InGaAsP/InP外延薄膜折射率与厚度测量

本文报道一种应用波导耦合光栅测量InGaAsP/InP外延薄膜折射率与厚度的方法。该法测量精度高,具有非破坏性与工艺实时性优点。外延薄膜折射率与厚度测量精度分别可达到±2×10~(-3)与±1×10~(-2)μm,这完全满足DFB与DBR等一类半导体激光器以及有源导波光学器件的设计需要。     

温控式氦氖激光器功率和频率的稳定

本文介绍一种内腔式氦氖激光器功率和频率稳定装置及其实验结果。功率稳定度达到±0.12％,频率稳定度达到±5×10~(-9)。     

微波集成电路基片复介电常数快速宽频带测试技术

本文提出了一种微波集成电路基片复介电常敛测试技术,其测试频率范围为1～20CHz,εJ的测试范围为2～25,tanδ的测试范围为3×10~(-4)～1×10~(-2),可以测试各种柔性和刚性的介质基片材料,则试ε′_r的不确定度优于±1％,tanδ的不确定度约为±10％。该测试技术实现了无损和自动化测量,测试电路简单,测试速度快,尤其适用于介质基片的批量和在线检测。     

高透过低吸收KCl单晶生长

本文介绍一种生长卤化物单晶的方法——注入式反应气氛下降法(称IRABP法).采用该法已获得φ75×75的优质 KCl单晶。用10.6μmCO_2激光量热卡计测量单晶的体吸收系数β_(10.6■1～2×10~(-4)cm~(-1)。讨论各种工艺参数对晶体质量的影响。     

数字电路控制的7安培高稳定度稳流电源

本稳流电源的输出电流为0—7安培。电流稳定度优于2.5×10~(-6)/3分钟(包括漂移、纹波及噪声)。电流调整电路由两块十位数模变换器及集成电路组成。电流的每步调整量可分别是1×10~(-6)、1.5×10~(-5)、4×10~(-3)、2.5×10~(-2)。本文介绍了电路的设计和测量结果。     

半绝缘InP注硅的无包封退火

掺Fe半绝缘 InP材料室温下注入Si~+,在 650℃无包封退火15 min,辐射损伤已可消除;但是Si的充分电激活则需要较高的退火温度.无包封下即使在 750℃退火 30 min,样品表面貌相也未被破坏.用能量E=150keV注入Si~+、剂量φ为1× 10~(13)、5 × 10~(13)和1×10~(14)cm~(-2)的样品.在750℃无包封退火15min,最高载流子浓度n_s分别是8×10~(13)、3.9×10~(13)和 6.3 ×10~(13)cm~(-2),其中φ为 1×10~(13)cm~(-2)的样品,霍耳迁移率μ_n为 2100 cm~2/V·scc.     

红外透射光谱测量重掺杂化合物半导体裁流子浓度方法的研究

文报道了用红外透射光谱测量重掺杂化合物半导体n-GaAs和n-InP 载流子浓度的研究结果.给出了载流于浓度N和透射光谱截止波长λ_c的关系曲线,对应的经验公式为:对于 n-GaAs,N=1.09 × 10~(21)λ_c~(3.0623);n-InP,N=3.58 × 10~(20)λ_c~(-2.6689).本方法载流子浓度测量范围为 1.0×10~(17)≤N≤2.0 ×10~(19)cm~(-3),测量误差 ±10～15％.文中对测量条件进行了讨论,并给出了GaAs:Si样品载流子浓度径向分布的测量结果.     

S波段介质稳频调制器

本文介绍了一种采用A_7介质谐振器制成的S波段介质稳频调制器的设计和实验结果。采用加载带阻滤波稳频获得了良好的稳频效果。在-40℃～+50℃温度范围内,输出功率为10毫瓦时,频率稳定度为±0.4×10~(-4)～±1.46×10~(-4),输出功率≥40毫瓦时,频率稳定度为±3×10~(-4)。调频范围大于600千赫,电调灵敏度为200千赫/伏,调频非线性<6％;体积仅有(60×60×30)立方毫米,可以同时传送遥控(遥测)和话音。     

电子和Ar_2~+的复合

本文描述了用能量约100KeV,半宽为8毫微秒的电子束脉冲电离纯Ar气,通过观察电离气体电导率的时间衰减,在1～4大气压和电子平均能量为(2.8±0.4)eV 的条件下,测定了电子-Ar_2~+ 的有效复合速率常数α_(有效)。α_(有效)值在3.79×10~(-7)厘米~3/秒到1.23×10~(-7)厘米~3/秒之间。实验结果表明,α_(有效)与Ar的密度N_(Ar)成线性关系,α_(有效)=α_2+k_pN_(Ar),其中α_2为二体离解复合速率常数,k_p为以 Ar作为第三体的三体复合速率常数。由上式我们得到α_2=(5±2)×10~(-8)厘米~3/秒,k_p=(2.4±1.4)×10~(-27)厘米~6/秒。如果将Mehr等人和Shiu等人的实验结果外推到2.8eV,其α_2值为4.4×10~(-8)厘米~3/秒,与我们的测量值十分接近。我们的三体复合速率常数k_p 也符合修正的Thomson三体复合理论所估计的值。     

用加速旋转坩埚技术布里奇曼法生长碲镉汞单晶

本文报导了将加速旋转坩埚技术布里奇曼法应用于碲镉汞单晶的生长工艺中,获得了性能优良的原生n型晶体。对于x值力0.19～0.22的φ12晶片,组份均匀性为±0.0025,77K下载流子浓度小于4×10~(14)cm~(-3),迁移率高达2.8×10~5cm~2/V·s     

高精度光度仪器不准确度的确定

本文介绍了一种高精度光度仪器不准确度的分析和确定方法.对于作者所研制的宽波段光度仪器,在紫外-可见-近红外区确定了优于±5×10~(-4)的测量不准确度.     

