新型压力传感器SCP1000的原理和应用

SCP1000是芬兰VTI公司生产的一款高精度,高分辨率、低功耗气压传感器.该器件内带AD转换器、ASIC结构以及EEPROM存储单元,并可通过SPI接口与外部进行通讯.因而可以广泛用于便携式高度计、气压计等方面.文中介绍了SCP1000的性能特点、引脚功能,内部结构、工作原理和典型应用.     

气压高度表设计

介绍了一款户外登山、攀岩等运动爱好者所用便携式多功能高度计腕表,该设计除具有普通电子手表的计时和LCD显示等功能外,结合芬兰VTI公司的微型气压传感器SCP1000-D11的4种测量模式转换和气压数据与高度特别的算法,低功耗的软硬件设计使用户能随时随地查看所处位置及高度。在实际使用中获得了用户的肯定。     

基于MAX1452的超细颗粒机械加工中振动的测试

本文介绍了高精度传感器信号调理模块MAX1452的工作原理及其在超细颗粒机械加工中测试振动的应用.简要叙述了MAX1452的组成、偏移和满量程输出偏移的纠正、内部EEPROM、传感器补偿和校准,并给出了具体的传感器应用电路.     

DS28E01-100：1k位1-Wire EEPROM

DS28E01-100将1024位EEPROM与符合ISO/IEC10118-3安全散列算法(SHA-1)的质询响应安全认证结合在一起.1024位EEPROM阵列被配置为四页,每页256位,且带有64位暂存器以执行写操作.所有的存储页面都可以设置为写保护模式,并可将其中某页置于EPROM仿真模式,即将数据位只能从1变为0.每片DS28E01-100带有唯一的64位ROM注册码,由工厂刻入芯片.DS28E01-100通过单触点1-Wire串行接口进行通信,遵循1-Wire协议,在多个从器件的1-Wire网络中充当节点地址.     

单总线数字温度传感器的自动识别技术

本文讨论了单总线数字温度传感器的自动识别问题。通过编程自动建立位置编号和传感器序列号的关系表,并将其存入可电改写的EEPROM芯片,实现了在多点温度测量系统中对多个传感器的出错指示、自动识别。     

多功能防酒驾定位报警系统的设计

设计了一种实时检测司机酒精含量的报警系统,通过压力传感器检测是否有人驾驶,以MQ-3酒精传感器检测酒精含量,采用GPS作为定位模块,卫星接收车辆实时位置并存入EEPROM中,单片机读取信息并通过LCD1602显示经纬度,时间日期和酒精含量,通过ISD1420实现语音报警。系统在酒精量超标的情况下制动机车,同时通过GPS定位把车辆的精确位置通过GSM网络以短信的形式实现远程报警。经测试表明,系统稳定可靠,功能齐全,具有较好的推广价值。     

基于单片机的酒精气体浓度测试仪的设计与制作

文章以单片机STC12C5A16AD为核心,运用高灵敏度传感器MQ-3气体传感器,采用EEPROM芯片存储预设的报警阈值,并通过LCD显示检测结果及二极管实现起标报警。经过软硬件联合调试,实验结果基本满足设计要求,达到设计指标。     

基于任务相关性的无线传感器网络任务调度算法

针对现有无线传感器网络中的静态调度算法(SCP算法)在调度具有相关性任务时的缺陷,提出了一种调度簇树并加以研究,在此基础上提出了一种新的基于任务复制的聚簇调度算法(ICS算法).通过与SCP算法进行比较,ICS算法可以在不增加任务的完成时间的同时,减少所需节点的个数,进而减少重复任务的计算和不同节点间的通信开销,以达到降低网络能耗的目的.     

基于MAX1452的超细颗粒机械加工中振动的测试

本文介绍了高精度传感器信号调理模块MAX1452的工作原理及其在超细颗粒机械加工中测试振动的应用。简要叙述了MAX1452的组成、偏移和满量程输出偏移的纠正、内部EEPROM、传感器补偿和校准,并给出了具体的传感器应用电路。     

EEPROM单元的电荷保持特性

利用理论推导和实验方法对电可擦除可编程只读存储器EEPROM单元在给定电压下的电荷保持特性进行了分析和研究,得出了EEPROM单元电荷保持能力的理论公式,得到了单元保持状态下的电特性曲线,发现在双对数坐标下,阈值电压的退化率与时间成线性关系.在假定电荷流失机制为Fowler-Nordheim隧穿效应的情况下,推出了EEPROM单元在给定外加电压下的电荷保持时间,并通过实验得出了简化的EEPROM单元寿命公式.     

