低压差线性稳压器MAX603/MAX604及其应用

１ＭＡＸ６０３／ＭＡＸ６０４的功能特点ＭＡＸ６０３／ＭＡＸ６０４是ＭＡＸＩＭ公司生产的低压差线性稳压器 ,具有预置５Ｖ(ＭＡＸ６０３)／３．３Ｖ(ＭＡＸ６０４)或可调两种输出方式 ,其输出电流可达５００ｍＡ。ＭＡＸ６０３在５Ｖ／５００ｍＡ输出时的压差为３２０ｍＶ,在５Ｖ／２００ｍＡ输出时的压差为１３０ｍＶ;ＭＡＸ６０４在３．３Ｖ／２００ｍＡ输出时压差为２４０ｍＶ。这两款器件的功耗很低 ,静态电流典型值为１５μＡ ,最大为３５μＡ ,关断模式下的最大电流只有２μＡ。同时 ,还可以用电阻对其输出电压进行调节 ,其输出电…     

具有线性GRIN结构GaAs/AlGaAs单量子阱激光器

采用ＭＯＣＶＤ 方法成功地研制了具有线性ＧＲＩＮ 结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱激光器。该激光器的峰值波长为８１５～８２５ ｎｍ ,阈值电流为１３０ ｍ Ａ。工作电流在４８０ ｍ Ａ 时,单面连续输出光功率高达２００ ｍ Ｗ,且基本保持在单模工作状态。工作在９７０ ｍ Ａ 时,单面连续输出光功率为０．５ Ｗ。     

高亮度GaAlAs／GaAs以异质结红色发光二极管

报道了高亮度ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ双异质红红色发光二极管的制作和实验结果。该器件在２０ｍＡ工作电流下，最大发光强度约５００ｍｃｄ。     

1.8 μm波段台面条形结构InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器

报道了１．８μｍ波段台面第形结构ＩｎＧａＡｓＳｂ／ＡｌＧａＡｓＳｂ量子阱激光器的研制结果,器件在７７Ｋ下以脉冲方式工作,阈值电流约２５ｍＡ,中心波开约１．８４μｍ。     

Ka波段功率PHEMT的设计与研制

报道了Ｋａ 波段功率ＰＨＥＭＴ的设计和研制结果。利用双平面掺杂的ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＨＥＭＴ材料,采用０．２ μｍ 的Ｔ型栅及槽型通孔接地技术,研制的功率ＰＨＥＭＴ的初步测试结果为：Ｉｄｓｓ：３６５ ｍ Ａ／ｍ ｍ ;ｇｍ ０：３２０ ｍ Ｓ／ｍ ｍ ;Ｖｐ：－ １．０～－ ２．０ Ｖ。总栅宽为７５０ μｍ 的功率器件在频率为３３ ＧＨｚ时,输出功率大于２８０ ｍ Ｗ,功率密度达到３８０ ｍ Ｗ／ｍ ｍ ,增益大于６ ｄＢ。     

高亮度GaAlAs／GaAs双异质结红色发光二极管

报道了高亮度ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ双异质结红色发光二极管的制作和实验结果。该器件在２０ｍＡ工作电流下，最大发光强度约５００ｍｃｄ。     

MBE生长温度对InGaAs／GaAs应变单量子阱激光器性能的影响

采用分子束外延（ＭＢＥ）技术，研制生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变单量子阱激光器材料，并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明，较高的ＩｎＧａＡｓ生长温度和尽可能短的生长停顿时间，将有利于降低激光器的阈值电流。所外延的激光器材料在２５０μｍ×５００μｍ宽接触、脉冲工作方式下测量的阈电流密度的典型值为１６０ｍＡ／ｃｍ２。用湿法腐蚀制作的４μｍ条宽的脊型波导激光器，阈值电流为１６ｎＡ，外微分量子效率为０４ｍＷ／ｍＡ，激射波长为９７６±２ｎｍ，线性输出功率为１００ｍＷ。     

