反应磁控溅射法制备nc-TiN/a-Si3N4薄膜的Young''s模量和内耗

利用振簧技术测量了不同退火状态下的nc-TiN／a-Si3N4超硬薄膜的Young‘s模量和内耗随温度的变化关系．在280--300℃附近观察到一个弛豫内耗峰．随着退火温度的升高，该内耗峰逐渐减弱，而Young‘s模量变化不大，750℃退火后，该内耗峰消失，而模量却从未退火时的430GPa激增至530GPa，初步认为该内耗峰来源于非稳定界面的弛豫过程。     

PZT陶瓷材料低温相变的内耗测量

通过差热分析(DSC)、内耗以及Young’S模量等测量了PZT铁电陶瓷材料的相变行为，结果表明，在261和225K各出现一个内耗峰．前者与DSC探测到的峰温一致，对应于从四方到单斜的一级相变；后者峰形不对称，对应的Young’S模量有突变，但在DSC上无反映，这可能与界面的运动有关，即与相变的稳态内耗有关。     

复合体材料CuFe2O4-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3的内耗和介电损耗

用传统的固相反应方法制备了CuFe2O4-Pb(Mg1／3Nb2／3)O3复合体材料陶瓷，用X射线衍射确定了复合体材料中各相的存在．用双端振动簧法研究了样品在-200—400℃的音频内耗谱，在37．6℃发现一个很大的内耗峰P1，并伴随着约9％的模量的软化，表明了相变的存在．在室温下，测量了介电常数ε′和介电损耗tanδ随频率变化的关系；同时，测量了复合体材料的介电常数和介电损耗随温度的变化关系，进一步验证P1峰由立方到四方的相变引起．最后给出样品的磁滞回线。     

Ce,Y-TZP陶瓷的室温至250℃内耗

测量了不同Y2O3稳定剂含量(摩尔分数分别为0．25％，0．50％和0．75％)对8Ce，Y-TZP陶瓷的室温至250℃内耗特征的影响．结果表明，Y2O3含量为0．25％时，晶体结构为单斜相，无内耗峰出现，内耗呈单调增加；而Y2O3含量为0．50％和0．75％时，晶体结构为四方相，在内耗-温度曲线上出现弛豫内耗峰，模量单调减小，峰值为10^-3--10^-2，峰位随测试频率增加向高温移动，弛豫时间符合Arrhenius关系，内耗峰的积分强度与稳定剂的含量(即Y^3 离子的浓度)成正比，该内耗峰起源于YZrVoe偶极子的再取向。     

La2Mo2O9系新型氧离子导体中氧空位扩散的内耗与介电弛豫研究

报道了用内耗和介电弛豫方法研究新型氧离子导体La2-xAxMo2O9(其中，A=Ca，Bi，K；x=0-0.3)的最新结果，结果表明，在内耗-温度谱和介电损耗-温度谱上出现了两个与氧空位短程扩散有关的内耗峰和介电弛豫峰，说明氧空位扩散至少有两个不等同的弛豫过程．掺杂后，两弛豫峰都移向高温，氧空位的扩散激活能增加，高温弛豫峰高度降低而低温弛豫峰略有升高．在适当的掺杂条件下(30％Ca，5％Bi或5％K)，低温下的电导率都有不同程度的提高．根据实验结果和晶体结构提出了氧空位(或离子)扩散的物理图像．     

具有相同电子浓度Zr-Al-Ni非晶合金的动力学特性研究

本文利用DMA研究了具有相同电子浓度、不同Zr、Al、Ni含量的三种非晶合金的存贮模量(G”)，损耗模量(G”)和内耗(G”／G’)的动力学特性。结果表明，虽然三种非晶合金的电子浓度相同，但其动力学特性并不一样。在室温下。Zr含量最多的Zr63Ni18．5Al18．5非晶合金具有最高的G’。在加热速率为10℃／min、振动频率为5Hz的条件下，三种非晶均在300℃左右开始发生G”和内耗，G”和内耗峰对应的温度随Zr含量的减少向高温方向推移，并且峰值降低。结合X射线结构分析得出G’开始下降的温度为晶化温度，它低于G”和内耗峰对应的温度。G”和内耗峰并不是出现在晶化的开始，而是出现在晶化过程中。     

钙钛矿结构锰氧化物La0.67Ca0.33MnO3的内耗研究

用内耗的方法测量了钙钛矿结构锰氧化物La0 67Ca0 33MnO3的内耗温度曲线Q-1(T).在260,222和105 K温度处分别出现内耗峰.分析表明105 K处的内耗峰与铁磁态中的电子相分离有关.222 K处的内耗峰由两个次峰构成,峰温分别为222和234 K,并具有弛豫特征,与绝缘畴和金属畴的相对移动有关.它们的激活能以及指数前因子分别为0.32 eV,2.0×10-12s和0.38 eV,2.5×10-13 s.     

