掺氮GaP晶片室温紫外光致荧光特性的研究

用紫外光致荧光法可以检测出ＧａＰ∶Ｎ液相外延晶片的室温ＰＬ谱和ＰＬＥ谱，同时还能观测到可引起绿色发光效率下降的Ｆｅ、Ｃｕ和Ｃｒ杂质沾污的荧光谱。本文介绍了ＧａＰ∶Ｎ晶片的ＰＬ特性的多峰结构及其与Ｎ和Ｎ－Ｎ对等电子中心激子复合发光的对应关系。     

掺锗光纤的紫外光敏特性

本文讨论了掺Ｇｅ光纤的紫外吸收谱、缺陷中心、光诱导双折射、光诱导折射率的改变以及增敏的方法，并对光诱导折射率的改变及双折射的起源作了分析。     

掺氮直拉硅单晶的研究和应用

掺氮直拉硅单晶是最早由我国实现产业化并系统研究的集成电路用基础材料，它具有容易消除微缺陷，低成本制备高质量内吸杂洁净区和增加机械强度等优点，这对大直径的现代集成电路用硅片尤其重要。经过10多年的研究和开发，掺氮直拉硅单晶的优越性能逐渐被国际硅产业界和集成电路产业界所接受，目前已经在国际硅工业界相当广泛地使用，成为国际上硅单晶的一个重要新品种。     

气氛掺氮直拉硅单晶中氮关施主的光热电离光谱研究

以光热电离光谱方法指证了减压充氮气氛下生长的微氮直拉硅单晶中的氮关浅施主NRD（NitrogenRelatedDonor）．确认NRD的形成温区为300～800℃，900℃以上退火将被不可逆消除．指出NRD可能有N－O复合体和氧凝聚态浅施主两种形式，各有不同的热处理行为．     

掺氮类金刚石薄膜的导电性能及退火特性

对含氮的类金刚石薄膜的导电性能进行了研究,发现随着氮含量的增加,沉积薄膜的电导率增加较缓,且当氮含量达到一定值后,氮含量继续增加反而薄膜电导率有所下降.对薄膜进一步热处理,结果表明低掺氮的薄膜退火后导电性能有了较大的提高,而高掺氮的薄膜退火后电导率有所下降.文章通过分析退火前后薄膜的红外光谱,提出了充当施主杂质中心氮原子"激活"的慨念和高掺杂后薄膜中氮原子形成a-CNx结构.从而从微观结构解释了掺氮对类金刚石薄膜导电性电能的影响.     

掺氮类金刚石薄膜的电化学C-V研究

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法携带N2或NH3制备掺氮的类金刚石(DLC∶N)薄膜,对不同掺杂方法得到DLC∶N薄膜进行电化学C-V测量.I-V和C-V曲线表明,不论是采用N2或是NH3进行掺杂都得到n型的DLC薄膜,掺NH3的样品载流子浓度能达到更高.根据样品的电化学C-V测量结果并结合X射线光电子能谱,详细研究了DLC∶N薄膜载流子浓度的纵向分布,发现在靠近薄膜与衬底界面处附近即生长初期N的掺杂浓度分布较高.     

掺氮类金刚石薄膜的电化学C-V研究

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF- PECVD)法携带N2 或NH3制备掺氮的类金刚石(DL C∶N)薄膜,对不同掺杂方法得到DL C∶N薄膜进行电化学C- V测量.I- V和C- V曲线表明,不论是采用N2 或是NH3进行掺杂都得到n型的DL C薄膜,掺NH3的样品载流子浓度能达到更高.根据样品的电化学C- V测量结果并结合X射线光电子能谱,详细研究了DL C∶N薄膜载流子浓度的纵向分布,发现在靠近薄膜与衬底界面处附近即生长初期N的掺杂浓度分布较高     

不同掺氮量的类金刚石薄膜的电导性能

研究了不同含氮量的类金刚石薄膜（DLC:N）的导电性能，发现随着氮含量的增加，薄膜的电导率增加较缓，当氮含量达到一定值（12.8at%)后，薄膜电导率反而随氮含量的继续增加而下降。将薄膜在300℃下退火30min，结果表明低参氮的薄膜退火后导电性能有了较大的提高，而高掺氮的薄膜退火后电导率有所下降。Raman和XPS光谱研究表明，当薄膜中的氮含量达到一定值后，在薄膜中会出现非导电（a-CNx）的成分，因此高掺杂的类金刚石薄膜的电导率下降。FTIR光谱表明，充当施主杂质中心的氮原子在薄膜退火过程中存在被“激活”的现象，从而提高了电导率。因此氮对高掺杂和低掺杂薄膜导电性能的影响是不同的。     

掺氮锯齿型单壁碳纳米管的电子结构

基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,采用CASTEP软件包,在分析掺氮碳纳米管最可能存在方式并进行结构优化的基础上,对不同掺氮浓度的单壁碳纳米管的电子结构进行了计算,分析了掺杂碳纳米管的能带结构和态密度,结果表明随着掺杂浓度的增加能带间隙呈现减小的趋势.     

