1995～2010年VLSI/ULSI对原始硅材料的要求

１９９５～２０１０年ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ对原始硅材料的要求１９９５０３５μｍ１９９８０２５μｍ２００１０１８μｍ２００４０１３μｍ２００７０１０μｍ２０１０００７μｍ晶片直径（ｍｍ）（Ａ）２００２００３００３００４００４００规格参数（在９５...     

1．45μm及1．47μm半导体激光器泵浦的掺铒光纤放大器实验研究

利用１．４７μｍ及１．４５μｍ半导体激光器泵浦的掺铒光纤放大器进行了实验研究。结果表明，用１．４５μｍ半导体激光器泵浦掺铒光纤也能对信号光放大。用１．４５μｍ和１．４７μｍ半导体激光器双向泵浦掺铒光纤，获得了２７ｄＢ的增益。     

单片机在激光工件台中的应用

本文介绍单片机在双频激光干涉工件台位置显示和微动控制中的应用，由于采用单片机使激光工件台位置显示精度高，微动控制简单、可靠。显示分辨率０．０１μｍ，位置测量精度０．０２μｍ，测量最大距离３３０ｍｍ，（实际距离１００ｍｍ），微动距离５μｍ、１０μｍ、５０μｍ、１００μｍ四档。     

离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究

本文详细地分析了离子注入掺铒硅的光致发光谱，有５个发光峰分别位于１．５３６μｍ、１．５５４μｍ、１．５７０μｍ、１．５９８μｍ和１．６４０μｍ，其中１．５３６μｍ发光峰最强．结合背散射谱，认为其有效的发光中心为处于Ｔｄ对称中心的填隙铒Ｅｒ３＋离子．在Ｅｒ与Ｏ、Ｎ、Ｃ共掺样品应分别存在Ｅｒ－Ｏ、Ｅｒ－Ｎ和Ｅｒ－Ｃ发光中心，其对应的ＰＬ发光峰分别为１．５７０μｍ、１．５３６μｍ和１．６０８μｍ．     

微间隙气体放电击穿过程分析

为了对微米尺度气体间隙下放电击穿过程进一步研究,在大气压空气环境下进行了电极间距为1μｍ~ 100μｍ 的直流击穿实验,绘制了击穿电压曲线与Paschen曲线对比,针对1μｍ~ 10μｍ击穿电压偏离Paschen曲线进行分析,通过推导计算,得出在1μｍ~ 10μｍ时随着外加电压的增加,阴极较高的离子数密度将会产生较高的附加电场,附加电场随着电极间距的增加而减小,从而在微间距下存在较强的离子增强效应,最后,结合离子增强效应二次系数γ′与Townsen二次系数 γ的比值,γ′/γ随电极间距d的变化曲线得出,1μｍ~ 5μｍ 时,放电过程是由离子增强效应场发射主导发生,且随着间距增大离子增强效应逐渐减弱,在10μｍ~ 100μｍ时,击穿电压的变化基本符合Paschen曲线,其放电过程可以用汤森雪崩理论解释。     

多模干涉导波Si_(1-x)Ge_x/Si波分复用器

利用多模干涉自成象原理分析设计了具有较小循环周期比的１．３μｍ与１．５５μｍ波长的Ｓｉ０．９６Ｇｅ０．０４／Ｓｉ波分复用器．通过模的传播分析法对其传输特性进行分析发现，在８μｍ的耦合区宽度和１１５０μｍ的最佳耦合长度，这种器件对１．３μｍ和１．５５μｍ波长光的对比度均在４０ｄＢ以上，且插入损耗小于４e－３ｄＢ．     

超荧光光纤光源的工作特性

研制了一种激光二极管泵浦的掺钕超荧光光纤光源,在波长１．０８μｍ处获得了１．０ｍＷ的光功率输出,谱线宽度为２１．２ｎｍ,实验中使用的是掺钕单模光纤,芯径５μｍ,截止波长１．０μｍ,其损耗在泵浦波长０．８μｍ处为１５００ｄＢ／ｋｍ,而在输出波长１．０８μｍ处为１０ｄＢ／ｋｍ。     

1.3μm光通信系统用掺Pr光纤放大器的开发现状

１．３μｍ光通信系统用掺Ｐｒ光纤放大器的开发现状阎永志掺加稀土类离子的光纤放大器，噪声系数低、增益高、饱和输出范围大，是以干线系统为中心的光通信系统的关键部件。１．３μｍ和１．５５μｍ波段同为石英光纤零色散波段，均为光通信广泛采用。１．５５μｍ波段在...     

0．05μmCMOS晶体管

０．０５μｍＣＭＯＳ晶体管据《ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ》１９９５年第２期报道，日本松下电器的半导体研究中心已研究出制造０．０５μｍＣＭＯＳ晶体管的一套技术。该技术可制作０．１μｍ以下的ＰＭＯＳ，实现０．０５μｍＣＭＯＳ。门延迟时间达到１３...     

