镍钛记忆合金薄膜的制备与结构

采用射频溅射法成功地制备了ＮｉＴｉ形状记忆合金薄膜。研究了不同成分靶材对膜最终成分的影响。电子探针和俄歇能义测定结果表明，在Ｎｉ（５０ａｔ％）／Ｔｉ（５０ａｔ％）的靶材上添入量的Ｔｉ，可以获得Ｎｉ／Ｔｉ为１：１的薄膜。     

非晶化程度对不同成分Mg—Ni非晶合金电极充放电容量的影响

研究了球磨过程中的非晶化过程度对不同成分Ｍｇ－Ｎｉ非晶合金电化学吸放氢性能的影响。研究结果表明：随着合金成分的不同，非晶化程度的影响不同。当Ｎｉ含量低于５０％（原子分散）时，合金粉末中的非晶相所占比例越高，即非晶化程度越高时，合金电极的放电容量越大；而当Ｎｉ含量高于５０％（原子分数）时，非晶合金中存在少量游离态的Ｎｉ相，可提高电极的放电量。分析认为这与Ｎｉ的相的存在改善了合金的吸放氢动力学性能有关     

直流反应磁控溅射制备氧化铅薄膜

通过直流反应磁控溅射的方法制备了氧化铅薄膜，并通过XRD和紫外-可见光（UV-Vis）吸收谱对薄膜的晶体结构和光学性能进行了表征。我们发现，直流反应磁控溅射金属铅靶可以形成三种氧化铅薄膜，即非晶态PbO，正交晶系的β-PbO，以及四方晶系的Pb3O4。X射线衍射结果表明，衬底温度和氧气流量对薄膜的生长有很大的影响。当衬底温度小于300℃时，薄膜呈非晶状态，当衬底温度超过300℃时，薄膜开始结晶。另外，氧气流量的改变引起薄膜晶体结构的明显变化。当氧气流量较小时，薄膜为立方相结构的PbO；随着氧气流量的增加，薄膜的晶体结构发生改变，生成四方相结构的Pb3O4的薄膜。UV-Vis吸收谱测试结果表明，不同条件下制备的氧化铅薄膜的UV-Vis吸收谱明显不同。     

ZnMgS多晶薄膜的结构和光学性质

本文介绍了对真空蒸发制备的多组ZnxMg1-xS多晶薄膜的研究，用X射线能量色散谱仪（EDS）测定几组ZnxMg1-xS薄膜样品的成分后，由原子力显微镜（AFM）和X射线衍射（XRD）测试结果表明：薄膜晶体生长形貌和结晶性良好，为闪锌矿结构；对ZnxMg1-xS薄膜的紫外吸收分析表明，薄膜在345nm-275nm处形成陡峭的吸收边，在波长小于275nm的紫外区有强烈的吸收；光致发光谱中发光中心波长在可见光区紫光范围约为401nm～395nm之间。同时随着Mg含量的增加。样品的（111）峰位向大角度方向移动，吸收边和发光峰的蓝移也增加。蓝移说明了带隙的展宽。显示了其作为短波光电器件材料和拓展紫外发光器件的研制领域的潜力。     

离子束辅助沉积引发互不固溶系非晶相和亚稳晶相形成

利用离子束辅助沉积技术（IBAD）研究了在互不固溶的Cu-Ta和Cu-Nb系统中获得非晶相和亚稳晶体的可能性,结果表明：r(Cu)为30％时Cu含量的Cu-Ta薄膜得到了非晶相;r(Cu)为25％－35％时Cu-Nb薄膜中随辅助等离子束能量的改变出现了fcc相－非晶相转变;r(Cu）和20％时Cu-Nb薄膜中得到了bcc相,说明IBAD技术可以在互不固溶二元合金系统中制备非晶和亚稳晶相,非晶或亚稳晶的形成是由薄膜沉积过程中辅助离子束的作用引起的。     

316不锈钢滤板上钯银合金的脉冲电镀

研究了氨性溶液中在３１６不锈钢滤板上脉冲电沉积钯银合金时，电镀条件对镀层组成，表观形貌和金相结构的影响。镀层由钯银合金和少量游离银组成，合金相具有面心立方结构，择优取向为（１１１）面，镀层银含量随平均电流密度或导通时间的增大而减少，提高镀液中银的浓度有利于获得高银含量镀层。银含量小于２６ａｔ．％的镀层外观光亮。研究证明钯银合金和银的沉积速率受控于银氨络离子的传质过程。确定了钯银合金选择渗氢膜的电镀     

机械球磨LaMg2Ni-Mg-Ni复合粉末的电化学性能

机械球磨法制备了LaMg2Ni-x％（质量分数）Ni（x=0，33，50，67，75，80）、LaMg2Ni-x％（质量分数）Mg-67％（质量分数）Ni（x=6．7，10．0，13．3，16．7，20．0，23．3）两系列复合粉末。LaMg2Ni-x％（质量分数）Ni复合粉末球磨后，当Ni含量不超过67％（质量分数）时形成非晶，其电化学容量随Ni含量增加而增大；但当Ni含量≥75％（质量分数）时，复合粉末则形成了Ni的固溶体，其电化学容量开始降低。在LaMg2Ni-67％（质量分数）Ni中添加不同量的Mg粉球磨后完全形成非晶，并随Mg含量的增多，其放电容量逐渐增加，但容量衰减较快。     

