真空微电子学在微波和毫米波中的应用前景

真空微电子学是近年来发展的一门新学科，它将会引起微波管技术的重大革新。本文介绍了在冷阴极，微三极管，感应输出放大器，分布放大器等方面的发展情况，相信在近几年内这方面的应用研究会获得突破性进展。     

微波场中烧结BaTiO3系半导体陶瓷的研究

采用ＴＥ３１０３单模腔微波炉烧结ＢａＴｉＯ３系半导体陶瓷，对微波与陶瓷材料相互作用机制进行了探讨，分析了ＢａＴｉＯ３陶瓷微波结过程中各损耗随温度的变化规律；同时，分别在体系中引入受主杂质Ｃｒ＾３＋和施主杂质Ｎｂ＾５＋，研究微波场中杂质浓度对钛酸钡陶瓷晶粒生长的影响。     

微波倍频器的设计与研制

针对微波倍频器的实现途径,介绍了阶跃管倍频和三极管倍频的原理,其中三端非线性电阻微波倍频器可实现有增益倍频,且倍频效率高,稳定性好,在现代通信系统中有着广泛的应用前景。应用ADS软件对倍频电路进行优化仿真,利用集总参数电容和电感对阻抗进行匹配,设计利用晶体三极管通过两次4倍频实现了L波段16倍频,最终成功研制出性能优良的L波段16倍频器,输出功率10.67 dBm,杂波抑制>75 dB,谐波抑制>60 dB,电流仅为120 mA,频谱纯净度较好,温度稳定性较高,能够有效实现倍频功能,满足微波频率源系统的使用要求。     

Spindt阴极电容模型

本文用数值方法，计算了Ｓｐｉｎｄｔ阴极的电容，给出了—族曲线，与实验结果比较接近，对真空微电子微波三极管的设计有一定意义。     

用超高速光电采样技术研究半导体微波器件时域特性和频域特性

本文采用超高速光电采样技术研究了半导体微波器件和单片微波集成电路（ＭＩＭＩＣ）的时域特性和频域特性．阐述了该方法的原理及优越性，对时域波形进行了分析和修正．并利用ＦＦＴ技术将时域波形转换为频域图形，得到半导体微波器件的Ｓ参数．我们建立的系统测量可达１００ＧＨｚ以上     

用光导半导体开关产生高功率微波

由于光导半导体开关（ＰＣＳＳ）皮秒闭合和无抖动的优异特性，光控这种开关可产生高功率微波，本文描述了ＰＣＳＳ的三种工作模式及四种类型光作用微波源，并把它们与一般高功率微波源作了比较，最后，讨论了这类微波源的性能限制和发展前景。     

一种紧凑型大功率微波固态源

传统的微波源主要由行波管、磁控管、返波管等电真空器件实现,但因其工作电压高、功耗大、体积大,导致在使用安全性、利用效率和便携性等方面存在不足。而微波固态源由于具有效率高、谐波抑制性能好、稳定性高等优点,正逐步替代传统微波源,有着很好的发展空间。设计了一种紧凑型大功率微波固态源,采用锁相环作为信源,通过三级功放级联对微波信号进行逐级放大,最终输出频率为915 MHz、功率为300 W 的微波信号。测试结果表明该固态源的工作效率≥70%,二次谐波抑制≤-40 dBc,三次谐波抑制≤-50 dBc。该设计在微波加热和解冻等方面具有很好的应用前景。     

SiC MESFET微波功率测试技术

对SiC MESFET的微波测试技术进行了分析，并针对这一采用第三代半导体材料研制的器件，结合硅微波双极功率晶体管和GaAs MESFET的测试技术，建立了SiC MESFET的微波测试系统，完成了2GHz工作频率下瓦级功率输出SiC MESFET的测试，功率增益大于6dB，器件的fT为6.7GHz, fmax达25GHz.     

微波半导体开关述评

本文介绍了微波半导体开关基本理论的发展状况，概述了其开关的技术条件和基本电路模型，汇集了几种典型开关电路，并展望了其发展前景。     

电子气敏报警器

电子气敏报警器张歌本文介绍的电子气敏报警器采用国产半导体气敏元件ＱＭ—ＮＳ作气敏传感器，实现“气一电”转换，达到报警目的。电路原理如图所示。ＫＤ—１５３Ｂ、三极管ＢＧ。、ＢＧ。等组成报警发声源，元件少，耗电小。三极管ＢＧ；、ＢＧ。组成互补型复合放大器...     