掺氮锯齿型单壁碳纳米管的电子结构

基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,采用CASTEP软件包,在分析掺氮碳纳米管最可能存在方式并进行结构优化的基础上,对不同掺氮浓度的单壁碳纳米管的电子结构进行了计算,分析了掺杂碳纳米管的能带结构和态密度,结果表明随着掺杂浓度的增加能带间隙呈现减小的趋势.     

掺氮氧化钒薄膜的椭偏光谱表征

利用反应溅射法,在Si(100)衬底上沉积了掺N氧化钒薄膜.借用SE850椭偏仪对薄膜进行了近红外波段(1300-2300 nm)的光谱测量,运用Tauc-Lorentz模型对薄膜的椭偏光谱数据进行了拟合,并计算了薄膜的光学参数(n,k)和厚度.结果表明:随着掺N量的增加,氧化钒薄膜的光学参数(n,k)随之增加,而其沉...     

掺氮氧化铪的光学特性研究

掺氮氧化铪是半导体工业非常重要的材料。在本论文中,我们利用Hf[N(C₂H₅)(CH₃)]₄ 和 H₂O₂作为原子层淀积的前驱体,制备了二氧化铪材料。然后,我们使用快速热退火的办法,在不同温度下,对二氧化铪进行了氮掺杂工艺。我们对掺氮二氧化铪的组分,跟硅界面的稳定性以及薄膜材料的光学特性随退火温度的变化进行了细致的研究。研究发现,随着退火温度的提高,二氧化铪薄膜材料的氮组分从1.41% 上升至 7.45%,相应的,薄膜材料的禁带宽度从5.82 eV 降低为 4.94 eV。     

掺NaCl的CuCl激光器特性研究

将少量NaCl掺入CnCl激光管中,在连续脉冲放电条件下,扩展了激光器的工作温度范围,增加了输出功率,并减少了铜在管壁上的沉积.     

掺氮ZnO薄膜的光电特性及其薄膜晶体管研究

Using NH3 as nitrogen source gas, N-doped ZnO （ZnO：N） thin films in c-axis orientation were deposited on glass substrates by radio frequency magnetron sputtering at room temperature. The ZnO：N thin films display significant increase of resistivity and decrease of photoluminescence intensity. As-grown ZnO：N material was used as active channel layer and Si3N4 was used as gate insulator to fabricate thin-film transistor. The fabricated devices on glasses demonstrate typical field effect transistor characteristics.     

退火对掺钒半绝缘4H-SiC晶片质量影响的研究

通过物理气相传输(PVT)法成功地生长出直径大于7.62 cm的掺钒半绝缘4H-SiC晶体。抛光后的掺钒半绝缘4H-SiC晶片在真空且温度1 600℃～2 000℃条件下进行退火处理,利用高分辨X-ray衍射仪、显微拉曼光谱仪、非接触电阻率测试仪和应力仪对退火前后的晶片进行了测试与分析,研究了退火工艺对掺钒半绝缘4H-SiC晶片应力的影响,并且得到了合适的退火工艺。结果表明:合适的退火处理有利于进一步提高晶片的质量。     

掺钕玻璃波导激光器的特性研究

给出了掺钕磷酸盐激光玻璃的光谱特性、能级结构、速率方程和传输方程。研究了掺钕磷酸盐玻璃光波导激光器的输出特性。在忽略放大的自发辐射和激发态吸收的基础上,简化了四能级模型的速率-传输方程。而后利用重叠积分法和龙格-库塔法对掺钕磷酸盐玻璃光波导激光器进行了数值模拟,得到了激光器的输出功率与掺杂浓度、传输损耗和长度等参量之间的关系曲线。理论分析的结果表明,用重掺杂、损耗系数较小、长度合适的波导并优化激光器的制作,就可以获得较高的输出功率和斜率效率,此时的泵浦阈值也较低。