三相电容器的一种晶闸管开关

提出用三个晶闸管组成容性负载三相开关，用作功率因数补偿。与机械开关相比，避免了对电网的冲击；与反并联晶闸管三相开关相比，元件少用１／２，触发电路随之简化。     

阳极电压触发的晶闸管三相电子开关

阳极电压触发的晶闸管三相电子开关ＴｈｙｒｉｓｔｏｒＴｈｒｅｅｐｈａｓｅＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＳｗｉｔｃｈＴｒｉｇｇｅｒｅｄｂｙＡｎｏｄｅＶｏｌｔａｇｅ广州石油化工总厂周华（广州５１０７２６）华南理工大学张琳（广州５１０６４１）针对晶闸管三相电子开关,...     

晶闸管交流开关带变压器负载的触发控制

本文分析了晶闸管交流开关带变压器负载时,不同触发角对激磁电流及变压器基本磁通建立的暂态过程的影响。利用软件与硬件电路相结合,实现了通电的第一半周α=π/2,此后各半周α≥(?)的控制方式,并有效地消除了剩磁的影响,从而抑制了接通时的电流冲击。     

IGCT和IEGT——适用于STATCOM的新型大功率开关器件

硬驱动概念的出现极大地改进了门极可关断晶闸管（ＧＴＯ）的关断性能,并导致了集成门极换向型晶闸管（ＩＧＣＴ）的出现。ＩＧＣＴ在ＧＴＯ技术的基础上,采用新技术集成了硬驱动门极驱动电路及反并联二析管。使器件不需关断吸收电路、可靠性更高、工作频率更高、易于串联工作．电子注入增强门极晶体管（ＩＥＧＴ）是东芝公司于１９９３年开发出的一代电力电子器件。它具有通态压降低、门极驱动简单、开关损耗小、串联运行容易等诸多优点。ＩＧＣＴ和ＩＥＧＴ的将逐步取代ＧＴＯ广泛应用于中等电压大容量变流器中,文中简要地介绍了ＩＧＣＴ和ＩＥＧＴ的基本结构、工作原理、性能比较,以及在静止补偿器和逆变器中的应用情况。     

晶闸管和触点开关组成的高速开断限流装置

一、前言随着信息化时代的到来,电能源已向动力、电子、信息等社会各个领域提供服务和发展,因此对供电的可靠性、稳定性提出了更高的要求。用电规模的扩大也导致电网容量的急剧     

晶闸管有载分接开关

介绍了一种晶闸管有载分接开关的运行原理、结构组成及其控制保护,展望了该种分接开关的发展前景。     

用接触器和晶闸管组成的混合开关切换三相电容器

对三相无功补偿电容的切换，本文提出了用小电流晶闸管和普通接触器组成无弧接触器，用简单的触发电路使接通时冲击电流，分断时无电弧，而且成本很低。     

带过零触发电路的晶闸管交流开关模块

介绍了晶闸管交流开关模块的结构，技术参数和应用领域，说明了模块的过电流与过电压保护的方法以及散热器的选择。     

带过零触发电路的晶闸管交流开关模块

一、前言 自50年代发明晶闸管以来,由于它结构简单,使用方便和性能稳定可靠,已大量用于国民经济各领域.目前,晶闸管的制造工艺和应用技术已相当成熟,正向着体积更小、重量更轻、结构更紧凑、可靠性更高、内部接线电路各异和功能不同的模块化方方向发展,也出现了把移相触发系统、保护系统和晶闸管芯片混合集成在同一外壳内的,各种所谓的"晶闸管智能模块".     

一种小型交流发电机短路试验用晶闸管开关

交流发电机三相短路试验对三相接通时间差要求严格，而一般开关和交流接触器不能保证三相同时接通。文章针对此一问题，提出一种晶闸管开关，能满足三相接通时间差的要求。并且还能用来进行其他形式的短路试验。     

一种可控避雷器的晶闸管开关介绍与应用

针对电力系统中的过电压问题,对过电压保护装置进行分析,设计了一种可控避雷器的晶闸管开关,充分利用了电压过零触发、电流过零切除、开关无触点、响应速度快等晶闸管特性。和机械断路器相比,晶闸管开关的操作寿命几乎是无限的,而且晶闸管的投切时刻可精确控制,以减少投切时的冲击电流和操作过电压。通过仿真和各项试验,充分验证了晶闸管开关系统的稳定性、可靠性和安全性,为过电压保护装置结构提供一种设计方法。     

基于SABER仿真模型的低压复合开关热特性分析

以多路集成复合开关为研究对象,通过建立热模型计算复合开关的临界参数并提高设备的稳定性.SABER仿真模型主要用来分析不同负载条件下复合开关中双向晶闸管温度变化情况,仿真结果可以优化磁保持开关和双向晶闸管的通断控制策略,并且可以为开发大规模集成型复合开关提供帮助.     

适用于多种晶闸管主电路的单片机触发器

用8031单片机构成一个可对多种类型晶闸管电路进行触发控制的装置。8031的内部资源的作用得以充分发挥 ,使多种交、直流晶闸管主电路都从本电路得到满意的控制信号。     

大功率直流晶闸管开关设计及其可靠性分析

对EAST托卡马克极向场电源系统的关键设备之一——大功率直流快速晶闸管开关设计进行了详细介绍，如主电路方案设计、换流回路优化设计、保护电路设计、充电机设计等；从提高晶闸管开关运行可靠性（包括关断可靠性、开通可靠性、通态和断态可靠性等）的角度结合仿真分析了各设计要点的必要性，并提出了进一步改进的措施。调试与试验结果证明了上述设计与分析工作的正确性。     

基于晶闸管开关特性的SVC传导干扰仿真模型

为分析和预测由静态无功补偿器(SVC)产生的高频传导电磁干扰,基于晶闸管的动态开关特性,给出了SVC传导干扰仿真的建模方法,它以非线性时变电阻作为晶闸管宏模型的内核,建立含有晶闸管控制电抗器(TCR)支路与晶闸管开关电容器(TSC)支路的SVC仿真模型。模型中晶闸管的动态开关特性由非线性时变电阻阻值的变化来表示。此外,为提高传导干扰预测水平,在仿真模型中还加入了测量传感器的幅频特性校正算法。通过增加一阶导数信息,该校正算法改进了复向量拟合法,以进一步提高拟合精度。SVC传导干扰的仿真结果与现场实测数据相比具有相似性,表明晶闸管的动态开关特性是导致高频传导干扰的主要原因。