Cr,Tm,Ho：YAG晶体的光谱及其激光特性

本文报道１．０％Ｃｒ，６．０％Ｔｍ，０．４％Ｈｏ：ＹＡＧ晶体的吸收谱，荧光谱和该晶体的激光输出特性，用气压２×１０＾５Ｐａ的氙灯泵浦，频率１Ｈｚ，冷却水温１８￣２２℃，激光阈值为７３￣８４Ｊ，斜率效率为η＝２￣４％，单脉冲能量为１．４￣０．８Ｊ。     

S波段硅脉冲功率晶体管

报道了一种自对准T形电极结构的硅脉冲功率晶体管实验结果。在2GHz短脉冲工作条件下，该晶体管输出功率70W，增益8.5dB，集电极效率50％。     

S波段硅脉冲功率晶体管

报道了一种自对准Ｔ形电极结构的硅脉冲功率晶体管的实验结果。在２ＧＨＺ短脉冲工作条件下，该晶体管输出功率７０Ｗ，增益８．５ｄＢ，集电极效率５０％。     

8mm回旋速调管的模拟设计与实验

设计了8mm波段回旋速调管，并进行了热测实验，在中心频率34GHz下，得到了最大脉冲功率172kW，最大平均功率大于2kW，增益31．9dB，电子效率23．4％，3dB带宽280MHz，     

2．6～2．8GHz100W硅微波脉冲功率晶体管

研究并制造了2．6～2．8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25％、增益7dB、效率35％的硅微波脉冲功率晶体管。本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术，给出了研制结果。     

脉冲功率器件直流和动态热特性探测

介绍了针对影响微波脉冲功率器件可靠性的热性能问题，应用红外热分析技术。对比探测微波脉冲功率器件在动态和直流状态下的温度分布，峰值结温，热阻及其变化规律。     

540—610MHz脉冲输出150W功率晶体管

采用芯片设计优化、工艺改进及内匹配等技术，研制出应用于工程的脉冲功率晶体管。该管宽频带，长脉宽，高占空比，带内增益平坦度为±０．５ｄＢ，集电极输出效率ηｃ≥５０％。     

540～610MHz脉冲输出150W功率晶体管

采用芯片设计优化、工艺改进及内匹配等技术，研制出应用于工程的脉冲功率晶体管．该管宽频带（５４０～６１０ＭＨｚ），长脉宽（５０μｓ），高占空比（１５％），带内增益平坦度为±０．５ｄＢ，集电极输出效率ηｃ≥５０％。     

面向PKCS的两种大数模运算算法的测试与分析

比较分析了两种面向ＰＫＣＳ的快速模运算算法－单表制算法和双表制算法，给出了这两种算法的时空复杂性。着重对这两个算法进行了对比测试。结果表明：双表制算法较单表制算法提高效率３０％￣５０％，同时双表制算法以递推方式建立预计算表提高了预计算效率１８０％￣４９０％，为公钥动态管理提供便利；以大数运算在ＲＳＡ中的应用为例，比较分析出采用双表制算法的加／解密模运算过程较单表制算法的过程提高效率２０％￣５０％。     

一种Ku波段固态发射机的设计

介绍一种Ku波段固态发射机的设计,本发射机是脉冲工作,采用了功率合成,输出脉冲功率45w,工作比为20％.     

脉冲功率电容器的应用和发展

介绍了国内外脉冲功率电容器的应用和研制现状,重点介绍了高储能密度电容器介质材料和脉冲功率电容器的性能参数,指出了今后需要解决的主要问题,总结了脉冲功率电容器的发展趋势,提出了发展我国脉冲功率电容器的建议。     

端镜面镀膜对具有DC—PBH结构的MQW—LD光电性能的影响

报告了具有ＤＣ－ＰＢＨ（双沟平面掩埋异质结构）的ＭＱＷ－ＬＤ（多量子阱激光器）端镜面镀膜对阈值电流Ｉｔｈ和激射波长γｐ的影响。指出：端镜面镀高反射膜ＨＲ（反射率Ｒ２＝７５％￣９０％），Ｉｔｈ可降低３．８￣５．１ｍＡ，γｐ加长４ｎｍ左右；端镜面镀增透膜ＡＲ（反射率Ｒ１＝１０％￣１５％），Ｉｔｈ将增加３ｍＡ，波长变化趋势不明显。分析和讨论了导致这些变化的物理机理。实验结果和理论计算基本一致。     

