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采用化学束外延(CBE)技术,以三乙基镓(TEG)和砷烷(AsH3)为源,在Si(001)衬底上生长GaAs薄膜.利用Hall效应、卢瑟福背散射(RBS)和高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)检测了外延层的质量.结果表明,GaAs薄膜具有n型导电性,载流子浓度为1.3×1015cm-3,其杂质估计是Si,它来自衬底的自扩散.外延层的质量随着膜厚的增加而得到明显的改善.在GaAs/Si界面及其附近,存在高密度的结构缺陷,包括失配位错、堆垛层错和孪晶.这些缺陷完全缓解了GaAs外延层和Si衬底之间因晶格失配引 相似文献
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(001)GaAs衬底上异质外延的立方GaN薄膜与界面 总被引:7,自引:3,他引:4
用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学气相沉积(ECR-PAMOCVD)法,在低温条件下,在(001)GaAs衬底上异质外延,生长了立方晶GaN薄膜.高分辩电镜(HREM)观测与X射线衍射(XRD)测量结果表明:GaN薄膜具有典型的闪锌矿结构;三种方法测得其晶格常数为0.451~0.457nm;在GaN/GaAs界面处的生长模式为异质外延;GaN薄膜中的位错主要为堆垛层错与刃形位错;随着远离界面,GaN中位错密度与镶嵌组织迅速减少. 相似文献
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对在GaAs(001)、Al2O3(0001)和Si(111)等衬底上MOCVD技术生长的GaN薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较,观察到了α相GaN的A1(LO)模、A1(TO)模、E1(LO)模和E2模.结合X射线衍射谱,分析了因不同生长工艺导致GaN/GaAs样品的不同结构相的喇曼谱的差异,发现GaN的喇曼谱与GaN外延层的结构相、完整性及工艺条件有关,可利用其作为检测GaN外延层结构特性的一种有用手段.对含有少量β相GaN样品,观测到了包含有β相GaN贡献的声子模式(740cm-1). 相似文献
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国内首次报道用热壁外延(HWE)技术在(100)GaAs衬底上生长出Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te(111)薄膜。结果表明,薄膜在15~20μm厚时X射线双晶衍射回摆曲线半高宽在100弧秒以下,其位错腐蚀坑密度等于甚至小于10 ̄3cm ̄(-2)薄膜组分、层厚均匀,表面光亮如镜,质量达到国际先进水平,优于国内Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te块晶,是外延生长HgCdTe的理想替代式衬底。文章强调了生长前GaAs衬底,多晶源预处理的重要性。 相似文献
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用电流控制液相外延(CCLPE)方法首次在(100)InP衬底上成功地生长出In1-xGaxAsyP1-y(0.30<x<0.47,0.70<y<0.96)外延层,并对外延层特性进行了详细研究,提出在InP衬底上生长电外延层的机理,推导出生长动力学的理论模型,该模型与上述实验结果十分吻合。 相似文献
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采用无GaAs缓冲层,低温+常规的方法在G8As(100)衬底上进行了InSb薄膜的分子束外延(MBE)生长,测试了样品的双晶X射线衍射半峰宽(FWHM),电学霍尔(Hall)特性及红外透射谱。通过大量的实验发现。不生长0.5μmGaAs缓冲层,同样可生长出电学性能及红外透过率都较理想的样品,这可缩短材料的生长周期,降低生产成本,对将来器件的批量制作有一定的意义。 相似文献
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采用无GaAs缓冲层,低温+常规的方法在GaAs(100)衬底上进行了InSb薄膜的分析束外延(MBE)生长,测试了样品的双晶X射线衍射半峰宽(FWHM),电学霍尔(Hall)特性及红外透射谱。通过大量的实验发现:不生长0.5μmGaAs缓冲层,同样可生长出电学性能及红外透过率都较理想的样品,这可缩短材料的生长周期,降低生产成本,对将来器件的批量制作有一定的意义。 相似文献
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采用经验的紧束缚方法对生长在InxGa1-xAs(001)衬底上的应变薄层GaAs的电子能带结构进行了计算。应变对能带结构的影响按标度定则进行计算,其中标度指数根据对畸变势常数的实验值进行拟合而确定。给出了GaAs/InxGa1-xAs(001)能带结构随衬底合金组分x的变化关系,讨论了应变对能带色散关系的影响。 相似文献
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对在GaAs、Al2O3和Si等衬底上MOCVD技术生长的GaN薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较,观察到α相GaNl模,Al模El模和E2模,结合射线衍射谱,分析了因不同生长工艺导致GaN/GaAs样品的不同结构相的喇曼谱的差异,发现GaN喇曼谱与GaN外延层的结构相,完整性及工艺条件有关,可利用其作为检测GaN外延层结构特性的一种有用手段。 相似文献
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采用经验的紧束缚方法对生长在InxGa1-xAs(001)衬底上的应变薄层GaAs的电子能带结构进行了计算。应变对能带结构的影响按标度定则进行计算,其中标度指数根据对畸变势常数的实验值进行拟合而确定。给出了GaAs/InxGa1-xAs(001)能带结构随衬底合金组分x的变化关系,讨论了应变对能带色散关系的影响。 相似文献
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以ZnO为靶材,采用射频磁控溅射法,在衬底温度为450℃、混合气体压强为1.3Pa的条件下,在石英玻璃和抛光单晶硅衬底上沉积了一系列呈六角纤锌矿结构、沿(0002)晶面高度取向生长的ZnO薄膜.利用X射线衍射、四探针、原子力显微镜、吸收光谱和光致荧光光谱等实验分别对薄膜样品的晶体结构、表面形貌和光电特性进行了分析表征.结果表明,氮对ZnO薄膜的缺陷有明显的钝化作用,气体组分、溅射功率是影响ZnO薄膜沿C轴择优取向生长、结构特征和光电性质的重要因素. 相似文献
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GaAs衬底层选择性腐蚀技术 总被引:2,自引:1,他引:1
本文在GaAsGaAlAs选择性腐蚀的基础上进行了腐蚀GaAs衬底层获得GaA/GaAlAs外延层薄膜的二次腐蚀技术。最终选用了C3H4(OH)(COOH)3.H2O-H2O2系选择性腐蚀液和H2SO4-H2O2系腐蚀液,获得了快速,可控制,重复性好的可全部可局部去除衬底的腐蚀方法。 相似文献