硒源温度对CIGS薄膜结构和形貌的影响

采用中频交流磁控溅射方法，在Mo层上沉积了CuInGa（CIG）预制膜，采用固态硒化法制备获得了Cu（In1-xGax）Se2（CIGS）吸收层薄膜，考察了硒源温度对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分，采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明，在不同的硒源温度下制备的CIGS薄膜，均为黄铜矿相结构，薄膜具有（112）面的择优取向。当硒源温度为575℃、580℃和585℃时，CIGS薄膜表面结构疏松，多孔隙；当硒源温度为590℃、595℃和600℃时，CIGS薄膜结构致密，表面平整。当硒源温度为600℃时，Cu、In和Ga原子含量处于制备弱P型CIGS吸收层薄膜的理想范围。     

Fe_（76．5－x）Cu_（1．0）Nb_xSi_（13．5）B_（9．0）

研究了Ｎｂ含量ｘ对Ｆｅ＿（７６．５－ｘ）Ｃｕ＿（１．０）Ｎｂ＿ｘＳｉ＿（１３．５）Ｂ＿（９．０）纳米软磁合金的结构与磁性影响。研究结果表明，当Ｎ６含量ｘ约为３ａｔ％时，合金的软用性能最高；随Ｎｂ含量ｘ的增加，最佳软磁性能下合金显微组织结构中的αＦｅ－Ｓｉ纳米晶晶粒尺寸Ｄ、Ｓｉ含量、体积分数Ｖ＿ｃ均呈下降趋势，非晶相的短程有序范围δ增大；合金的磁性除与αＦｅ－Ｓｉ纳米晶有关外，还与合金中非晶相密切相关。用新近提出的双相无规磁各向异性模型讨论了合金的磁性与结构的关系。     

Mn或Cu掺杂非晶AlN薄膜的光致发光特性

研究了Mn或Cu掺杂的非晶AlN薄膜在室温下的发光性质。Cu或Mn掺杂的非晶AlN薄膜是在玻璃衬底上采用中频反应磁控溅射制备的。X射线衍射（XRO）结果表明薄膜为非晶。由X射线能谱（EDX）检测分析结果得到薄膜中Cu和Al含量比例为1：10，Mn和Al含量比例为1：15。光致发光光谱表明Cu掺杂的AlN薄膜能发出强烈的蓝光（～430m）而Mn掺杂则表现为红光（～650nm）。     

Cr-Si-Ni-N电阻薄膜的晶化与氧化特性

在PN2／PAr2分压比分别为0％，2．5％，5％，10％的溅射气氧化中制备了不同氮含量的Cr-Si-Ni-N薄膜，并研究了薄膜在热处理过程中的晶化，氧化行为以及电性能变化。结果表明，非晶Cr-Si-Ni-N薄膜在加热过程中，将析出晶化相CrSi2，随薄膜中氮含量增加，晶化相的形核与长大减缓，然而，薄膜的抗氧化能力得到提高。与低氮含量Cr-Si-Ni-N薄膜相比，高氮含量Cr-Si-Ni-N薄膜的电阻值在热处理过程中变化较小，欲获得较小电阻温度系数（TCR）需要更高的退火温度。     

真空磁过滤弧沉积碳氮薄膜的研究

本文采用真空磁过滤弧沉积技术，在Ｓｉ，石英及Ｔｉ／Ｃ衬底上制备得到非晶碳氮薄膜。采用卢瑟福背散射分析对薄膜的面密度及Ｎ含量进行定量计算。用紫外－可见透射光谱与红外反射光谱研究了薄膜的光学性能。     

溶胶一凝胶法制备ZnO：Al导电薄膜的研究

采用溶胶-凝胶工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向的ZnO：Al透明导电薄膜。利用扫描电镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）等分析手段对薄膜进行了表征。通过标准四探针法及紫外分光光度计（UVS）透射光谱研究了ZnO：Al薄膜的电学与光学性能。实验发现：当Al^3＋离子掺杂浓度为2％（原子分数），前处理温度为220℃、退火温度为580℃时，薄膜具有较好的导电性，电阻率为1．76×10^-3Ω-cm，其在可见光的平均透射率在80％左右。     