NbTi-NiTi原位复合材料的约束态相变阻尼

为使记忆合金展现宽温域高阻尼特性,采用熔炼、热锻、轧制等手段制备原位自生的NbTi-NiTi记忆合金复合材料。借助NbTi对NiTi的约束,拓宽NiTi相变温度区间,获得宽温域相变阻尼。采用LMR-1低频力学弛豫谱测试机测试样品内耗。完全相变测试结果表明:材料能在很宽的温度范围内展现高阻尼特性,并随着预变形量的增加,马氏体逆相变阻尼峰的峰温随之升高,峰宽也随之增加;预变形后,样品在第一次加热过程中阻尼峰的峰温较高,且峰较宽,而第二次加热,阻尼峰温和宽度都明显降低;测试中材料的动态模量也伴有相同的变化。不完全相变测试结果表明:内耗曲线出现双阻尼峰,而动态模量曲线出现阶梯式升高现象,且内耗曲线和动态模量曲线都展现出温度记忆效应。     

Mn-Cu合金马氏体相变与沉淀的内耗SCIEI

用倒扭摆内耗仪测量了含Mn量92.8及90wt-％两种Mn-Cu合金在—100—400℃温度范围的内耗温度谱。除在-40及160℃附近是熟知的孪晶界面弛豫峰和马氏体相变峰(P_?峰)外,还新发现40℃内耗峰(P_2峰)是Spinodal组分分解形成的贫Mn区内的马氏体相变内耗峰。200℃附近的弛豫峰(P_3)与a-Mn的沉淀物有关,激活能为1.1eV。340℃弛豫峰(P_4)是在430℃真空时效过程中逐渐形成的,激活能为1.47eV。     

时效对Mn-Cu-Al三元合金的内耗、杨氏模量和力学性能的影响

测量了Mn-Cu-Al三元合金(含56-60wt-％Mn,0-3.59wt-％Al)在-150—150℃的声频内耗,发现当试样在调幅线的温度范围内进行时效时,内耗随着时效时间的增加而增加,并在特定的时间内达到极大值.时效温度越高,达到极大值的时间越短.在时效一定的时间后出现马氏体相变峰和孪晶界面弛豫峰.相变峰随着时效时间的增加而向高温移动;弛豫峰则出现在15℃左右(频率约1kHz),测得其激活能是0.56eV. 在调幅线内时效使合金的硬度、强度及脆性墙加,Al元素有增加合金的强度而降低其内耗的作用.实验结果表明,在450℃时效2—3h,可得到合金的内耗和强度的最佳综合指标. 根据内耗、模量、金相检验和X射线分析的结果,认为调幅分解后产生的富Mn区是合金发生相变和高内耗的来源,也是合金的强度增加和韧性降低的原因.     

La2/3Ca1/3MnO3∶Ag0.4与La2/3Ba1/3MnO3∶Ag0.4的制备及其性能研究

采用化学共沉淀法合成制备了Ag掺杂摩尔百分比为0.4的La2/3Ca1/3MnO3∶Ag0.4 (LCMO∶Ag0.4)、La2/3Ba1/3MnO3∶Ag0.4(LBMO∶Ag0.4)多晶复合材料,通过XRD和R-T分别对两种材料的结构和性能进行测试分析.实验结果表明:所得样品均为正交晶系钙钛矿结构;LCMO∶Ag0.4的金属-绝缘转变温度(Tp=280.2 K)比LBMO∶Ag0.4要高(Tp=256.8 K);LCMO:Ag0.4样品的电阻值比LBMO∶Ag0.4要小两个数量级;LCMO∶Ag0.4的TCR最大值为28％,要远远高于LBMO∶Ag0.4的TCR最大值(0.5％).     

LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2和LiNi3/8Co1/4Mn3/8O2纳米纤维的合成与电化学性能

以溶胶前驱体为纺丝液,通过静电纺丝法合成锂离子电池正极材料LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2和LiNi3/8Co1/4Mn3/8O2纳米纤维.采用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、充放电实验对纳米纤维的形貌、结构和电化学性能进行研究.结果表明,纳米纤维的直径在150～200 nm之间,且具有典型的α-NaFeO2层状结构.LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2和LiNi3/8Co1/4Mn3/8O2纳米纤维的首次放电容量均超过170 mAh·g-1,50次循环后容量保持率在90%以上.     

PMN-PNN-PT陶瓷晶粒异常长大研究

采用两步法和等离子放电烧结技术制备出了致密的单一钙钛矿相的PMN-PNN-PT陶瓷,对其高温热处理后晶粒异常长大进行了研究.发现添加5%(质量分数)过量PbO有助于晶粒的异常长大,观察到了3种典型的异常长大晶粒,为下一步固态法制备该组成单晶打下了基础.     

PMN-PNN-PT单晶的固相法生长研究

采用两步法和埋入PMN-PT单晶为模板的等离子放电烧结（SPS）技术制备出了致密的单一钙钛矿相的PMN-PNN-PT陶瓷，随后在1200℃下退火100h来诱导晶体的生长。实验结果表明，PMN-PNN-PT单晶〈111〉方向的生长速度明显快于〈001〉方向，而〈111〉方向生长的晶体形状为V字形，这是由钙钛矿结构的生长机理决定的，钙钛矿结构晶体的生长是通过〈001〉方向的层状生长来实现的。     

Thermodynamic analysis of the CsNO3-KNO3-NaNo3 system

The thermodynamic properties of the CsNO₃-KNO₃-NaNO₃ system have been derived from an optimization procedure using experimental and published information concerning phase diagram and thermodynamic data for the constituent binary systems and ternary liquid phase. The results are in very close agreement with the experimental data.     