A monolithic field segment photo sensor system

This contribution describes a fully integrated field segment photo sensor for use in single lens reflex cameras. It supplies measurement data from five segments and the integral value via a standard interface to the camera processor. Individual calibration data of each sensor is stored in an on-chip EEPROM. The IC has been manufactured in a standard CMOS technology. The sensor operates over more than six decades of illumination to below 1 mlux. It represents an example of complex smart sensor integration     

单层多晶的EEPROM

针对传统双层多晶EEPROM的诸多不足之处 ,介绍了相对较有潜力的单层多晶的EEP ROM ,主要对比了传统的双层多晶的EEPROM和单层多晶的EEPROM (singlepolyEEPROM ) ,展示了singlepolyEEPROM的应用前景 ,同时提出了singlepolyEEPROM所面临的问题 ,并有针对性地给出了几种解决方案     

A 128-pixel CMOS image sensor with integrated analog nonvolatilememory

A 128-pixel complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor array with analog nonvolatile storage for each pixel has been realized in a 1.5-μm single-poly standard CMOS/EEPROM technology and successfully tested. The integrated nonvolatile memory allows an offset correction for each sensor element, cancellation of the fixed pattern noise, and compensation of the background illumination. The sensor array can also learn a presented pattern and store it in its analog nonvolatile memory just by “seeing”. The stored pattern can be read out directly or, in combination with the optical input, it can be used for pattern recognition or motion detection. The required programming circuitry for the analog memory has been integrated on the same chip     

The impact of three-dimensional effects on EEPROM cell performance

Device simulation is used to investigate three-dimensional effects in small electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM) cells. Threshold voltage, tunnel currents, write speed, and the effects of misregistration are characterized for a structurally parameterized generic FLOTOX EEPROM cell. The results indicate considerable sensitivity to three-dimensional effects. Design insights for small EEPROM cells are discussed     

浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷泄漏研究

本文从研究不同单元尺寸浮栅隧道氧化层EEPROM在不同状态、不同温度保存下阈值电压的变化入手,论述了浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷的泄漏机理,并提出了改进EEPROM保持特性的措施.     

基于Nios Ⅱ的Serial EEPROM测试方法研究

文章介绍了Serial EEPROM的测试原理,提出了一种基于Nios Ⅱ软核CPU测试Serial EEPROM 的方法,该方法具有稳定性高、所需器件少、可编程、低成本等优点。在Serial EEPROM的大量测试中可以代替昂贵的测试系统,是一种性价比较高的替代测试方案。     

霍尔传感器在电动卷帘门的应用

提出了一种利用霍尔传感器实现电子定位以提高电动卷帘门的定位精度和稳定性的方法。该方法采用霍尔传感器、单片机、EEPROM,结合可靠的掉电检测,通过存储霍尔传感器发出的位置和方向信息实现高可靠数字化电子定位方法。工程实践应用表明,该方法定位精度高,重复性好,能较好地满足电动卷帘门对定位精度和稳定性的要求。     

一种内嵌EEPROM的双电源数字电位计设计

设计了一种基于嵌入式EEPROM工艺的双电源数字电位计。通过两线的I2C总线来控制电路内部EEPROM单元,调节数字电位计的输出电阻或电压。电路采用正负电源供电,同时集成了两路256个抽头可变电位计输出。由于内部集成了EEPROM单元,当电路突然掉电后依然保存抽头设置信息,重新上电后,自动恢复到掉电前电阻抽头的设定位置。该电路采用SMIC 0.18μm EEPROM工艺设计,版图面积为6.76 mm2,采用Hsim对整个电路进行仿真。仿真和测试结果表明,该电位计电路的整体非线性小于±1 LSB,级间非线性小于±0.5 LSB,输出电阻温度系数小于±100×10-6/℃,EEPROM上电恢复时间小于5 ms,可广泛应用于控制系统、参数调整和信号处理领域。     

A novel flash EEPROM cell based on trench technology forintegration within power integrated circuits

A flash EEPROM suitable for integration within power integrated circuits (PIC's) is presented. The EEPROM cell uses a trench floating gate to give a large gate charge while using no more silicon area than a conventional flash EEPROM cell. The cell shows good immunity against the induced disturbance voltages which are present in a PIC, and the storage lifetime is greater than ten years at a reading voltage of V_D=2.2 V