La-Gd-Ca-Mn-O的不可逆磁电阻效应

随掺Gd量的增加，La-Gd-Ca-Mn-O化合物的金属-绝缘体相变温度逐渐下降，对应的峰值电阻率大幅度增加，磁电阻比明显提高，掺入11%的Gd可以使材料的磁电阻比提高一个数量级。Gd的掺入还引起材料磁电阻出现明显的不可逆效应。随掺Gd量增加，不可逆效应明显增大。     

大磁电阻材料La0.67Ca0.33Mn1-xNixO3的研究

我们制备了La0.67Ca0.33Mn1-xNixO3氧化物材料,测量了热磁曲线,其居里温度随镍含量增加而减少,这是由于Mn^3 /Mn^4 双交换作用随镍对锰的替代减弱的结果。测量了材料的大磁电阻效应,并利用迪尼模型计算分析了含镍材料在零场以及磁场为6T下电阻随温度的变化关系。实验与计算对照结果表明：迪尼模型可以很好地描述对应于铁磁／顺磁相变的电阻峰值现象。     

La—Gd—Ca—Mn—O的磁性、电性和磁电阻效应

在La0.67C0.33MnO3中进行了掺Gd研究，结果发现，经1400℃烧结的样品，获得了最佳的磁电阻效应，随掺Gd量增加，材料的相变温度逐渐下降，对应的降值的电阻率大幅度增加，居里温度逐渐下降，磁电阻比明提高，掺入11％的Gd后，可以使磁电阻比提高一个数量极，这些变化可以用晶格效应来解释。     

磁电阻效应之巨磁电阻效应研究

体积越来越小,容量越来越大——在如今这个信息时代,存储信息的硬盘自然而然被人们寄予了这样的期待。得益于"巨磁电阻"效应运一重大发现,最近20多年来,我们开始能够在笔记本电脑、音乐播放器等所安装的越来越小的硬盘中存储海量信息。     

钙钛矿材料La0.65Ca0.35Mn1-xFexO3的低场磁电阻特性探讨

我们制备了氧化物材料科La0.65Ca0.35Mn1-xFexO3(x=0,0.01,0.02,0.03),研究了材料在低场0.57T下的磁电阻效应,我们发现氧化物材料La0.65Ca0.35Mn1-xFexO3据里温度Tc及电阻峰位温度Tp均值铁含量的增加而下降,这主要是因为Fe离子不参加双交换作用,且阻挡了双交换作用的进行,材料的铁磁作用随铁含量增加而减弱。利用迪尼模型计算了La0.65Ca0.35Mn1-xFexO3材料在零场及磁场为0.57T下电阻随温度的变化关系,理论计算结果与实验数据吻合得较好。     

La1-xCaxMn1.03O3外延薄膜的巨磁电阻效应

研究了用溶胶－凝胶（ｓｏｌ－ｇｅｌ）方法在ＬａＡｌＯ３（１００）衬底上制备的Ｌａ－１ｘＣａｘＭｎ１．０３Ｏ３外延薄膜的磁电阻效应。ｘ在０．２～０．６２１范围内变化,外延薄膜的电阻率与温度的关系从类半导体行为向金属导电行为转变。在ｘ≥０．５的４个样品中没有发现电荷有序绝缘体（ＣＯＩ）和反铁磁绝缘体（ＡＦＩ）现象。ｘ＝０．２样品在１．５Ｔ磁场下磁电阻率ＭＲ的最大值为１０＾４％、磁转变温度为２３０Ｋ。     

La0.67Sr0.33-xAgxMnO3的室温磁电阻效应

采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备了名义组分为La0.67Sr0.33-xAgrMnO3(x=0.15、0．20)的多晶样品,发现用Ag部分替代Sr后样品的室温磁电阻比替代前明显增大。在1．8T下,La0．67Sr0.18Ag0.15MnO3样品的磁电阻在330K出现峰值,其峰值为35％;对于La0．67Sr0.13Ag0.2 MnO3样品,磁电阻峰值为26％．且峰的宽度较大,在290～315K之间的磁电阻随着温度变化不大．因此显著提高了室温时样品的磁电阻和磁电阻的温度稳定性,另外．还提高了样品的磁场灵敏度。这对磁电阻的应用有很大意义。     

