提高GaAs晶体质量的一种重要手段

在ＣＺ法晶体生长工艺中引入磁场是一门新技术，它使得生长高质量大直径单晶成为可能。本文介绍了纵向磁场和横向磁场对ＧａＡｓ晶体质量的影响，重点介绍了对熔体中的温度波动、晶体中的生长条纹、ＥＬ２和电阻率分布等的影响。这门技术目前在国际上得到了广泛的应用。     

磁场中布里曼法生长碲镉汞晶体的缺陷腐蚀分析

用化学腐蚀方法研究了磁场中布里曼法生长碲镉汞晶体的位错和亚晶界，在施加磁场的样品中观察到分布较为均匀的位借和较少的亚晶界，这可能是由于在生长过程中施加了磁场对组分分凝和组分过冷起到了一定的抑制作用。     

磁场中布里奇曼法生长碲镉汞晶体的缺陷腐蚀分析

用化学腐蚀方法研究了磁场中布里奇更法生长碲镉汞晶体的位错和亚晶界，在施加磁场的样品中观察到分布较为均匀的位错和较少的亚晶界，这可能是由于在生长过程中施加了磁场对组分分凝和组分过冷起到了一定的抑制作用。     

基于磁光晶体的光纤三维磁场传感器研究

光纤磁场传感器具有抗干扰能力强、小型化、低成本等技术优势。为了实现对空间磁场矢量的测量，基于磁光晶体提出了一种光纤三维磁场传感器。然后，设计和构建了光纤三维磁场传感器传感探头，搭建了光纤三维磁场测量系统。分析基于磁光晶体光纤三维磁场传感器的非正交误差，通过对基于磁光晶体的光纤三维磁场传感器三个传感单元两两夹角的准确测量，对系统三轴非正交误差进行标定补偿。实验测试装置利用一对通电线圈构建一维磁场对光纤三维磁场传感器系统进行三维正交标定，三轴标定精度分别为0.19°、0.26°和0.22°。实验结果表明，该基于磁光晶体光纤三维磁场传感器可实现0.2μT磁场强度分辨率和0.5°角度分辨率的磁场矢量测量。     

氟化钙(CaF2)晶体研发进展

简述了氟化钙(CaF2)晶体的发展历史．总结其光学特性，介绍了氟化钙晶体的生长新工艺技术和发展。综述了氟化钙晶体在现代信息技术中的应用，特别对氟化钙晶体在紫外波段激光或光刻系统中的应用和发展状况作了重点说明，同时进一步指出了目前存在的问题，最后对氟化钙晶体的发展前景作了展望。     

VGF法生长半导体晶体的研究进展

VGF法可实现晶体生长条件可控,晶体重复性好,所生长晶体尺寸大、位错密度低、应力小,是一种很有前景的晶体生长方法。本文综述了VGF法生长半导体晶体、数值模拟和磁场应用的国内外研究进展。     

外延衬底用CdZnTe晶体进展

文中简要介绍了ＣｄＺｎＴｅ晶体用作ＨｇＣｄＴｅ外延衬底的优点和国内外研究的现状，概括了ＣｄＺｎＴｅ晶体的生长方法及其特状，概括了ＣｄＺｎＴｅ晶体的生长方法及其特点，总结了影响ＣｄＺｎＴｅ晶体生长和晶体质量的因素，提出ＣｄＺｎＴｅ晶体生长中存在的问题和改善晶体质量的措施。     

光子晶体光纤陀螺技术

介绍了光纤陀螺在实际应用过程中的环境适应性问题,并从光子晶体光纤的结构特点出发,总结了光子晶体光纤的独特应用优势,指出将光子晶体光纤应用于光纤陀螺中可很好地解决温度、磁和辐射敏感等问题.通过实验研究,验证了实心保偏光子晶体光纤的损耗、模式特性,以及温度、磁场和核辐射对此种光纤的影响.同时,研究开发了它与传统保偏光纤的熔接对轴技术,熔接点损耗和偏振串音达到0.7dB和-25dB.在此基础上,研制出光子晶体光纤陀螺样机,陀螺零漂达到0.09(°)/h.研究和对比表明:在光纤陀螺中用光子晶体光纤代替传统的光纤,在减小温度、辐射、磁场的影响和进一步提高光纤陀螺性能方面具备很大的潜力.     

