射频溅射法制备硫化钨固体润滑薄膜的研究

本文研究了采用射频溅射法以3Cr13马氏体不锈钢为基片制备硫化钨薄膜.实验分别采用了不同的溅射功率、工作气压和沉积时间来制备样品.之后对三组样品分别进行物相分析、表面形貌观察、测定微区化学成分、结合力和摩擦系数.结果表明:通过射频溅射法可获得非晶态WS2薄膜,薄膜的S/W比一般小于2,并受溅射工艺影响较为明显,随着溅射功率的升高逐渐降低,随着溅射时间的延长明显升高.薄膜结合力受溅射工艺影响并不显著.通过射频溅射所获得薄膜的摩擦系数在一定范围内与其硫钨比成反比.     

硫化法在不锈钢基体上制备硫化钨薄膜的研究

本文研究了采用硫化法以3Cr13马氏体不锈钢为基片制备硫化钨薄膜.实验首先在3Cr13马氏体不锈钢上制备氧化钨薄膜,然后在石英加热炉内加入一定量的硫粉对氧化钨薄膜进行硫化处理.分别采用200℃、400℃、600℃三种硫化温度,保温4h.对三组样品分别进行物相分析,表面形貌观察,测定微区化学成分、结合力和摩擦磨损系数.结果表明:温度对硫化钨薄膜的表面形貌和结晶率有明显的影响,对膜层的化学成分影响不大,薄膜能够有效地改善不锈钢基体的摩擦学性能.实验证明:通过这种方法可以成功地在3Cr13马氏体不锈钢基片制备硫化钨薄膜.     

二维纳米二硫化钨制备与应用

二维纳米二硫化钨具有特殊层状结构、可调节带隙、稳定的物理化学性质等优点吸引了国内外研究人员的关注.本文综述了二维纳米二硫化钨的最新研究进展,介绍二维纳米二硫化钨的晶体结构、光学性质、能带结构,归纳了二维纳米二硫化钨的制备方法,以及在光催化剂、光电检测器、润滑剂、场效应晶体管等领域的应用,展望了二维纳米二硫化钨未来的研究...     

硫化温度对硫化钨薄膜摩擦性能的影响

采用硫化法以3Cr13马氏体不锈钢为基片制备硫化钨薄膜,研究了硫化温度对薄膜性能的影响.结果表明,硫化温度对硫化钨薄膜的表面形貌和结晶率有明显影响,但对膜层的化学成分影响不大,薄膜能够有效改善不锈钢基体的摩擦学性能.随着硫化温度的升高,摩擦系数降低,测试环境和测试条件对薄膜的摩擦系数也有一定影响.     

不同温度热硫化纯Fe膜制备FeS2薄膜的研究

研究了在硫化压力为８０ｋＰａ、等温２０ｈ条件下，硫化温度对磁控溅射制备的纯Ｆｅ膜反应形成ＦｅＳ２多晶薄膜的影响。结果表明，在４００￣６００℃范围内，薄膜中反应生成ＦｅＳ２过程比较充分，尤其在４００℃硫化时，可以获得接近理想化学计量成分的、具有细小均匀组织形态的ＦｅＳ２薄膜。当温度超过４００℃后，ＦｅＳ２晶粒尺寸明显增大，但亚晶尺寸保持恒定。     

高纯超细二硫化钨粉末研制获重大突破

据悉，我国高纯超细二硫化钨粉末研制日前获重大突破。有关单位采用多相合成法，控制了合成过程中瞬间放热产生的爆炸性，同时解决了二硫化钨的超细化难题，成功地制取了高纯超细二硫化钨粉末，同时还实现了半工业规模制备高纯超细二硫化钨粉末，     

硫化时间对于固态硫化CuInS_2薄膜性能影响

采用中频交流磁控溅射方法,在玻璃基底上沉积Cu-In预制膜,采用固态硫化法制备获得了CuInS2(CIS)吸收层薄膜。考察了硫化时间对于CIS薄膜结构、形貌以及禁带宽度影响。通过XRD分析了薄膜结构,通过SEM以及XRF分析薄膜表面形貌以及薄膜成分,通过近红外透过曲线得出薄膜禁带宽度。结果表明,在400℃硫化10,15,20,25,30 min下均能制得单一黄铜矿相CIS薄膜,并且具有(112)面择优取向。以上各硫化时间下,均能形成均匀且晶粒大小为1μm的CIS薄膜,薄膜禁带宽度约为1.10~1.22 eV之间。     

