采用三维光刻技术制造集成柔性微执行器

柔性微执行器（ＦＭＡ）是一种用于微型机器人上的新型橡胶气动执行器。本文报道了采用三维光刻技术实现了它的微型化和集成化。该项技术也称为成象技术。本文先对研制中出现的两个关键问题进行了讨论。其一是开发一种新的设计方案。该方案我们称之为“增压管束”的ＦＭＡ方案，这种方案的优势在于可通过光刻技术在单片材料上制造出ＦＭＡ，另一个关键问题是材料的选择，通常在准ＬＩＧＡ（光刻、电镀和铸造）工艺中应用的材料是硬化塑料。本文采用了一种新型的树脂材料，我们给出了实验数据来说明如何调整该树脂的组分以获得适当的槽侧壁形状和杨氏模量。本文展示了通过这种三维光刻技术获得的ＦＭＡ结构，包括它的制造设备，“增压管束”ＦＭＡ的弯曲移动行为、气动控制电路的集成化，以及一个５×５ＦＭＡ阵列，我们可以看到这个阵列能够移动一个置于其上的玻璃果盘     

全息光刻可以制造三维光子晶体

拟用于可见和红外区的三维光子晶体的制造，较其二维晶体困难得多。其制造技术包括常规光刻与全息光刻。已发展出各种方法以制造三维晶体，包括聚合物球的自装配和光刻图样层的堆叠。但是，用第一种方法制出的晶体头一个样品和下一个无法重复；第二种方法则要求逐层制作图样。现在，牛津大学Andrew Tuberfield和Bob Denning领导的一个组将全息光刻扩展至三维，在一次曝光中产生的三维晶体厚度可达80层。研究者使用发射355 nm光的Q开关三倍频Nd:YAG激光曝光厚10~60 mm的环氧树脂型光刻胶层。光刻胶旋涂到熔凝石英盘上，盘的折射率与厚玻…     

光刻与微纳制造技术的研究现状及展望

首先介绍了微纳制造的关键工艺技术——光刻技术。回顾了光刻技术的发展历程,介绍了各阶段主流光刻技术的基本原理和特点。阐述了国内外对光刻技术的研究现状,并讨论了光刻与微纳制造技术面临的挑战及其需要解决的关键性技术问题。然后重点介绍了浸没光刻、极紫外光刻、电子束光刻、离子束光刻、X射线光刻、纳米压印光刻等技术的概念、发展过程和特点,并对不同光刻技术的优缺点和生产适用条件进行了比较。最后结合国内外生产商、工程师和研究学者的研究成果,对光刻技术的未来发展做出展望。     

电子束三维光刻技术的研究

在IH(Integrated Harden Polymer Stereo Lithography)技术和电子束光刻技术的基础上提出了电子束微三维光刻技术新概念。对其实现方法的可行性进行了简要的理论分析，并使用SDV—Ⅱ型真空腔在约1．33Pa的真空下对环氧618、WSJ-202和苏州2号抗蚀剂进行了气化试验，得出了它们在真空中的气化实验结果，证明了电子束液态光刻的可行性。     

有助于集成光学的光刻技术

在使用相同的人力、财力和原料的情况下可以制造出更多的产品,在提高性能的同时减少单个组件的个数,使利用平板光刻技术制造的、用于光纤通信领域的光学组件更加经济有效.     

微透镜列阵成像光刻技术

介绍了一种利用微透镜列阵投影成像光刻的周期微纳结构加工方法.该方法采用商业打印机在透明薄膜上打印的毫米至厘米尺寸图形为掩模,以光刻胶作为记录介质,以微透镜列阵为投影物镜将掩模缩小数千倍成像在光刻胶上,曝光显影后便可制备出微米、亚微米特征尺寸的周期结构列阵.基于该方法建立了微透镜列阵成像光刻系统,并以制备800 nm线宽、50 mm×50 mm面积的图形列阵为例,实现了目标图形的光刻成形,曝光时间仅为几十秒,图形边沿粗糙度低于100 nm.该方法系统结构简单、掩模制备简易、曝光时间短;为周期微纳结构的低成本、高效率制备提供了有效途径.     

光刻技术在微电子设备的应用及发展

介绍了光刻技术在微电子领域的应用，具体分析多种短波长光刻技术的最新进展，并对在0．1μm之后用于替代光学光刻的下一代光刻技术的发展趋势作了展望．     

新型光刻技术研究进展

集成电路光刻作为传统光刻技术的典型代表，支撑着集成电路芯片的快速发展。新一代光刻技术具有工艺多样化、光刻精度高、光刻效率高的优点，在研发新型光电子器件、实现3维微纳结构、构建有序纳米孔通道等方面有很大的潜力。回顾了近些年来涌现的多种新型光刻技术，分析了各自的特征及在新型纳米电子、光子器件、能源、传感等领域中的应用。对未来光刻技术的发展方向进行了展望。     

电子束光刻制造软刻蚀用母板的研究

使用通用电子束曝光机,采用一种新的电子束微三维加工的重复增量扫描方式进行曝光实验,显影后得到轮廓清晰的微三维结构,以此为制作弹性印章的母模板,经硅烷化后可用来制作弹性印章,得到弹性印章后便可再利用软刻蚀相关技术进行微图形的复制.曝光实验的结论表明采用电子束重复增量扫描方式可用来制作微三维弹性印章的母版.     

