Ta_2O_5薄膜的淀积及其在SAW器件中的应用

用反应性直流二极溅射法在熔融石英基片上淀积了Ta_2O_5结晶薄膜。研究了Ta_2O_5薄膜的晶状结构和压电性能。测量了在熔融石英基片上的Ta_2O_5薄膜中传播的SAW的特性,其中包括:相速度、耦合系数、延迟温度系数和传输损耗。当hk=1.6时,耦合系数K~2为0.7％;当hk=1.78时,一阶延时温度系数为零。     

中红外薄膜的离子辅助淀积

本文研究了用离子束辅助淀积的中红外ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＹｂＦ３，ＢａＦ２，ＢａＦ２＋ＣａＦ２（６：４）膜在３．８μｍ波长处光学特履和其它性能，用透射电镜和光电子能谱仪研究了这些单层膜微结构和化学计量比。实验发现离子束辅助淀积膜层填充密度增加，附着力增强，机械强和环境稳定性得到明显改善。用离子束辅助淀积的中红外反射膜在３．８μｍ波长反射率大于０．９９４。     

离子束辅助淀积薄膜

本文叙述了淀积薄膜时助以离子轰击的电子束蒸镀工艺对薄膜特性的某些影响。薄膜置于潮湿大气中,由于吸潮性的减低,而使SiO_2、TiO_2和ZrO_2薄膜的填充密度明显增加。在ZrO_2-SiO_2多层干涉滤光片中,其峰值透过率波长的变化,从不用离子辅助所淀积膜的8毫微米减到用离子束辅助淀积膜的不到1毫微米。     

取向性Ta_2O_5薄膜的制作

最近,Ta_2O_5薄膜已应用于集成光学器件和太阳能电池上作抗反射涂层.这些应用是鉴于薄膜的高化学稳定性,特别是具有相当低的光传输损耗的光学特性.但这些薄膜都是无定型的.本研究是采用反应性直流二极溅射工艺,用金属钽靶和氩、氧混合气体在石英基片上获得结晶性薄膜,本研究提供了制得取向性和无定型Ta_2O_5薄膜的有关沉积条件,并首次观察到取向性Ta_2O_5薄膜的压电现象.成功地用叉指换能器在Ta_2O_5薄膜上激励出声表面波.     

具有压电效应的Ta_2O_5晶体薄膜

<正> Ta_2O_5薄膜以其很高的化学稳定性和优良的光学性能(如折射率高,光吸收率很低等)用于薄膜电容器、光波导和太阳能电池的减反射涂层等方面。以往的Ta_2O_5薄膜都是通过电子束蒸发钽然后热氧化或高频溅射、直流二极反应溅射获得的,并且上述用途的Ta_2O_5薄膜都是非晶膜。本文报道了在熔融石英基片上用直流二极反应溅射技     

薄膜的离子束辅助淀积

本文报导一些介质膜在电子枪源蒸发过程中用离子轰击后光学特性的变化,目的是提高膜的聚集密度,从而减小其对潮气的吸附,以便提高其稳定性。     

离子辅助淀积介质保护膜

热蒸发或溅射制得的光学透明介质膜,由于它的渗透和不稳定,使其在许多应用上受到限制。本文报导了由离子束辅助淀积的介质保护膜,与通常淀积技术制得的薄膜相比具有相当大的改进。这一结论能用离子辅助淀积薄膜的填充密度比通常蒸镀方法获得的松散柱状微细结构膜层的填充密度大来解释。另外,金属膜层用离子轰击获得相当稳定的结构,并大大改善了膜层的附着力。基底表面的光洁度影响了这些膜层的抗化学腐蚀能力。     

离子辅助淀积SiO_2和TiO_2膜的特性

用同Ebert研制成的类似的氧离子源研究了SiO_2和TiO_2膜的反应淀积。这离子源通过直流气体放电产生负氧离子,然后用石墨出孔把锥形负离子束引向衬底。此源在400V放电电压下产生1.26mA的离子流。淀积所用原料是由电阻加热舟蒸发的SiO和TiO。测得TiO_2膜的光学常数表明,提高离子流就降低了膜的吸收常数,提高了膜的折射率。借助红外衰减全反射率测量研究SiO_2膜的化学配比、潮气含量及悬挂键。这些测量指出,离子流提高时,SiO_2膜的化学配比接近SiO_2。     

离子选择性电极法测定Ta_2O_5中的氟

本方法采用国产PXJ-1型数字式离子计测定Ta_2O_5中的氟,并选用石蕊指示剂指示试液中的PH值,因此简化了操作手续。 另外,本文还着重探讨了钠离子浓度,试液的酸度对测定结果的影响。根据试验结果选择了较理想的试验条件,获得了比较满意的结果。     