钨铜复合材料制备技术初探

钨具备高熔点、高密度、高强度、低膨胀系数等特点,而铜则具备良好的导热性与导电性。钨铜复合材料兼有钨与铜之优点,也就是说具备高密度、良好导热导电性、小膨胀系数等有时,所以被广泛应用于制作电接触材料以及电极材料。鉴于全球电器业、电子业的不断发展,对于钨铜复合材料的需求数量也在变得愈来愈大。因此,加强钨铜复合材料制备技术的研究具有十分重要的现实意义。分析钨铜复合材料制备技术的发展现状,着重论述钨铜复合材料的制备方法,并探讨钨铜复合材料制备技术发展趋势。     

嵌套球形层状封闭结构纳米二硫化钨的合成与机理探讨

采用简单的沉淀法制备了WS3前驱物，在高温下WS3前驱物与氢气反应在聚乙二醇做分散剂作用得到了具有嵌套球形层状封闭结构WS2纳米颗粒．通过高分辨透射电镜(HRTEM)、粉末X射线衍射(XRD)和X射线能量散射谱(EDS)等方法对其形貌、结构和成分进行了表征，对其形成机理进行了探讨．     

硫化温度对FeS2薄膜的晶体结构和光电性能的影响

本文用磁控溅射法制备的纯Ｆｅ膜,再在Ｓ气氛中于不同的温度下进行热硫化,硫化时间为１０ｈ,使其转变成为ＦｅＳ２薄膜,并研究了硫化温度对转变形成的ＦｅＳ２薄膜晶体结构、化学成分、组织形貌和光电性能的影响规律。     

Microstructure and Mechanical Properties of Nanocrystalline Tungsten Thin Films

Tungsten (W) thin films were prepared by magnetron sputtering onto Si (100) substrates. Their microstructures were characterized by X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM) and transmission electron microscopy (TEM). The hardness and modulus were evaluated by nanoindentation. It is found that a 30 nm Cr sticking layer induces structure changes of deposited W film from β-W to α-W structure. In addition, remarkable hardness enhancement both for the deposited and annealed W...     

CrCO-Ti保护薄膜的制备、结构及机械性能

用非平衡脉冲直流磁控溅射技术制备出了CrCO-Ti薄膜,其结构、耐磨性和表面能分别用XRD（Phihps X-pert）、Pinon-Disc摩擦磨损测试仪（Tribometer Wear Tester）表面接触角度仪（Surface contact Angle Goniometer）分析,研究了在氮气气氛不同退火温度的条件下,CrCO-Ti保护薄膜的结构变化,并得出结论：非平衡脉冲直流磁控溅射沉积的CrCO-Ti保护薄膜是类非晶态的,其耐磨能力达到10^-8mm^3／Nm,它们的表面能低,经过退火处理后,其结构发生变化,耐磨能力下降。     

沉积参数对含氢非晶碳膜结构及性能的影响

本文利用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术,以CH4、H2为气源,Ar-为稀释气体,通过增加过渡层和改变输入功率和气体成分比例（CH／H2）,在不锈钢基底上制备了含氢非晶碳膜（a-C：H）。利用拉曼光谱（Raman）、X射线光电子能谱（XPS）、纳米显微硬度计和摩擦磨损试验机等研究手段对含氢非晶碳膜的形貌、结构、显微硬度和耐磨性进行了表征。Ramas光谱和XPS分析表明,薄膜是由sp^2和sp^3杂化组成的非晶碳膜。显微硬度和摩擦学测试表明,在较低射频功率和富氢等离子体中沉积的a—C：H膜表面光滑、结构致密,薄膜的硬度、摩擦系数、耐磨性和结合力等性能较好。     

三氧化钨薄膜的光学特性和结构研究

用溶胶-凝胶法和直流反应磁控溅射法制备了表面均匀致密的三氧化钨薄膜,并用双光束紫外可见分光光度计和X衍射分别对薄膜的透光性、结构形态进行了测定;描述了退火温度对薄膜透光性和结构形态的影响,结果表明在高温(＞300℃)退火处理后薄膜的透光率下降,且退火温度越高透光率越低;在350℃以下退火处理后得到薄膜样品为非晶态,在350～400℃范围内退火处理,样品由非晶态向晶态转变.     