在磁场中的Bridgman—Hg1—xCdxTe晶体生长数值模拟研究

结垂直Ｂｒｉｄｇｍａ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体和平共处和数值模拟方法研究了与晶锭轴同方向的恒定磁场对熔体中温度场，流场，浓度场及ｓ－１界面产生的影响，介绍了边界条件的处理方法。     

300mm硅单晶的生长技术

讨论了300mm硅单晶的工艺控制,分析了拉晶工艺、热屏及磁场对晶体质量的影响。合理的工艺参数是拉制无位错单晶的前提,热屏和磁场的应用有效地控制了晶体的氧含量和微缺陷。     

300mm硅单晶的生长技术

讨论了 30 0 mm硅单晶的工艺控制 ,分析了拉晶工艺、热屏及磁场对晶体质量的影响。合理的工艺参数是拉制无位错单晶的前提 ,热屏和磁场的应用有效地控制了晶体的氧含量和微缺陷     

生长条件对KDP晶体中散射颗粒的影响

利用透射电子显微技术对不同条件下生长的KDP晶体中包裹物进行了观察并测量了其相应尺寸。结果表明，晶体中的生长缺陷、pH值、生长速度和杂质与KDP晶体散射颗粒的形态存在密切关系。     

新型闪烁晶体PbWO4的研制

报道了ＰｂＷＯ４晶体的生长，研究了原料的纯度以及晶体生长工艺对晶体质量的影响。测试了晶体的光学性能和闪烁性能，生长出优质的ＰｂＷＯ４晶体。     

激光晶体钇铝石榴石生长工艺及质量等方面的几个问题

一、工艺方面的问题几年来,围绕着“热场”问题大家做了许多工艺方面的科学试验。与会同志分别介绍了静态温度分布对生长YAG单晶的影响及温度梯度测定的数据,不同形式坩埚对热场影响的实验,热场、生长速率、晶体转数与晶体质量的相互作用关系。一般认为,热场是拉晶工艺诸因素中的主导因素之一,这里重点介绍热场问题的一些情况,其他工艺问题则简略提一下。     

Nd~(3+):YAP晶体光学均匀性的改进

用引上法生长的掺杂氧化物晶体,通常都具有核心的缺陷.由于核心中杂质的浓度较高,而引起的化学应力直接影响了材料的光学均匀性.关于核心形成的机理及其消除方法已有人从理论和生长工艺上进行了探讨,其中[5,6]对Nd~(3+):YAG和GGG晶体中核心的研究较为详细.关于Nd~(3+):YAP晶体中的核心,M.J.Weber及P.Korozk等人有一些简单的介绍,至于核心对材料光学均匀性的影响及在生长工艺上的消除都还未见有报导.消除核心对获取大直径光学均匀的Nd~(3+):YAP激光棒也有一定的实际意义,本文介绍了生长b轴Nd~(3+):YAP晶体的热场条件以及在消除b轴、c轴晶体中的核心,改善Nd~(3+):YAP晶体光学均匀性时得到的一些实验结果.     

β—BaB2O4单晶的生长及特性

介绍了高质量β－ＢａＢ２Ｏ４单晶的生长，着重于直拉生长法，以及这种晶体的特性。另外，还说明了起始材料的制备方法和生长条件对获得β相单晶的影响。     

生长过程中采用强磁场改进半绝缘LEC GaAs和InP晶体的均匀性

我们研究了磁场强度对诸如C/GaAs、In/GaAs、Fe/GaAs晶体的杂质分布以及对LEC GaAs、InP单晶的原生缺陷、半绝缘特性的影响。根据这些结果,以数字模拟为基础,我们采用程控磁场LEC技术论证了沿生长轴向杂质分布的可控性。     

晶格热振动对磁场中半无限极性晶体内表面磁极化子自陷能的影响

采用Huybrechts的线性组合算符法和变分法 ,研究了晶格热振动对磁场中半无限极性晶体内电子与表面光学 (SO)声子强耦合、与体纵光学 (LO)声子弱耦合体系的影响 ,得到了作为距离晶体表面的深度、磁场和温度函数的表面磁极化子的自陷能 .对AgCl晶体进行了数值计算 ,结果表明 ,不同支声子与电子相互作用对表面磁极化子自陷能的贡献以及它们随距离晶体表面的深度、磁场和温度变化的情况大不相同 .     

勾形磁场下直径300mm CZ Si熔体中氧浓度分布的数值模拟

采用低雷诺数Ｋ-ε紊流模型，考虑自然对流、晶体旋转和坩埚旋转等因素，对晶体直径为300mm，磁场强度变化范围在0～0.12T条件下，熔体硅内流场及氧的浓度分布、磁场分布等作了数值模拟．计算中采用有限体积法，运用SIMPLE(semiimplicit method for pressure linked equations)算法耦合压力和速度场，动量方程、能量方程中对流项的离散采用QUICK(quadratic upwind interpolation of convective kinematics)格式，紊动能和耗散项方程中对流项的离散采用迎风格式．数值模拟结果表明，在勾形磁场作用下，熔体硅内的流场、氧的浓度分布与无磁场作用相比有较大不同，随着磁场强度的增加，生长界面处氧的浓度降低，并且磁场确实能有效地抑制熔体内的紊流，有利于晶体生长．     

β－BaB_2O_4单晶的生长及特性

介绍了高质量β－ＢａＢ＿２Ｏ＿４单晶的生长，着重于直拉生长法，以及这种晶体的特性。另外，还说明了起始材料的制备方法和生长条件对获得β相单晶的影响。