漫谈手机电池

随着经济的发展，我国的移动通信事业得到了飞速发展，移动通信网也由过去单一的模拟网，发展到现在的模拟网、数字网并存。伴随着移动通信的突飞猛进，电池行业也是日新月异，从过去单一的镍镉电池，发展到现在的镍镉电池、镍氢电池、锂离子电池３大系列电池并存，互相竞争，共同发展。镍镉电池由过去的５００ｍＡｈ（ＡＡ型）发展到现在的８００～９００ｍＡｈ，镍氢电池由开始的 ９００～１　０００ｍＡｈ（ＡＡ型）发展到 １ ２００ｍＡｈ，而现在常用的锂离子电池是１ ３００ｍＡｈ（１８６５０型）。电池技术的发展，也推动了我国通信…     

MBE生长高质量GaAs／AlGaAs量子阱激光器

我们利用分子束外延方法研制了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ缓交折射率分别限制（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ）单量子阱和双量子阱激光器．对腔长为６００μｍ的端面不镀膜的宽接触条型Ｆ－Ｐ腔激光器，阈值电流密度（平均值）分别为２９０Ａ／ｃｍ２和２４０Ａ／ｃｍ２．腔长在１２００μｍ的双量子阱激光器的阈电流密度低达１９０Ａ／ｃｍ２．对出光面和背面分别镀以增透膜和高反膜的宽接触条型（８０μｍ）．激光器，线性输出功率高达１．８２Ｗ；出光面的斜率效率达到１．０４Ｗ／Ａ；利用湿法化学腐蚀所制备的脊形波导结构单量子阱激光器阈值电流最低可达８ｍＡ     

畅销产品

ＡＤ６９３４０～２０ｍＡ环馈电流传感器变送器特点仪表放大器前端环馈工作方式预校准输入范围３０ｍＶ或６０ｍＶ输出范围和零点可独立调整预校准输出范围：４～２０ｍＡ单极性，０～２０ｍＡ单极性，１２８ｍＡ双极性预校准１００ＲＴＤ接口可提供高达３．５ｍＡ电流的６．２Ｖ基准电压提供一个备用的放大器可外接旁路三极管以降低自热误差ＴＭＰ－０１低功耗可编程温度控制器特点工作范围－５５～＋１２５规定温度范围内精度，典型值　０．５　输出电压与温度成正比用户可编程温度设定点用户可编程滞后失调电压２０ｍＡ集电极开路设定点…     

Sm在GaAs（100）表面的吸附和界面反应的SRPES研究

利用同步辐射光发射研究了Ｓｍ／ＧａＡｓ（１０）界面形成．高分辨的芯能级谱结果表明，在低覆盖度下（＜０．１ｎｍ），Ｓｍ与衬底的作用较弱，形成较突出的金属／半导体界面．当Ｓｍ的覆盖度增加时，Ａｓ和Ｇａ的表面发射峰很快消失，表明Ｓｍ与Ｇａ发生置换反应而与Ａｓ形成化学键．同时，Ｇａ原子会向Ｓｍ膜体内扩散且偏析到Ｓｍ膜表面，而Ａｓ－Ｓｍ化合物只停留在界面区域．当Ｓｍ膜厚度达到０．５ｎｍ时，Ｓｍ膜开始金属化．结合理论模型，文中还详细地讨论了界面形成和界面结构．     

InAlAs／InGaAs高电子迁移率晶体管的可靠性问题

研究了热处理对亚微米晶格匹配和应变的ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ亚微米ＨＥＭＴ的影响。发现直流特性变差。ＩＤＳＳ从２９９ｍＡ／ｍｍ减到１８２ｍＡ／ｍｍ，Ｇｍ从５１３ｍＳ／ｍｍ减至２０９ｍＳ／ｍｍ，还测量出了微波参数的降低。ｆＴ和ｆｍａｘ分别减少超过３０％和２０％，一些证据表明，由于在沟道／缓冲层界面和内部额外陷阱的存在而引起的变化是导致这种参数改变的原因。测量出的欧姆接触电阻率从０．１９Ωｍｍ增加至     

低压MOCVD外延生长InGaAsP／InP应变量子阱材料与器件应用

本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阶材料，材料参数与外延条件的关系，量子阱器件的结构设计及其器件应用．用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于４００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值７～１２ｍＡ的１．３μｍ量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于６００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值９～１５ｍＡ的１．５５μｍ量子阶激光器以及高功率１．３μｍ量子阱发光二极管和ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器．     