PEG改性氧化钨薄膜的电致变色特性

为改善WO₃薄膜的电致变色性能, 采用溶胶-凝胶法制备了聚乙二醇(PEG)改性的WO₃电致变色薄膜, 并对其着色态与漂白态的光学特性以及循环伏安特性进行了研究。研究表明: PEG改性的WO₃薄膜具有良好的电致变色性能, 循环5000次伏安曲线无明显衰减, 对可见光的最大透过率调制幅度可达71%。PEG的加入改变了WO₃薄膜的微结构, 形成了平均直径为9 nm的介孔, 提高了离子在其中的扩散速率, 因此改善了WO₃薄膜的电致变色性能。由于循环稳定性对于电致变色材料的实际应用至关重要, 因此这种低成本的湿化学法有望用于制备高性能的WO₃基电致变色器件。     

A New Facile Synthesis of Tungsten Oxide from Tungsten Disulfide: Structure Dependent Supercapacitor and Negative Differential Resistance Properties

Tungsten oxide (WO₃) is an emerging 2D nanomaterial possessing unique physicochemical properties extending a wide spectrum of novel applications which are limited due to lack of efficient synthesis of high‐quality WO₃. Here, a facile new synthetic method of forming WO₃ from tungsten sulfide, WS₂ is reported. Spectroscopic, microscopic, and X‐ray studies indicate formation of flower like aggregated nanosized WO₃ plates of highly crystalline cubic phase via intermediate orthorhombic tungstite, WO_3.H₂O phase. The charge storage ability of WO₃ is extremely high (508 F g^?1 at current density of 1 A g^?1) at negative potential range compared to tungstite (194 F g^?1 at 1 A g^?1). Moreover, high (97%) capacity retention after 1000 cycles and capacitive charge storage nature of WO₃ electrode suggest its supremacy as a negative electrode of supercapacitors. The asymmetric supercapacitor, based on the WO₃ as a negative electrode and mildly reduced graphene oxide as a positive electrode, manifests high energy density of 218.3 mWhm^?2 at power density 1750 mWm^?2, and exceptionally high power density, 17 500 mW m^?2, with energy density of 121.5 mWh m^?2. Furthermore, the negative differential resistance (NDR) property of both WO₃ and WO₃.H₂O are reported for the first time and NDR is explained with density of state approach.     

二硫化钼与二硫化钨填充改性聚四氟乙烯的摩擦学性能

采用粉末冶金的方法制备了二硫化钼(MoS_2)、二硫化钨(WS_2)单独和复合填充改性聚四氟乙烯(PTFE)复合材料,对比分析了改性后复合材料的摩擦学性能;采用扫描电镜观察复合材料的磨损表面形貌,超景深显微镜观察对偶钢球上转移膜的表面形态,并分析了其磨损机理。结果表明,MoS_2和WS_2均能改善复合材料的摩擦稳定性和耐磨性,MoS_2和WS_2分别在质量分数10%、25%时改善效果达到最优,且低于20%时MoS_2改性效果优于WS_2,高于20%则相反;复合填充时耐磨性改善效果最优。添加不同种类的固体润滑剂,PTFE复合材料表现出不同的磨损表面形态,呈现不同的磨损机理。     

具有氢键和二硫键的单宁酸基聚氨酯薄膜制备与性能

以单宁酸作为交联剂、蓖麻油作为聚氨酯的多元醇、异佛尔酮二异氰酸酯作为聚氨酯的多元异氰酸酯、双（2-羟乙基）二硫化物和1, 4-丁二醇作为聚氨酯的扩链剂,采用预聚体法制备单宁酸基聚氨酯,并研究单宁酸和双（2-羟乙基）二硫化物的用量对聚氨酯玻璃化转变温度、热稳定性及自修复性能的影响,同时采用基于脂肪酶的酶降解法评估单宁酸基聚氨酯薄膜的生物降解性能。研究表明,单宁酸用量增加会导致单宁酸基聚氨酯薄膜的玻璃化转变温度上升,并提升热稳定性,而双（2-羟乙基）二硫化物的增加对薄膜的玻璃化转变温度无影响,但薄膜的热稳定性降低;在特定条件下（80 ℃、3 h）,STPU4膜自修复率高达95%,此外,经脂肪酶酶解140 h后,STPU4膜的质量损失达68.3%。