高功率微波的需求及发展

概述了高功率微波的主要应用领域和需求,简要介绍了在需求的推动下国际高功率微波源研究的新变化及发展现状,阐明了高功率微波的发展趋势及面临的问题.对未来高功率微波的发展进行了展望.     

无源微波遥感用于地震预报的实验研究

对无源微波遥感用于地震预报在理论研究的基础上对不同岩性不同结构的岩石试件进行了加载实验，测量了岩石试件的微波辐射随载荷的变化．实验得出：岩石试件的微波辐射能量随岩石应力状态变化而显著变化；而且，不同的波段变化的幅度不同；同一波段不同极化方式的波随应力变化的变化量也不同；微波辐射能量的变化能够被卫星微波遥感探测器探测到．实验还发现，岩石试件临破裂前出现明显的微波辐射异常．     

国外半导体微波技术发展概况

一、引言目前,半导体微波技术,正在电子对抗、卫星通信、遥控、遥测、相控阵雷达以及民用微波通信等现代化整机方面广泛地得到应用。半导体微波器件的发展,业已促进了整机的固体化和小型化的实现。而现代化的整机,又对半导体微波器件提出了更高的要求。比如在微波波段要有大功率信号源以作固体发射源,又如在微波领域要有低噪声器件以作固体接收部件。目前,在半导体微波器件中进展最快的是微波晶体管。双极晶体管和场效应晶体管     

SiC微波半导体在T/R组件中的应用

本文简述了SiC微波半导体的特性,分析了SiC微波器件在有源相控阵雷达T/R组件中的应用,讨论了T/R组件微波关键技术,即功率放大链、高功率限幅保护、低噪声接收机前端等微波半导体电路的设计思路以及SiC微波器件在T/R组件中的潜在应用,比较了Si和SiC时代关键电路的特性及其技术状态,指出了SiC微波半导体的发展对未来军事电子设备相控阵雷达T/R组件的重要性。     

微波功率器件及其电路

简要地介绍了国内外微波功率器件及其电路的发展现状，分析了在微波功率方面与国外的差距，并指出了造成目前差距的原因所在，对以后我国在微波功率方面的发展提出了建议。     

高功率微波源及其军事应用

高功率微波是近年来发展起来的一项新技术。本文评述了ＨＰＭ源的主要特性，把它们与常规微波源作了比较，并分析了其关键技术和发展趋势，最后，讨论了它们的军事应用以及ＨＰＭ武器在未来战争中的作用。     

SiC微波半导体在T／R组件中的应用前景

简述了SiC微波半导体的特性,通过与Si相关特性的比较,SiC在击穿电压、热传导率、增益特性等方面具有的显著优势,分析了SiC微波器件在有源相控阵雷达T/R组件中的应用前景,对T/R组件微波关键技术,功率放大链、高功率限幅器、低噪声接收机前端等微波半导体电路的设计思路进行了讨论,及SiC微波器件在T/R组件中的潜在应用,比较了Si和SiC时代,关键电路的特性及其技术状态,以及对未来军事电子设备相控阵雷达T/R组件发展的重要性.     

微波半导体器件和能带工程研究概况

本文简要介绍了近年来微波半导体器件及集成电路的发展概况。重点阐述异质结材料生长、器件设计和工艺研究、以及微波集成电路方面的最新进展。从半导体异质结器及其电路发展的剖析中指出了能带工程所起的重要作用。最后讨论了发展这一门新技术的要素。     

美欧高功率微波技术研究现状及发展趋势

当前,随着无人机集群等新型作战武器的逐步实战化,作为其反制手段的高功率微波等定向能武器受到了高度关注。美欧各军事大国均大力推进高功率微波技术研究及武器装备研发,部分高功率微波武器装备已经完成了概念演示验证,正逐步形成实战化装备。从高功率微波武器关键技术研究和武器装备发展2个方面,对高功率微波领域研究现状进行了梳理,重点介绍了脉冲功率驱动源技术、高功率微波产生技术和高功率微波辐射技术方向的研究进展,总结了典型高功率微波武器装备的性能特点,并分析了其发展趋势。     

强流相对论电子学若干新进展

评述利用强流相对论性电子束产生高功率微波的前沿研究动向，并对高功率微波源的分类、技术发展和理论工作进行讨论与分析。