卫星用AlGaAs／GaAs太阳能电池

介绍了ＧａＡｓ太阳能电池的基本原理，结构设计和制作工艺。用水平液相外延一室分离多片旬延石墨舟研制了ｐ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ｐ－ｎ－ＧａＡｓ结构的太阳能电池。在ＡＭＯ，１００ｍＷ／ｃｍ＾２２５℃的测试条件下，开路电压（Ｖｏｃ）为９９４ｍＶ，短路电流密度为２３．２ｍｃｍ＾２，填充因子（ＦＦ）为０．７９４，光电转换这１８．２5.     

MOCVD生长GaAs／AlxGa1—xAs多量子阱子带间红外吸收特性

对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ（４０Ａ）／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ（３００Ａ）多量子阱结构观察到阱内电子从基态到第一激态跃迁引起的红外吸收。用Ｂｒｕｋｅｒ红外光谱仪测量，发现了一个峰值在９８６ｃｍ＾－１（１０．１μｍ）带宽为２３７ｃｍ＾－１（９～１１．５μｍ）的强吸收峰，该峰位置与阱内电子从基态到第一激发态跃迁所计算的吸收峰位置基本一致。     

二级管泵浦的Q开关Nd：YAG激光器及测距样机

研究了电光调Ｑ及Ｃｒ４＋：ＹＡＧ被动Ｑ开关的二极管泵浦Ｎｄ：ＹＡＧ激光器，获得了１１ｍＪ的电光调Ｑ及被动Ｑ开关激光脉冲，Ｑ开关效率分别为７５％和３２％。以Ｃｒ４＋：ＹＡＧ被动Ｑ开关的激光器为基础，研制了二极管泵浦的Ｎｄ：ＹＡＧ激光测距机样机。以＜３ｍＪ的激光脉冲，无发射天线压缩发射，采用等效口径为Φ２６ｍｍ的接收天线。在～３Ｋｍ的能见度下，实现了３３９Ｋｍ的测距。最大测程为４７Ｋｍ（５Ｋｍ能见度），整机工作频率为１６ｐｐｓ，自然传导冷却。     

氮化铝陶瓷直接覆铜技术

研制出一种直接覆铜ＡｌＮ基板。先将ＡｌＮ 陶瓷基板作表面氧化处理, 然后在１ ０６３～１ ０７０℃下, 氮气氛中煅烧, 使铜箔直接焊敷在ＡｌＮ基板上。铜箔的剥离强度可达到８５３．２ Ｐａ, 厚度为０．１～０．５ ｍ ｍ , 最大基板面积可达５０ ｍ ｍ ×５０ ｍ ｍ     

GaAs／GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器

本文报道我们在国内率先研制的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外（３～５μｍ）量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能．ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外量子阱探测器是光伏型，探测峰值波长为５．３μｍ，８５Ｋ下的５００Ｋ黑体探测率为３e９ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，峰值探测率达到５×１０１１ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，阻抗为５０ＭΩ．ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件，在零偏压下该探测器仅在３～５μｍ波段有响应，响应峰值波长为５．３μｍ，８５Ｋ温度下５００Ｋ黑体探测率为３e９ｃｍ     

低阈值基横模脊形波导GaAs／AlGaAs单量子阱激光器

本文报道了脊形波导结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器的研究成果．我们采用湿法化学腐蚀方法，通过对器件结构参数的优化，制备了性能优越的脊形波导ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器，器件的阈值电流低于１０ｍＡ，最低值为７．３ｍＡ，而且实现了基横模工作，这是国内报道的该结构激光器的最好水平．     

LAPDm在GSM基站中的实现

Ｕｍ接口是ＧＳＭ系统中的无线接口，采用ＯＳＩ结构，其数据链路层（第二层）遵从Ｄｍ信道链路接入协议（ＬＡＰＤｍ）。本文给出了ＬＡＰＤｍ在基站侧的一种软件实现方法，并分析了该软件的功能、结构及数据结构，文章最后给出了该软件在实用中的测试结果。