掺Ag磁性氧化物的庞磁电阻效应

本文重点介绍了掺Ag的钙钛矿锰氧化物和磁铁矿的磁电阻增强效应。结构分析表明，这些材料是由铁磁性的钙钛矿锰氧化物相或亚铁磁性的磁铁矿相与非磁性的金属Ag相所组成的两相复合物。由于金属Ag相的存在，它们的低场磁电阻效应明显增强。这可归因于传导电子在磁性相和非磁性相界面处的自旋相关散射的增强。     

La0.5Ca0.5MnO3中Ca位上Ba掺杂效应研究

用固态反应法制备了具有单相结构的La_0.5Ca_0.5-xBa_xMnO₃系列样品,其结构随Ba含量增加由立方晶系转变为典型的正交晶系．零场下输运性质实验表明,在较低掺杂量时,系统在整个温区显示半导体型导电特征,而当掺杂量超过0.14时,系统发生由半导体到金属的转变,且转变的温度随掺杂量增加而移向高温瑞．基于对实验结果的分析,就Ca位上Ba掺杂所起的作用进行了初步探讨．     

有机磁电阻效应研究进展

介绍了近年国际上在π共轭有机半导体中新发现的有机磁电阻效应(Organic magnetoresistance,O-MAR)实验和理论的研究进展,展望了有机磁电阻效应的应用和研究.有机磁电阻效应不仅具有各向同性、常温下大磁电阻率和高磁场灵敏度的特点,而且不同于传统的磁电阻效应和目前广泛研究的巨磁电阻效应(Giant magnetore-sistance,GMR),其结构中不包含磁性材料也没有外部极化自旋的注入,是有机半导体的一种内禀性质.     

La0.67 Ca0.33 MnO3和La0.67 Ba0.33 MnO3中Dy的置换作用

在La0.67Ca0.33MnO3和La0.67Ba0.33MnO3中用Dy对La进行了置换研究。结果发现，随掺Dy量的增加，两类材料的居里温度和金属-绝缘体相变温度单调下降，峰值电阻率单调增加。在Ca系样品中，掺入13％的Dy后，在5T的磁场下，最大磁电阻比达到7900％。在Ba系样品中．掺Dy对磁电阻的影响要小得多。掺Dy对材料性质的影响可以用晶格效应来解释，但晶格效应产生的作用与碱土离子的品种有明显关系。     

(La2/3Ca1/3)(Mn(3-x)/3)Fex/3)O3体系磁电阻行为的研究

通过系统地测量（La_2/3Ca_1/3）（Mn_{（3-x）／3}Fe_x／3）O₃（x＝0、0.1、0．2、0．3的体系样品的电阻率-温度关系以及一定温度下磁电阻率与磁场的关系,发现随x的变化其磁电阻率峰和电阻率峰均发生位移,磁电阻率峰值增大,并伴生磁电阻率峰展宽效应．作者认为由于Fe的替代,引起体系中Mn³⁺／Mn⁴⁺比率及磁矩的变化,加之外场对磁有序结构的调制作用,从而影响了Mn³⁺－O^－Mn⁴⁺的双交换作用,最终导致磁电阻行为发生变化．     

La0.67Ba0.33MnO3中Cu掺杂对电特性和室温磁电阻的影响

在溶胶-凝胶法制备的La0.47Ba0.38MnO3(LBMO)微粉中掺入CuO粉,制成一系列(LBMO)／／(CuO),(x=0．01～0．1,为摩尔比)掺杂材料,实验结果发现．随着Cu掺杂量的增加,材料的磁化强度和居里温度变化不大,材料的电阻率先快速减小,而后缓慢增大,当x=0．01时在全温范围内电阻率都达到最小值,这与Cu离子的价态变化有关。实验还发现Cu离子的掺入可以使材料的室温磁电阻逐步提高．当掺入10%的Cu时,室温磁电阻比达到-8．4％。比未掺杂的LBMO提高了50％。低电阻率导电陶瓷材料和大的室温磁电阻效应都是应用研究所关注的课题。     

La0.67Sr0.33MnO3中Ag-Ti的掺杂效应

将La0.67Sr0.33MnO3（LSMO）、Ag2O及TiO2粉混合经高温烧结后制备了钙钛矿相/xAg两相复合体系（x是Ag与钙钛矿材料的物质的量比）,系统地研究了Ag-Ti的共掺杂对LSMO电性和磁电阻效应的影响.0.07摩尔比Ti4＋离子的B位掺杂使LSMO的居里温度降至室温.Ag的掺入对Tc影响不大,Tp逐渐升高.由于钙钛矿颗粒属性的改善和金属导电通道的出现,材料的电阻率明显下降.Ag掺杂使室温磁电阻得到显著增强,室温下从x=0.30样品中得到最大的磁电阻,约为32%,是La0.67Sr0.33MnO3样品的8倍,La0.67Sr0.33Mn0.93Ti0.07O3样品的1.6倍.     