光刻技术在微电子设备的应用及发展

介绍了光刻技术在微电子领域的应用,具体分析多种短波长光刻技术的最新进展,并对在0.1μm之后用于替代光学光刻的下一代光刻技术的发展趋势作了展望。     

负载刚度对电热微执行器输出性能的影响分析

针对微机电系统中电热微执行器和位移放大机构都具有柔性的事实,从理论上分析了作为负载系统的柔性位移放大机构对微执行器输出位移的影响,并用有限元方法对二者的工作性能进行了仿真.结果表明,电热微执行器外接负载的刚度和执行器本身刚度的比值是影响整个组合器件性能的重要因素.最后用深层反应离子刻蚀技术(DRIE)在硅隔离衬底(SOI)上加工了电热微执行器和柔性位移放大机构,并对其进行了测试,测试结果与有限元分析结果符合得很好.     

微立体光刻技术研究及应用

综述了国内外最近几年微立体光刻技术的研究进展。阐述了微立体光刻技术中的线扫描技术及面投影技术的基本原理及分类,分析了它们的技术核心并对相关参数进行了比较。简要阐述了微立体光刻技术在制造原型、微系统部件及微流体装置等方面的应用,最后,对该技术的发展前景作了展望。     

射频三维微纳集成技术

后摩尔时代,半导体技术的发展主要有延续摩尔（More Moore）和超越摩尔（More than Moore）两条路径,延续摩尔通过新材料新范式,沿着摩尔定律进一步将线宽逐渐微缩至3 nm甚至进入埃（?）量级,超越摩尔则是采用异质异构三维微纳集成的途径来满足下一代电子高速低功耗高性能的需求。异质异构集成可以充分利用不同材料的半导体特性使得系统性能最优化。射频三维微纳集成技术推动高频微电子从平面二维向三维技术突破,成为后摩尔时代高频微电子发展的重要途经。射频三维微纳异质异构集成技术利用硅基加工精度高、批次一致性好、可以多层立体堆叠等特点,不断推动无源器件微型化、射频模组芯片化、射频系统微型化技术发展。本文介绍了射频三维微纳技术发展趋势,并给出了国内外采用该技术开拓RF MEMS器件、RF MEMS模组以及三维射频微系统技术发展和应用案例。     

半导体柔性制造技术

半导体柔性制造技术电子工业部第十三研究所（石家庄０５００５１）金圣东东欧剧变，苏联解体，此极对峙格局瓦解，持续半个世纪的冷战时代终告结束。今后，爆发全球性世界大战的可能性变小，随之而来的是频繁引发的各种局部战争。在冷战时期长期被掩盖的一些国家或地区原...     

基于X光移动光刻技术的PMMA微透镜阵列制备

微透镜阵列的制备已经成为微光学领域的研究热点。利用两次X光移动光刻技术,以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为正光刻胶,在PMMA基板上制造了微透镜阵列,并对其制作原理进行了详细说明。设计了制备微透镜阵列用的掩膜图形,并通过掩膜图形模拟仿真,预测了微透镜在两次移动曝光显影后的形状。第一次X光移动光刻后,理论上会得到半圆柱状三维结构;第一次光刻后将掩膜板旋转90,进行第二次移动曝光光刻,最终在PMMA基板上制备了面积为10 mm10 mm的3030个微透镜阵列,阵列中每个微透镜的直径约248m、厚度约82m。同时也研究了X光曝光量与PMMA刻蚀深度之间的关系。微透镜阵列形貌测试表明此种制备微透镜阵列的新方法是可行的。     

用于化合物半导体制造的先进光刻技术

重点讨论了化合物半导体材料加工中的先进光刻技术应用现状。薄形衬底材料在高频及功率器件中的需求,在处理非常易碎和昂贵的衬底时出现了一些新的问题。这种损伤的风险由于要求的多个加工工序而增大,且在接转生产的采用背面加工时会再次出现。叙述了进行自动光刻加工中片子传递和对准过程的一些解决方法。     

微器件操作末端执行器研究现状

微纳制造技术和微机电系统(MEMS)的迅猛发展,推动了微器件向微型化、集成化、多功能化方向发展。微器件操作末端执行器是微操作工具与微器件直接作用的部件,具有重要研究意义。综述了微器件操作末端执行器的研究现状和成果;对国内外微器件操作末端执行器进行了汇总和分类;对微器件操作末端执行器的工作原理和结构进行了介绍;基于对接触式和非接触式末端执行器研究现状的总结,分析了各种末端执行器的优势和局限。最后,讨论了微器件操作末端执行器的应用现状和面临的挑战,并对末端执行器的发展进行了展望。该研究为微器件操作末端执行器的选取和开发提供了技术参考。     

光刻技术在微电子设备中的应用及发展

近些年来,伴随着我国芯片集成水平的高度提升,其对光刻技术的要求也不断提高,在二十世纪末,科学界一致坚信光刻技术的的最低分辨率是0.5,但是伴随着扫描技术、分辨率增强技术水平的提升与抗蚀剂等技术的应用,当下光刻技术分辨率已经降低至0.1,甚至能够低于0.1,虽然还是存在较多人对光刻技术的发展前景并不看好,但是其依旧凭借着不断钻研的精神,屡屡打破确定的分辨率极限,因此,本文主要针对当下光刻技术在微电子设备的实际应用与相关的发展前景进行深入的分析,希望能为我国光刻技术水平的提升具有一定的帮助。     

三维互连中光刻及晶圆级键合技术的挑战、趋势和解决方案

基于它的技术优势三维集成技术正在不断地被应用到新的产品中,也包括被应用到消费电子产品里。N时也对许多工艺提出了新的要求,其中也包括光刻和晶圆级键合。三维集成技术还是需要光刻工艺来完成图形的转换．为此．讨论了三维集成工艺对工艺设备和技术提出的挑战。介绍了SUSS公司与三维技术相关的产品。着重讨论与三维集成工艺相关的光刻和键合工艺。描述了三维集成对它们提出的挑战以及目前已有的解决方案和前景。并介绍一款新的具有0．25汕m对准精度的接近接触式光刻机。