10~(-6)稳定度恒流源

在利用霍尔效应测量磁场强度时,为保证其精确度,希望为霍尔元件提供一个稳定可靠的电流源.本文介绍一台具有10~(-6)量级稳定度的恒流源(稳流电源).该电源在下列条件下,设计指标要求优于5×10~(-6):(1)当输入交流电压为220伏±20%时;(2)当负载电阻为6.5欧±20%时;(3)8小时以上长时间     

半导体器件钝化膜应力的测量研究

作者建立了一套激光反射法薄膜应力测量装置。经分析得到其测量相对误差小于10％,灵敏度为1.8×10~8dyn/cm~2。利用该装置测量了常用的PECVD SiN和SiO_2钝化膜的应力,它们均呈压应力,数值分别为1～3×10~(10)dyn/cm~2和1～2×10~9dyn/cm~2。给出了不同的工艺条件、薄膜厚度和测试温度下的应力以及退火处理对应力的影响。     

He-Ne拍波激光干涉仪的研究

介绍了一种可对大尺寸工件进行无导轨精密测量的方法和装置。装置以双纵模热稳频HeNe激光器为光源。理论及实验均证明该光源的频差有较高的稳定度(室外不低于1×10-7)和强的抗干扰性,拍波频率约为750MHz,拍波长约为400mm。该装置以拍波合成的场强信号的节点为对准标志,以光路组合形成的双频激光干涉仪测量尾数部分。实验表明,该装置的节点定位精度小于0.05mm,尾数测量部分分辨率为0.08μm,整个测量系统可在20m范围内进行精度为±50μm+1.5×10-6·L(L为被测长度,单位为m)的测量。     

Cd0.95Fe0.05Te能隙的温度和压力效应

采用金刚石对顶砧高压装置测量了半磁半导体Cd_(0.95)Fe_(0.05)Te光吸收边的压力效应,得到其一级和二级压力系数分别为α=8.2×10~(-11)eV/Pa和β=-7.7×10~(-21)eV/Pa~2;测量了不同温度下的Cd_(0.95)Fe_(0.05)Te吸收谱,得到其能隙温度系数为α=-4.4×10~(-4)eV/K。此外,在低温下发现了一个Fe~(2+)吸收峰,根据晶体场理论判定为Fe~(2+)的~5E→~3T_1跃迁吸收峰。     

C—V法液晶弹性常数的测定

本文描述了近几年发展的电容—电压或电容频率测量技术,即相敏电容桥。该测量系统由计算机控制,测定频率范围为30Hz-10kHz、利用STN—0020/01SBE液晶材料在不同温度条件下测定了弹性常数K_(11)～14.9×10~(-12)N.K_(33)～15.3×10~(-2)。在玻璃板上镀金膜作为液晶分子平行取向排列层兼作为电极。本测试系统的误差和精度分别在电容值的测量误差为±5％,正弦波(30Hz—10KHz)的频率精度±1％、给出弹性常数K_(11)、K_(22)、K_(33)的误差为±5％～±10％。     

Ag_3AsS_3单晶中10.6微米讯号的上转换

报告了淡红银矿(Ag_3AsS_3)单晶中10.6微米讯号上转换实验.使用未调Q红宝石激光作泵源,在0.2千瓦/厘米~2泵光功率密度下获得的最大功率转换系数为1.6×10~(-5)(量子转换系数～1×10~(-6)).测量了位相匹配曲线及转换系数随泵光功率密度的变化曲线,最佳位相匹配角是26°30＇±10′.对实验结果进行了讨论.     

测量光学参考腔稳定度的偏振法

报告一种测量光学参考腔稳定度的偏振方法。以稳定度为2×10~(-10)(采样时间0.01s)的He-Ne激光器用该法实际测量了一个参考腔的稳定度为1.3×10~(-9)。     

环形激光测磁系统的信号检测与稳频

本文介绍了在环形激光测磁系统中使用共同的光电检测器和预放器检测磁场信号和激光频率漂移的方法,详细介绍了系统中所用的无静差数字式稳频器。磁场产生的拍频的测量精度可达到2×10~(-5)±1Hz,1秒钟采样时激光频率稳定度可达到5×10~(-9)。     

微生物的激光处理

光量子流面密度σ为2.13×10~(17)/mm~2s的扩展的CO_2激光束束温达80℃时,有机物即可碳化;会聚的He-Ne激光束σ为4.78×10~(14)/mm~2s时温升仅3℃;它们均能使生物体诱变。激光作为一种引起微生物特性诱变的手段,在苏芸金杆菌(Bt)、产黄青霉菌、龟裂链霉菌、啤