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采用有机(柠檬酸)凝胶法来制备氧化锌压敏陶瓷材料,与相同成分用常规氧化物混磨工艺制粉的对照样品的性能进行比较。凝胶法制备的氧化锌压敏粉料具有准纳米级(200~300nm)的颗粒度,制成的氧化锌压敏电阻具有更高的非线性系数和压敏电压梯度.相对均匀的微观结构及高化学均匀性是采用有机凝胶法制备的氧化锌压敏陶瓷性能提高的主要原因. 相似文献
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氧化锌压敏陶瓷烧结致密化过程的研究 总被引:6,自引:0,他引:6
本文研究了氧化锌压敏陶瓷的致密化过程,结果发现只有当烧结温度升高到一定值时,试样中的ZnO粉粒产生聚集,致密化过程才开始.致密化是瓷体获得稳定电性能的基础.低熔点添加剂B2O3可以降低致密化的起始温度,而致密化过程中的等温烧结对ZnO压敏陶瓷的最大密度几乎没有影响. 相似文献
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研究了多元纳米复合ZnO电压敏粉体在高温下的烧结行为.应用晶粒生长的动力学方程Gn-G0=K0texp(-Q/RT),确定了晶粒生长的动力学指数n和激活能Q.实验结果表明,随着烧结温度的提高和保温时间的延长,ZnO压敏陶瓷的晶粒不断长大,其动力学指数n=3.2,激活能Q=(185±28)kJ/mol. 相似文献
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烧结过程对氧化锌压敏陶瓷晶核形成和生长过程的影响 总被引:6,自引:0,他引:6
粞文研究了烧结过程中升温速度及其温区对A,B两类ZnO压敏陶瓷材料的晶粒尺寸和击穿场强的影响规律,发现加快400-950℃段的升温速度,A类试样的晶料 寸增大,击穿场强E从60V/mm下降到15-30V/mm;B类试样的闰尺寸变小,E1mA从220V/m提高到290V/mm,要文从晶核形成速度和晶粒生长速度与温度关系出发,对实验结果进行了分析,讨论留念方体系决定晶核形成速度与温度的关系,在瓷料合适 相似文献
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发现了ZnO压敏陶瓷中的锥状或柱状“突起物”现象.通过能谱发现“突起物”的物质构成是ZnO,而且是ZnO晶粒生长形成的实体,并非气体在ZnO中形成的气泡.进一步论证了这种现象是ZnO极性生长造成的,并从内因和外因两个方面进行了分析.内因是ZnO的极性晶格结构和结晶形态,外因是ZnO压敏陶瓷中Bi2O3液相提供了极性生长得以显现的物化环境,并且通过单独添加Bi2O3的97mol%ZnO+3mol%Bi2O3配方和100mol%纯ZnO配方制备样品进行对比实验,验证了Bi2O3的作用. 相似文献
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研究了用于水轮发电机灭磁与过电压保护的高能ZnO压敏电阻在贮能电感释放的能量脉冲作用下的老化现象,能量脉冲可以分解为直流电场和能量两个分量。能量脉冲后,压敏电阻的特征电压,非线性系数和预击穿区V-A特性都发生跌落,而且这种跌落随脉冲次数增加而增加,能量脉冲使压敏电阻发老化机理是发生在晶粒耗尽层中和富铋晶界层中的离子迁移使双Schottky势垒降低。 相似文献
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基于柱状ZnO薄膜的超低阈值电压压敏电阻 总被引:3,自引:0,他引:3
利用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了基于柱状ZnO薄膜的Al-ZnO-Al三明治结构的超低阈值电压的压敏电阻。XRD和SEM测试结果表明,该压敏电阻中的ZnO薄膜层为结晶性能良好,并且沿ZnO的(002)晶面择优取向生长的柱状薄膜。I-V测试结果表明,这种由柱状ZnO薄膜构成的压敏电阻阈值电压仅3.2 V,为现有压敏电阻中阈值电压最低的压敏电阻。 相似文献
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本文采用直流磁控溅射法和多次沉积与掩膜技术,在n+Si(100)衬底上制备了一系列厚度不同的ZnO薄膜,表面镀Au的探针与ZnO/n+-Si构成了一系列ZnO层厚不同的Au/ZnO/n+-Si薄膜压敏电阻器.利用X射线衍射确定沉积的ZnO薄膜为高度c轴(0002)取向的晶体薄膜,利用紫外-可见透射光谱对沉积的ZnO薄膜... 相似文献
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ZnO导电陶瓷的微观结构与导电机理 总被引:14,自引:2,他引:12
本文探讨了ZnO导电陶瓷的微观结构与导电机理。发现基俱有不同于ZnO压敏电阻和ZnO线性电阻的特殊的微观结构。该导电陶瓷是由大的并带有针状的晶粒及小的粒状晶粒组成,针状晶粒体积较大(15~20μm),它们在烧结体内相互连接,形成一个连续的整体而贯穿烧结体始终,本文还介绍了该导电陶瓷的特点。该导电陶瓷室温电阻率可达到0.068Ω.cm室温下就能导电,工作时无需预热。 相似文献
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通过掺杂研究了微量Y2O3对低压氧化锌压敏电阻的电性能影响,并采用SEM测试手段对其微观组织结构进行了分析研究,从理论上探讨了Y2O3影响低压氧化锌压敏电阻电性能与组织的机理.研究结果表明,在0~0.07%(摩尔分数)掺杂范围内,随着Y2O3含量的增加,低压氧化锌压敏电阻的电场强度明显提高;当Y2O3含量超过0.07%时,电场强度又呈下降趋势.低压氧化锌压敏电阻掺杂Y2O3后,非线性指数α增大,漏电流IL减小,但当掺杂量在0.06%~0.09%(摩尔分数)的范围内,漏电流IL和非线性指数α的变化不大.其原因是Y2O3加入到氧化锌压敏电阻中,Y主要以固溶的形态分布于ZnO晶内和晶界处,使ZnO晶体的自由电子浓度增大,进而使填隙锌离子Zni的总浓度下降,引起填隙锌离子的传质能力下降,抑制了ZnO晶粒的生长,因而晶粒尺寸随Y2O3掺杂量的增加而减小. 相似文献