重复频率40Hz高能量倍频调Q Nd：YAG激光器

在对圆棒形ＹＡＧ棒内热效应进行详细分析的基础上，报导了一种闪光灯泵浦、调Ｑ倍频ＹＡＧ激光器。当重复频率为４０Ｈｚ时，１．０６４μｍ最大单脉冲能量为４６２ｍＪ，０．５３２μｍ最大单脉冲能量为２５０ｍＪ；当每秒一次工作时，０．５３２μｍ激光能量为３８０ｍＪ／脉冲，倍频效率大于６９％。     

固体激光器被动Q开关技术的进展

本文综合论述了固体激光被动调Ｑ技术的现状与相关材料的进展。注要有用于１μｍ波段的各种被动的调Ｑ技术以及用于１．５４μｍ及２μｍ波段的各种最新被动调Ｑ技术。     

大功率波分复用器

大功率波分复用器加拿大的ＯＺＯＧｔｉｃｓ研制成功新型的大功率波分复用器。它不仅适用于０．９８μｍ、１．５５μｍ渡长的复用，而且也适用干ｌ．３μｍ和１．５０μｍ波长的复用。这种波分复用器可以承受３Ｖ的光功率，其插入损耗为０．７ｄＢ，后向反射＜－６０Ｂ，...     

1.3μm和1.55μm Si_(1-x)Ge_x波长信号分离器与Si_(1-x)Ge_x/Si应变超晶格探测器的集成

对１．３μｍ和１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ波长信号分离器（ＷＳＤ）和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ应变超晶格（ＳＬＳ）红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计．优化结果为：（１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘＷＳＤ，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５．波导的脊高和腐蚀深度分别为３μｍ和２．６μｍ．对应于λ１＝１．３μｍ和λ２＝１．５５μｍ波长的波导脊宽分别为１１μｍ和８．５μｍ．（２）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／ＳｉＳＬＳ探测器，Ｇｅ含量ｘ＝０．５．探测器的厚度为５５０ｎｍ，由２３个周期的６ｎｍＳｉ０．５Ｇｅ０．５＋１７ｎｍＳｉ组成．     

0.5μm光刻采用大数孔径i线步进机

采用几种实用ｉ线抗蚀剂０．４８ＮＡｉ线５×镜头具有０．５μｍ线间对成像能力，焦深大于１μｍ。这种镜头与０．４０ＮＡ的ｉ线镜头对比，０．４０ＮＡ的ｉ线镜头对于≥０．７μｍ的线间对图形具有较好的焦深，而０．４８ＮＡｉ线镜头对于〈０．４７μｍ的线间对图形具有较好的焦深，并且可将截止分辨率延伸到０．３５μｍ。并探讨了这种镜头吸热效应的相对不灵敏性和这种镜头内Ｈｅ气体的过压作用。假设模拟制作了０．５μｍ线间     

1μm宽硅深槽刻蚀技术

介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响刻蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现１μｍ宽的硅深槽刻蚀工艺途径；并给出了１μｍ宽、８μｍ深、侧壁及底部光洁的硅深槽刻蚀工艺条件。     

低压MOCVD外延生长InGaAsP／InP应变量子阱材料与器件应用

本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阶材料，材料参数与外延条件的关系，量子阱器件的结构设计及其器件应用．用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于４００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值７～１２ｍＡ的１．３μｍ量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于６００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值９～１５ｍＡ的１．５５μｍ量子阶激光器以及高功率１．３μｍ量子阱发光二极管和ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器．     

机载红外诱铒弹光谱辐射特性研究

描述了机载红外诱铒弹的光谱辐射特性,给出了１．３－３μｍ,３－５μｍ,８－１４μｍ波段的光谱辐射曲线及时域性曲线,对红外诱耳弹的对抗特性及其改进方法进行了分析。     

钛宝石激光泵浦的1.06μm和1.34μm高效连续掺钕氟钒酸锶激光器

利用钛宝石激光作为泵浦源,实现了掺钕氟钡酸锶（ＮｄＳＶＡＰ）晶体在１．０６μｍ和１．３４μｍ的高效连续激光运转。在１．０６μｍ和１．３４μｍ处得到的最低泵浦阈值分别为２ｍＷ和２．４ｍＷ,最高斜效率分别为４９．４％和３７．４％,最大输出功率分别为３３６ｍＷ和１６５ｍＷ。     

可调谐环形单模光纤激光器

本文介绍掺饵光纤形成的环形单模光纤激光器。当使用１．４８μｍ半导体激光器作泵浦源时，可调谐谱宽可达３０ｎｍ（从１．５３μｍ到１．５６μｍ），最大输出功率＞１ｍｗ，带宽＜２ｎｍ。     

0.5μm光刻采用大数值孔径i线步进机

采用几种实用ｉ线抗蚀剂，０４８ＮＡｉ线５×镜头具有０５μｍ线间对成像能力，焦深大于１μｍ。这种镜头与０４０ＮＡ的ｉ线镜头对比，０４０ＮＡ的ｉ线镜头对于≥０７μｍ的线间对图形具有较好的焦深，而０４８ＮＡｉ线镜头对于＜０７μｍ的线间对图形具有较好的焦深，并且可将截止分辨率延伸到０３５μｍ。并探讨了这种镜头吸热效应的相对不灵敏性和这种镜头内Ｈｅ气体的过压作用。假设模拟制作０５μｍ线间对图形的最佳数值孔径在０５～０５５之间，进而提出对０４μｍ线间对图形具有足够焦深，使得ｉ线光刻成为ＤＵＶ光刻技术生产６４ＭＤＲＡＭ器件时代的竞争者。