S波段5kW环圈行波管

本文介绍环圈结构的特性和整管的设计。所研制的Ｓ波段环圈行波管在２．３－２．７ＧＨｚ频率范围内脉冲功率大于５．５ｋＷ，饱和增益大于３９ｄＢ，电子效率大于２０％。该管的性能参数和尺寸满足了技术指标的要求。     

精密波形发生器ICL8038

ＩＣＬ８０３８为单片波形发生器集成电路，可产生正弦波、三角波、锯齿波和方波等常用波形，产生的信号频率范围为０．００１Ｈｚ￣３００ｋＨｚ，占有空比可在２％￣９８％之间变化，ＩＣＬ８０３８也可用作调频信号调制，本文介绍了其内部结构、工作原理、使用方法，并给出了一些应用实例。     

基于半导体断路开关的脉冲功率源及其应用

半导体断路开关效应的发现促进了能连续重复频率运行的半导体断路开关和基于这种开关的高平均脉冲功率源的发展和应用,与其它应用于脉冲功率源的传统器件相比,基于SOS的脉冲功率源更简单、可靠,其脉冲重复频率可达到kHz。介绍了SOS和基于SOS的脉冲功率源的基本工作原理和特性,并总结了基于SOS的脉冲功率源最新的研究进展和应用。     

反向开通半导体开关RSD在中小功率TEACO2脉冲激光器中的应用

根据TEACO2脉冲激光器的应用特点，用一种新型的反向开通半导体开关RSD代替常用的三电极球隙开关进行脉冲功率转换，理论分析和实验表明，RSD寿命较长达到10E9，最大重复频率可以达到3kHz，在激光打标等中小功率应用场合完全可以替代球隙，是一种相当有发展潜力的脉冲功率开关。     

高性能5μm640×480蓝宝石衬底碲镉汞焦平面阵列

已研制出一种高性能５μｍ６４０×４８０蓝宝石衬底的ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／Ａｌ＿２Ｏ＿３红外焦平面阵列（ＦＰＡ），在低于１２０Ｋ温度下，它有全电视兼容分辨率和优良的灵敏度．在９５Ｋ工作温度和１０￣（１４）光子数ｃｍ￣（－２）Ｓ￣（－１）的背景通量下，平均焦平面阵列Ｄ￣＊受背景限制，其值约为１×１０￣（１２）ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１），典型的平均量子效率为６０％～７０％。制造这种大面阵、高灵敏度器件的关键工艺，是在有稳定的ＣｄＴｅ缓冲层的蓝宝石衬底上，外延生长ＨｇＣｄＴｅ材料。在低于或等于１２０Ｋ的工作温度和３．４～４．２μｍ的波段内，相机的平均噪声等效温差ＮＥ△Ｔ为０．０１３Ｋ；该值比目前可实用的ＰｔＳｉ焦平面阵列相机的高一个数量级，而ＰｔＳｉ焦平阵列相机要求制冷到低于或等于７７Ｋ，才能保持其性能。     

移动通信技术中射频脉冲功率的测量方法

做好移动通信技术中射频脉冲功率的测量工作对于提高移动通信的质量以及效率有着非常重要的意义,事实上关于射频脉冲功率的测量方法有很多种,其能够有效地实现对于移动通信技术中相关信号脉冲参数的精确以及标准测量,但是值得注意的是当前针对射频脉冲功率的测量方法以及其测量成果中仍然缺少对于信号连贯性以及追溯性的测量,这不得不说是当前移动通信技术中射频脉冲功率测量的一项重要缺失内容。文章将尝试针对移动通信技术中射频脉冲功率的测量工作提出一种新的测量方法,有效地完成相应测量结果的同时完成对相关射频脉冲功率可追溯性的测量工作,有效地查找出射频脉冲功率信号发生器的相关性能以及其测量过程中的峰值功率大小。     

Ku波段脉冲耿氏振荡器

文章描述了脉冲耿氏管、微波电路和脉冲调制器的结构和设计原则;给出了Ku波段脉冲耿氏振荡器的研制结果:在13～15GHz范围内,脉冲功率大于5W,工作比≤1％,最大效率为5％。     

纤维复合镍电极的研究

总结了过去对镍电极容量性能研究取得的成果和存在的问题，介绍了纤维复合镍电极的制作工艺，即纤维复合镍基体成型，烧结和电化学浸渍。研究了纤维复合镍电极的电化学性能，并探讨了它的活化机理；研究结果发现纤维复合镍电极的体积比容量为１２５￣１７５ｍＡＨ／ｃｍ＾２重量比容量为２５０￣３４０ｍＡＨ／ｇ，与粉末烧结式镍电极相比，重量比容量提高６６％￣７２％，体积比容量相近，最后还介绍了理论研究用的纤维复合镍电极。