离子辅助淀积防护介质膜

实验淀积膜所用设备的结构图示于图1。由扩散泵浦真空系统产生的基本压力为10~(-4)Pa。用电子束蒸发器淀积薄膜。25mm直径BK7抛光玻璃试验衬底装在蒸发料源上方420mm处,可用Kanfman离子枪以34°入射再辐照。膜淀积的光学控制是由透射或反射光完成。采用离子束进行辅助淀积的所有试样,所用氩离子能量为700eV,离子束电流密度为150mAm(-2)(像法拉弟帽所测的那样)。并设想将离子束能量或电流最佳化。通过淀积光透过率约为5％的对溶剂灵敏的银和铝膜来制备试样(这透过率对     

离子辅助淀积镀膜技术的应用

在亚利桑那大学和其它单位正在继续进行一项有很大希望的离子辅助淀积镀膜技术。用普通方法淀积的透射膜，各次工作之间的折射率会发生变化，有时甚至单层膜也如此。周围环境的湿度由于微气孔对水的吸收或解吸也使折射率变化。因此清除这些气孔和其它结构特性(由于到达基底的附加原子的有限迁移率所致)，可以形成更致密、更稳定和更均匀的淀积层。这样，就能制作更完善的多层光学膜。     

离子辅助淀积光学薄膜:低能和高能离子的轰击

研究了在光学元件上的氧离子辅助淀积SiO_2和TiO_2膜层与离子能量(30-500电子伏特)和离子流密度(0-300微安/厘米~2)的关系。证实了低能和高能离子轰击场能改善SiO_2膜的化学配比,而在低能情况其改善略为大些。对于TiO_2膜,低能轰击能改善化学配比,而高能轰击反而导致明显不利。在高能离子辅助淀积的SiO_2薄膜中氢含量减少到1/10。在低温基片上(50-100℃)制备了牢固的膜层。讨论了膜层的内应力特性。     

CVD法淀积Al_2O_3膜及其与InP、Si的界面性质

本文介绍了用CVD方法分别在Si和InP上淀积了Al_2O_3膜.并用椭偏仪、高频C-V,准静态C-V、DLTS对Al_2O_3膜的性质及其与Si和InP的界面性质进行了测试分析.     

空心阴极离子淀积TiN薄膜特性研究

本文用空心阴极离子淀积系统,在氮和氩的混合气体中淀积了TiN薄膜.X射线衍射方法、俄歇电子谱(AES)和电学测量等方法用来研究分析了TiN薄膜的结构、组分和薄膜电阻率.该TiN薄膜有很低的电阻率,其电阻率约为25μΩcm.Al/TiN/Si金属化系统经550℃、30分钟热退火后,卢瑟富背散射(RBS)分析结果表明,没有发现互扩散现象,说明TiN在硅集成电路中是一种良好的扩散势垒材料.     

多晶硅薄膜的淀积

近十年来,由于硅栅工艺在MOS集成电路中的应用逐渐普遍,对于介质上淀积多晶硅荡膜的工艺,以及多晶硅淀积层性质的研究己经受到了重视。     

聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型

在 U.G.Meyer离子与表面吸附气体相互作用模型的基础上 ,提出了聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型 .该模型包含了淀积过程中淀积作用和溅射作用的共同影响 ,指出在一定的离子束电流和反应气体流量下 ,影响淀积速率的主要因素是离子束的照射时间和扫描周期 .模型的计算结果与实验结果比较取得了较好的吻合 ,说明该模型比较精确地反映了聚焦离子束辅助淀积的物理过程 .     

聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型

在U.G.Meyer离子与表面吸附气体相互作用模型的基础上,提出了聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型.该模型包含了淀积过程中淀积作用和溅射作用的共同影响,指出在一定的离子束电流和反应气体流量下,影响淀积速率的主要因素是离子束的照射时间和扫描周期.模型的计算结果与实验结果比较取得了较好的吻合,说明该模型比较精确地反映了聚焦离子束辅助淀积的物理过程.     

TiO_2:Ta_2O_5固相混合薄膜的电子探针定量分析研究

利用电子微探针波谱仪,对单源固相混合真空镀膜制备的不同混合比的TiO_2:Ta_2O_5单层膜,进行了膜成份分析。选择P-T方法对电子探针测试数据做了理论修正。实验结果表明:由于TiO_2与Ta_2O_5真空蒸发温度的差异,单源混合蒸发时,出现了分馏蒸发现象。     

离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜

采用离子束淀积方法制备了单相Gd Si2 薄膜.用俄歇电子谱仪对样品的成分进行了分析,用X射线衍射方法分析了样品的结构,并用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌.X射线衍射分析发现在4 0 0℃沉积的样品中仅存在正交的Gd Si2 相.样品在氩气氛中35 0℃,30 m in退火处理后,Gd Si2 相衍射峰的半高宽变窄,说明经过退火处理,Gd Si2 的晶体质量变得更好     

离子束淀积方法制备GdSi2薄膜

采用离子束淀积方法制备了单相GdSi2薄膜.用俄歇电子谱仪对样品的成分进行了分析,用X射线衍射方法分析了样品的结构,并用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌.X射线衍射分析发现在400℃沉积的样品中仅存在正交的GdSiz相.样品在氩气氛中350C,30min退火处理后,GdSi2相衍射峰的半高宽变窄,说明经过退火处理,GdSi2的晶体质量变得更好.