不同衬底制备稀土Nd+3掺杂SnO2薄膜的XRD、SEM分析

采用真空气相沉积法在玻璃和单晶硅衬底[111]上制备纳米SnO2及稀土金属钕掺杂薄膜，并对薄膜进行热处理。对薄膜进行XRD、SEM测试。实验显示，不同衬底制备SnO。薄膜在未掺钕时结构有明显区别，采用同样工艺条件在玻璃衬底上制备的SnO2薄膜没有显示择优生长；在硅衬底上制备未掺钕SnO2薄膜显示出沿[101]晶向择优生长趋势。掺钕（5at％）玻璃衬底制备的薄膜沿[110]衍射峰较强，但薄膜基本呈现自由生长；掺钕后硅衬底制备的薄膜则强烈沿[110]晶向择优生长，随掺钕含量增加择优生长趋势消失，当掺钕含量为（5at％）时薄膜呈自由生长结构较完善。SEM给出在玻璃基片生长的薄膜表面形貌呈均匀小颗粒状，平均晶粒尺寸在30nm左右。硅基片制备的薄膜表面则呈紧密均匀带孔颗粒状；颗粒尺寸约1000nm与计算值相差较大。两种衬底制备的SnO2薄膜经稀土钕掺杂可抑制晶粒生长。本实验中钕掺杂量为5at％（热处理T=500℃，t=45min）时薄膜结构特性最佳。     

SiCN薄膜的制备及其性能研究

利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiCN薄膜，并利用X射线衍射（XRD）、红外吸收谱（FTIR）和X射线光电子谱（XPS）对薄膜的结构、成份及化学键合状态进行了分析。结果表明，室温制备的SiCN薄膜为非晶状态，并形成了Si-C、Si-N和C－N键；而在高温下（衬底温度为800℃），薄膜中含有SiCN的晶体成分。此外，还利用原子力显微镜（AFM）对薄膜的表面形貌进行了研究，并进一步研究了样品的场发射性能。在场强为24V／μm时，最大发射电流可达3.3mA/cm^2。     

空心阴极制备α—CNx：H薄膜的结构及力学性能研究

以CH4和N2为反应气体，采用空心阴极放电激发的等离子体增强化学气相沉积法在Si片上制备出了氢化非晶碳氮（α—CNx：H）薄膜。利用原子力显微镜（AFM）对薄膜的表面光洁度及表面形貌进行了测量和表征。利用X射线光电子能谱（XPS）、傅立叶红外吸收谱（FTIR）和纳米压入（nano—indentation）等测试手段分析了薄膜的成分、结构及力学性能。结果表明：薄膜的表面光滑、致密，表面光洁度〈1nm。薄膜的最大N含量达到了26．39％（原子分数），对应的N／C为0．41。XPS和FTIR分析表明：薄膜中的C、N原子是通过C—N、C=N、C≡N结合的，同时存在一定量的-CHx和-NHx基团。另外，我们发现薄膜的硬度及弹性模量随N2／CH4比的增加而增加，并且主要受微观结构（C—N／C≡N比）的影响。     

Cr在多弧离子镀（Ti，Cr）N复合膜中的作用

利用AlP—01多弧离子镀膜机，通过改变铬靶电流，在高速钢基体上沉积出不同Cr含量的（Ti，Cr）N复合膜涂层，用扫描电子显微镜、微纳米力学测试仪和X射线对薄膜的表面颗粒、硬度及内应力进行了分析。结果表明：薄膜中添加Cr能减小表面颗粒尺寸，提高硬度，当Cr的含量达到31％（wt）时，薄膜硬度达到最高值，此时薄膜的内应力也最大。     

对薄膜CrAlTi(Y)N硬度的研究

本文研究了Al靶中加入不同含量的稀土钇（Y）对CrAlTiN薄膜硬度的影响。并应用原子力显微镜（AFM）、能谱仪（EDS）、纳米压入仪、显微硬度计对薄膜样品进行分析。结果表明,CrAlTiN薄膜中稀土元素Y的加入使得灿元素单位时间内沉积量提高,CrAlTiN薄膜晶粒细化,薄膜的表面相由CrN、Cr2N向Cr逐渐变化。当Y〈0．84％时CrAlTiN薄膜的硬度随着稀土Y含量的升高而降低;当Y〉0．84％时CrAlTiN薄膜的硬度随着Y含量的升高而升高。     

掺镁钛酸锶厚膜氧传感器的敏感机理研究

研究了掺镁钛酸锶（ＳｒＴｉＯ３）厚膜氧传感器的敏感机理，镁在ＳｒＴｉＯ３的含量分别取１０％、２０％、３０％、４０％和５０％（摩尔分数）。实验结果表明，当温度在４００￣９００℃之间、氧分压在３８Ｐａ￣２．６×１０＾４Ｐａ之间时，所有的样品均为空穴导电型（ｐ型）半导体；镁含量为４０％（摩尔分数）的ＳｒＴｉＯ３厚膜样品显示出最好的氧敏性能，在温度为５００￣８００℃时，它对氧分压变化的灵敏度为７￣８．５，     

nNA与PMMA的溶混特性

研究了间硝基苯胺（ｍＮＡ）与聚甲基甲酯（ＰＭＭＡ）的溶混特性，用非平衡方法制取ｍＮＡ在ＰＭＭＡ中均匀混合的透明薄膜，通过工艺参数优化将透明薄膜中ｍＮＡ的含量提高到５０ｗｔ％。