半导体大光腔激光器列阵

本文报告了一种具有实用价值的半导体大光腔激光器列阵,介绍了该器件的两种典型结构和基本特征,以及设计思想,制作工艺等.该器件阈值电流为2-4A,峰值功率为75-100瓦,是目前国内列阵器件的最高水平.     

(AlGa)As可见光激光器的镜面保护

本文介绍了一种可见光激光器端面镜面保护方法。用电子束蒸发在可见光激光器的两个镜面上分别镀上0.75 λ/2和λ/2厚的 Al_2O_3钝化膜,并就镀膜对激光器性能的影响进行了测试研究。经过镜面保护的可见光激光器寿命有很大改善,且由于一个端面镀上0.75 λ/2抗反射膜,使激光器的极限输出功率有一定的提高。     

平凸波导压缩大光腔半导体激光器

本文报道平凸波导压缩大光腔半导体激光器,对其外延生长、结构及波导特性作了讨论和分析.     

我国首次研制成功的大光腔半导体激光器通过鉴定

1982年6月12～16日,由吉林物理所所长、科学院学部委员、研究员徐叙瑢,吉林大学教授高鼎山,长春光机所付所长、高级工程师龙射斗,上海光机所高级工程师杨(女亘)彩,长春光机学院付院长、付教授秦曾志,教授杨先敏,北京大学付教授虞丽生,北京半导体研究所杜宝勋,兵器工业部包富元等37名代表,在长春光机学院对该院的研究成果“GaAs-(AlGa)As大光腔激光器”进行了鉴定。     

(AlGa)As/GaAs DH激光器低温负阻的研究

在室温至 77K范围内测量了 AlGaAs/GaAs DH激光器的正向伏安特性.发现有些激光器在低温下具有负阻的特性. 采用类 Schottky模型对DH激光器中的N-Al_(0.3)Ga_(0.7)As/n-GaAs异质结的电流传输特性进行分析,认为负阻现象是由于N型(AlGa)As层掺杂浓度偏低,N-n异质结在低温DH激光器正向偏置较大时,电子从n区隧道击穿N-n异质结势垒,或空穴从P型有源区注入N区引起的.此外N-AlGaAs层的施主杂质Sn的电离能很大也对低温负阻有贡献.     

砷化镓大光腔大功率激光器

简要介绍了 GaAs 大光腔、大功率激光器的制作、性能参数,讨论了其制作关键。     

(AlGa)As连续激光二极管的可靠性

本文评论了影响连续(CW)(AlGa)As激光二极管可靠性的主要因素。基于我们目前所掌握的有关镜面损伤、按触退化和内部损伤三种因素对器件性能的影响,它们的起源以及如何降低或消除它们等方面的知识,讨论了这三种退化模式。给出了氧化物条型激光器的详细结果,虽然可靠性结果强烈地依赖于制作工艺,许多退化结果与制作工艺同时共存,我们也着重讨论了这方面的问题。我们实验室工作的激光器,室温连续寿命大于40000小时,平均外推失效时间为10~5～16~6小时。在这些激光器中,镜面退化和接触退化看来可以从工艺上进行控制,而起支配作用的失效机构是内部损伤。虽然还未得到很好地论证,但对内部损伤而言,将0.7eV的激活能用于高温加速寿命试验是很有用的。绝大多数可靠性数据都涉及到阈值电流的增加,但是,远场图形的漂移以及激光器调制特性的变化(如自激振荡)同样会影响激光器在实际系统中的特性。     

大光腔砷化镓激光器小型电源

由于大光腔砷化镓激光器体积小、能量大,所以,在国防、工业生产、通讯以及各种控制上得到重要的应用。但由于它需要高频、大电流、窄脉冲电源,特别是瞬时电流可达几十安培;这样,使电源的复杂程度和体积很难简化下来。     

大光腔分段压缩-平面复合腔激光器

本文报道了我们设计并研制的大光腔分段压缩-平面复合腔激光器(LOC-SCP).这种激光器目前最低室温(27℃)直流阈值为54mA,能以稳定的基横模工作超过30mW.     

氧化限制的热波导窄条型大光腔(LOC)激光器

本文描述了氧化限制窄条型AlGaAs-LOC激光器的特性与常规窄条型双异质结(DH)激光器的比较,LOC型呈现出更窄的近场和远场分布,较高的散光,高的微分量子效率以及能承受高脉冲的影响。这些现象可以用热波导的形成来解释。窄条型LOC和通常的窄条型DH激光器的特性非常相似,我们认为,在确定退化的半导体激光器的特性中,热波导效应是一个重要的因素。     

高功率大光腔(LOC)单模激光器的横模识别与控制

本文介绍了在弱横向限制的大光腔结构激光器中横模识别与控制的综合性研究。分析集中于两种CDH-LOC激光器结构:A、在无源与有源状态下只提供基横模;B、在无源状态下提供几个横模,而在有源状态下只提供基模。     

半导体微腔激光器

半导体微腔激光器随着二十世纪末的临近，制作能够处理和分配大量数字信息的机器变得越来越迫切。信息流必须能在这些机器中各种电子处理器和储存器之间流通，并与输入输出接口联接。超级市场的收款机、个人电脑、数据和电话交换机便是这些机器的例子。人们对更新、更有效...     

半导体微腔激光器

文章简要叙述了微腔激光器的基本工作原理。采用先进的ＬＰＥ及反应离子刻蚀等微细加工技术制作了盘型－ 图钉式微腔结构,测得其有源区的光荧光谱的半宽度为０ ．０３２ ｅＶ,波长为８１５ ．３３ ｎｍ 。     

沟道台面衬底三段大光腔激光器

本文报道了一种新型结构的半导体激光器——沟道台面衬底三段大光腔激光器,它具有阈值电流低、高输出功率和易获得基横模单纵模工作的特点.     

大光腔AlGaAs掩埋异质结窗口激光器

大光腔掩埋异质结窗口激光器已经制成。在这种激光器中,只是透明的AlGaAs 波导层延伸到反射镜面,而激活层不延伸到反射镜面。这种激光器的阈值电流和微分量子效率,可与通常的激活区延伸到激光器反射镜面的大光腔掩埋异质结激光器相媲美。其它无窗口同类激光器,由于镜面突然损伤而功率下降,然而,窗口激光器已在脉冲条件下以下降时的三倍功率运转。     

GaAs-Al_(0.3)Ga_(0.7)As DH共腔双二极管激光器

本文报导了GaAs-Al_(0.3)Ga_(0.7)AsDH共腔双二极管激光器的实验制备。对这种激光器的稳态输出特性和瞬态输出特性作了实验观测。     

复合双外腔半导体激光器

本文首次提出改进外腔半导体激光器性能必须同时满足两个条件:(1)振荡模要有最大的净增益;(2)振荡模与其相邻纵模间的净增益差足够大。据此理论研制成复合双外腔半导体激光器,首次在无任何反馈控制条件下实现了单模稳定运转时间大于24h、同一单模运转注入电流范围提高二个数量级,输出功率提高一个量级,其它各项性能也均有大幅度提高。     

单纵模耦合腔半导体激光器

八十年代,高数据速率长距离光纤传输和相干光通信的发展,推动了单频半导体激光器的研究,主要的研究工作有分布反馈(DFB)式激光器、解理耦合腔(C~3)激光器和外腔式激光器。连续工作条件下,DFB激光器的线宽光功率乘积约为30MHz·mW,线宽最窄已达4MHz;C~3激光器的线宽功率乘积为2.5～3MHz·mW,10mW