率半导体对热限制、热管理有充分透彻的理解，才能为汽车市场提供所需的产品可靠性。     

用小型散热器对DirectFET封装功率MOSFET进行双面散热

本文探讨了可以用于生产厂封装的器件的各种热管理方案,并且引用了国际整流器公司的测试数据,来评估使用小型散热器改善这些器件散热性能的优点,并研究了在进行通电循环的情况下,在器件上直接安装散热器对器件可靠性的影响。     

针对汽车应用的功率MOSFET

这6款单通道功率MOSFET通过AECQ101认证，主要用于汽车模块。这些器件采用5mm×6mmSO8FL封装及3．3mm×3．3mmWDFN－8封装，占位面积比业界标准DPAK封装小50％或以上，     

面向汽车应用的功率MOSFET

意法半导体推出9款汽车级功率MOSFET,进一步扩大STripFET VI DeepGATE功率MOSFET产品组合,该功率器件能够将电气系统驱动器和控制器的正常功耗降至最低,从而提升电气系统的能效;同时还可减少电路产生的热量,实现更小、更轻的装置设备。     

以LFPAK为封装的汽车功率MOSFET系列

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）发布了以LFPAK为封装（一种紧凑型热增强无损耗的封装）全系列汽车功率MOS．FET。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验,新的符合Q101标准的LFPAK封装MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）被认为是高度可靠的功率SO—8封装。     

塑封功率器件封装失效分析技术研究

功率器件是工业生产中一类重要的基础器件,其质量及可靠性水平深受广大学者关注。文章通过对功率器件封装形式、失效诱因及国内外专家学者对功率器件塑封封装失效的研究进展进行总结,希望能够为相关分析研究提供参照。     

功率半导体器件走上前台——阿用元器件／封装／控制技术是高输出功率密度

现在，变换器与变频器等功率变换设备的技术开发正面临一个转折点，要提高这类设备的性能，就必须利用几个领域的综合技术。所谓几个领域的技术，包括构成功率变换设备的半导体器件相关技术，及其封装和控制技术。     

提高MOS功率晶体管封装可靠性技术研究

功率MOS晶体管的正向导通电阻是器件的重要指标,严重影响器件的使用可靠性。从封装材料、封装工艺等方面论述功率MOS管降低导通电阻、控制空洞、提高器件可靠性的封装技术,并通过一些实例来阐述工艺控制的效果。     

新型半导体功率器件在现代雷达中的应用研究(Ⅰ)

目前第一代半导体功率器件的制造技术和应用技术已趋于成熟,S波段及以下波段功率器件的输出功率、工作效率和可靠性指标都已达到相当高的水平。近年来第二代半导体功率器件的制造技术和应用技术发展迅速,S波段、C波段和X波段的器件已经形成了一定的系列化商品。但是面对现代雷达等新一代电子装备的需求,半导体功率器件在高功率、高效率和高频率等方面与真空管器件相比仍逊色许多,Si和GaAs功率器件的输出功率工作频率短期内不大可能有大的提高,而第三代半导体功率器件——宽禁带半导体器件固有的宽禁带、高击穿场强和良好的热稳定性等特性,决定了其可以输出更高功率、工作在更高频率、具有更高效率,并可更好地满足现代雷达的要求。     

功率器件管壳的热应力分析

当微电子器件封装中的热应力足够大时 ,常常会导致封装开裂甚至失效 .热应力主要是在制造过程中由于环境温度变化和封装材料热失配而产生的 .因此 ,对封装设计进行热应力估算和可靠性研究是必不可少的 .采用 ABAQUS有限元计算软件 ,对某型混合集成电路的铜基金属功率外壳 ,建立了功率器件封装的三维计算模型 ,进行了应力和变形分析计算 .计算结果为提高封装结构的可靠性和优化封装设计提出了理论依据     

氮化镓功率半导体器件技术

作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,在民用和军事领域具有广阔的应用前景。随着GaN技术的进步,特别是大直径硅(Si)基GaN外延技术的逐步成熟并商用化,GaN功率半导体技术有望成为高性能低成本功率技术解决方案,从而受到国际著名半导体厂商和研究单位的关注。总结了GaN功率半导体器件的最新研究,并对GaN功率器件发展所涉及的器件击穿机理与耐压优化、器件物理与模型、电流崩塌效应、工艺技术以及材料发展等问题进行了分析与概述。     

高温功率半导体器件连接的低温烧结技术

综述了功率电子器件和模块的连接和封装工艺,介绍了粉末致密烧结技术和用于电子封装的现状,对纳米银金属焊膏烧结技术进行了讨论。研究表明,纳米银可有效降低烧结温度,提高设备的高温稳定性、导热性、导电性、机械强度、抗疲劳性等。由于银的熔点较高,这种新技术可应用于高温功率器件的封装。     

基于脉宽调制器SG3525的一种新型车载电源设计

介绍了一种新型的基于脉宽调制器SG3525芯片的车载电源的设计.给出了车载电源设计的系统结构图,并分析了其中主要部分的功能.脉宽调制器SG3525具有欠压锁定、系统故障关闭、软起动、延时PWM驱动等功能,因而得到广泛应用.该电源利用脉宽调制器芯片SG3525产生正弦脉宽调制信号,实现了由直流12V到交流220V/50Hz的转换.     

热电式MEMS微波功率传感器的封装研究

为了研究热电式MEMS微波功率传感器封装后的性能,提出了一种COB技术的封装方案。首先,采用有限元仿真软件HFSS仿真封装前后的微波特性;然后,基于GaAs MMIC技术对热电式MEMS微波功率传感器进行制备,并对制备好的芯片进行封装。最后,对封装前后传感器的微波特性及输出特性进行测试。实验结果表明,在8～12 GHz频率范围内,封装后回波损耗小于-10.50 dB,封装前的灵敏度为0.16 mV/mW@10 GHz,封装后的灵敏度为0.18 mV/mW@10 GHz。封装后的热电式微波功率传感器输出电压与输入功率仍有良好的线性度。该项研究对热电式MEMS微波功率传感器封装的研究具有一定的参考价值和指导意义。     

浅谈双电源自动切换开关的应用

随着科学技术的进步,各台站对供电可靠性的要求越来越高,而目前各台站在双电源供电的低压侧仍然采用手动操作的双向隔离开关进行倒闸操作,常常会因误操作而引发事故。所以,先进的双电源自动切换开关设备很有必要应用到各个台站的供电系统中。这里主要阐述了双电源自动切换开关的原理及其应用。     

高功率半导体激光器的寿命评价研究进展

介绍了国内外主要高功率半导体激光器研制机构和用户寿命评价新的实验和测量方法、寿命数据,分析了开展寿命评价的一些研究思路和方法.