Epitaxial 0.65PbMg1/3Nb2/3O3-0.35PbTiO3 (PMN-PT) thin films grown on LaNiO3/CeO2/YSZ buffered Si substrates

Ferroelectric PMN-PT thin films with a thickness of 600 nm were epitaxially grown on buffered Si (0 0 1) substrates at a substrate temperature that ranged from 550 to 700 °C using pulsed laser deposition (PLD). LaNiO₃ (LNO) electrode thin films with a resistivity of ∼1900 μΩ cm were epitaxially grown on CeO₂/YSZ buffered Si (0 0 1) substrates. The PMN-PT thin films grown at 600 °C on LNO/CeO₂/YSZ/Si substrates had a pure perovskite and epitaxial structure. The PMN-PT films exhibited a high dielectric constant of about 1818 and a low dissipation factor of 0.04 at a frequency of 10 kHz. Polarization-electric-field (P-E) hysteresis characteristics, with a remnant polarization of 11.1 μC/cm² and a coercive field of 43 kV/cm, were obtained in the epitaxial PMN-PT films.     

La2/3Sr1/3MnO3薄膜的外场诱导电阻变化特性

分别采用固相反应技术和脉冲激光沉积的方法制备了La2/3Sr1/3MnO3靶材和薄膜,并研究了磁场、激光和电流等外场诱导下的薄膜电阻变化特性.结果表明,在铁磁金属相,激光辐照诱导薄膜电阻增大,而电流和磁场作用相似,均诱导薄膜电阻减小,这一现象可归结于不同外场通过改变体系中eg电子的自旋状态而影响体系的输运过程,引起电阻的变化.在顺磁绝缘相,利用小极化子模型进行了分析讨论,表明外场诱导电阻减小主要是由于外场作用使小极化子退局域化.     

Effects of ferrites on magnetic transport properties in La2/3Sr1/3MnO3/ferrites composites

Effects of soft-magnetic MnZn ferrite (Mn0.5Zn0.5Fe2O4, MZF) and hard-magnetic Ba ferrite (BaO·6Fe2O3, BaM) on the structure and magnetic transport properties of [La2/3Sr1/3MnO3] (LSMO)/(x) [ferrites] (ferrites=MZF, BaM) composites have been investigated. It was found that the inclusion of MZF phase reduces magnetization and ferromagnetic-paramagnetic transition temperature (Tc) of the composites. With increasing the content of the dopants, the high-temperature magnetoresistance (MR) decreases, whereas low-...     

脉冲激光沉积La1／3（Ca2／3Sr1／3）2／3MnO3薄膜结构及输运特性的研究

采用PLD法在LaAlO3（012）单晶衬底上外延生长了高、双掺杂La1/3（Ca2，3Sr1/3）2，3MnO3（LCSMO）薄膜。薄膜的x射线衍射谱表明，薄膜具有铫钛矿赝立方结构，且具有（012）方向的择优取向：用原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了分析，发现薄膜表面相对比较平坦；在密封的液氮杜瓦瓶里用四探针法对薄膜的输运特性进行了测试，电阻一温度试验曲线表明，在温度77K～400K的范围内薄膜呈现类半导体特性，没有金属一绝缘体转变温度（TM1）出现；薄膜的红外透射谱在606cm。处宵一个很强的吸收峰，由红外透射谱计算出光学能隙氏。。大约为0．7eV，薄膜的光学折射率为1．373。分析认为LCSMO薄膜的类半导体特性是由于A离子半径变化引起晶格畸变造成的。     

Magnetic held dependence of elastic modulus and resistance in La2/3Ca1/3MnO3

We have measured the magnetic field dependence of the anelastic modulus and the electric resistance of a ceramic sample of the magnetoresistant perovskite La_2/3Ca_1/3MnO₃ around the metal–insulator transition by the vibrating reed technique (2.5 KHz). Previous work [1] showed that the modulus becomes higher while the internal friction has a peak at the transition temperature (T_c=262 K). In this work, improvements made on the equipment allowed us to measure at constant deformations (<10⁻⁵) and magnetic fields up to 4500 Gauss. We made isothermal measurements of internal friction, modulus and resistance as a function of an applied magnetic field. We found that most of the changes induced by the magnetic field take place in a few degrees (almost 5 K) near the transition temperature where the changes in resistance are more important. Up to the highest magnetic field applied, we found 3% maximum variations of the modulus and no hysteresis while cycling the magnetic field. We suppose that the experiment is placed in the linear response of the inverse Wiedemann effect [2], due to the small deformations used, and that the ferromagnetic domain structure is responsible for the observed effects. Some additional measurements are needed (magnetic hysteresis loops) to be compared with our results.