Nb5+的掺杂引起La0.67Sr0.33MnO3增强的磁电阻效应

将Nb2O5掺杂到用溶胶-凝胶法制备的La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)微粉中,XRD测量结果表明所有样品均为单相菱面结构.随着Nb5 掺杂量的增加,材料电阻率发生显著变化.在x=0.06的掺杂样品中得到最高为1110Ω·cm电阻率(x是掺入的Nb离子与母体材料的摩尔比),比LSMO高5个数量级,这是由于晶界处以及颗粒内部增加的自旋相关的散射和隧穿效应所致.Nb5 离子的掺杂使样品的低场磁电阻(LFMR)和高场磁电阻(HFMR)效应都有所增强.77K下,0.1和1T磁场下在x=0.07样品中分别得到25%和42%的磁电阻效应,分别是LSMO样品的2倍和1.7倍.室温下x=0.03样品的磁电阻最大,为7%.其中,LFMR来源于颗粒晶界处电子的自旋相关隧穿及散射作用,而HFMR来源于表面层的自旋非共线结构.     

La2/3Sr1/3MnO3/ZnO混合物薄膜的磁电阻和伏安特性研究

利用脉冲激光沉积的方法在Si（100）氧化成SiO₂的基片上制备了(La_2/3Sr_1/3MnO₃)_x/(ZnO)_1-x混合物薄膜,研究了薄膜的磁电阻和伏安特性. X射线衍射分析表明,除了衬底SiO₂的衍射峰以外,分别出现了La_2/3Sr_1/3MnO₃（101）的衍射峰和ZnO（002）的衍射峰,且它们形成了两相共存体系. 实验表明：x=0.3的混合物薄膜表现为半导体导电特性,而x=0.4的样品则出现了典型的金属绝缘相变. 所制备的样品表现出了低场磁电阻效应和非线性伏安特性. 在0.7T磁场的作用下,x=0.3的样品在温度为60K时取得的最大磁电阻值为28.8%. 通过对伏安关系拟合表明,在La_2/3Sr_1/3MnO₃和ZnO颗粒之间存在一定的耗尽层,且产生了界面缺陷态.     

La0.9Sr0.1MnO3/Fe2O3复合体系的异常磁电阻效应

采用软化学方法制备了不同粒径的La0.9Sr0.1MnO3和软磁材料γ-Fe2O3,并将两者按不同比例进行复合,分别用扫描电子显微镜和X射线技术观察了样品的形貌特征和相结构,发现掺杂后的复合体系的电阻率要远大于未掺杂样品的电阻率.掺入γ-Fe2O3后,样品表现出异常磁电阻效应,即加外磁场后样品的电阻率明显大于未加磁场时样品的电阻率.同时,掺杂样品磁电阻的磁场灵敏度显著提高,在室温附近观察到了磁电阻极大值.     

Heat capacity, thermopower and magnetoresistance effects in multiferroic La0.5Bi0.5Mn0.5Fe0.5O3

We have carried out systematic investigations in perovskite multiferroic La_0.5Bi_0.5Mn_0.5Fe_0.5O₃ by means of X-ray diffraction, magnetisation, electrical resistivity, thermoelectric and heat capacity measurements. The magnetic behaviour of this composition is rather complex, though the magnetisation curve seems to be like a weak ferromagnetic material. However, there is no clear evidence of λ-anomaly in the heat capacity data down to 2 K, yet this behaviour corroborate the trends of semiconducting silicon below room temperature. The sensitivity of magnetic behaviour to the iron-manganese ratio is also demonstrated. In presence of an external field of 7 T, it exhibits a magnetoresistance of ?5 % at 130 K. The thermoelectric value increases linearly with decreasing temperature, and at room temperature the value is +85 μV/K, which is associated with the p-type polaronic conductivity.