Ti—Al—Ga系及Ti—Al—Nb—Cr系α（α2）／γ相平衡的研究

利用电子探针微区成分分析测定了Ｔｉ－Ａｌ－Ｇａ系，Ｔｉ－Ａｌ－Ｎｂ－Ｃｒ系低Ｇａ，低Ｎｂ和低Ｃｒ部分的α（α２）／γ相平衡成分，推得了合金元素Ｇａ，Ｎｂ和Ｃｒ在α（α２）／γ平衡相中的成分分配比Ｋ＾（呔２）／γｉ，并利用分配比方程计算出Ｇａ，Ｎｂ和Ｃｒ在不同温度下的γ相的稳定化参数Δ＾＊Ｇ＾α（α２）→γｉ。结果表明，Ｇａ，Ｎｂ为γ相稳定化元素，Ｃｒ为α相稳定化元素。     

Ti－Al－Ga系及Ti－Al－Nb－Cr系α（α_2）／γ相平衡的研究

利用电子探针微区成分分析测定了Ｔｉ—Ａｌ—Ｇａ系，Ｔｉ—Ａｌ—Ｎｂ—Ｃｒ系低Ｇａ，低Ｎｂ和低Ｃｒ部分的α（α_２）／γ相平衡成分，推得了合金元素Ｇａ，Ｎｂ和Ｃｒ在α（α_２）／γ平衡相中的成分分配比Ｋ并利用分配比方程计算出了Ｇａ，Ｎｂ和Ｃｒ在不同温度下的γ相的稳定化参数结果表明，Ｇａ，Ｎｂ为γ相稳定化元素，Ｃｒ为α相稳定化元素．     

α(α_2)/γ PHASE EQUILIBRIA IN Ti-Al-Ga AND Ti-Al-Nb-Cr SYSTEMS

利用电子探针微区成分分析测定了Ｔｉ—Ａｌ—Ｇａ系，Ｔｉ—Ａｌ—Ｎｂ—Ｃｒ系低Ｇａ，低Ｎｂ和低Ｃｒ部分的α（α_２）／γ相平衡成分，推得了合金元素Ｇａ，Ｎｂ和Ｃｒ在α（α_２）／γ平衡相中的成分分配比Ｋ并利用分配比方程计算出了Ｇａ，Ｎｂ和Ｃｒ在不同温度下的γ相的稳定化参数结果表明，Ｇａ，Ｎｂ为γ相稳定化元素，Ｃｒ为α相稳定化元素．     

Relation between EL2 Groupand EL6 Group in SI-GaAs

ＲｅｌａｔｉｏｎｂｅｔｗｅｅｎＥＬ２ＧｒｏｕｐａｎｄＥＬ６ＧｒｏｕｐｉｎＳＩ－ＧａＡｓＷｕＦｅｎｇｍｅｉ吴凤美（Ｄｅｐｏｒｔｍｅｎｔｏｆｐｈｙｓｉｃｓ，ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００９３，Ｃｈｉｎａ）ＺｈａｏＺｈｏｕｙｉｎ...     

INVESTIGATION ON PHASE DIAGRAM OF SYSTEM LaCl_3-BaCl_2-NaCl

ＩＮＶＥＳＴＩＧＡＴＩＯＮＯＮＰＨＡＳＥＤＩＡＧＲＡＭＯＦＳＹＳＴＥＭＬａＣｌ３ＢａＣｌ２ＮａＣｌ①ＺｈｅｎｇＹａｎｋｅ，ＺｈｅｎｇＣｈａｏｇｕｉＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，ＰｅｋｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１００８...     

CO2气体保护焊在变压器箱体焊接上的应用

ＣＯ＿２气体保护焊在变压器箱体焊接上的应用四川自贡东锅实业公司电站三厂（６４３０１０）王晓东ＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｆＣＯ＿２ＧａｓＳｈｉｅｌｄｅｄＷｅｌｄｉｎｇｏｎＴｒａｎｓｆｏｒｍｅｒＣａｓｅＷｅｌｄｉｎｇＺｉｇｏｎｇＥａｓｔｅｒｎＢｏｉｌｅｒＺ...     

Investigation of EL2 Defect in 10 MeV Electron Irradiated Undoped Semi－insulating LEC GaAs

ＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｆＥＬ２Ｄｅｆｅｃｔｉｎ１０ＭｅＶＥｌｅｃｔｒｏｎＩｒｒａｄｉａｔｅｄＵｎｄｏｐｅｄＳｅｍｉ－ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇＬＥＣＧａＡｓＷｕＦｅｎｇｍｅｉ，ＳｈｉＹｉ，ＣｈｅｎＷｕｍｉｎｇ，ＷｕＨｏｎｇｗｅｉａｎｄＬａｉＱｉｊｉ（...     

Na2O—Ga2O3系相平衡研究

用示差热分析（ＤＴＡ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）方法测定Ｎａ２Ｏ－Ｇａ２Ｏ３（≥５０ｍｏｌ％Ｇａ２Ｏ３系相平衡图。结果表明，该二元系中有Ｎａ２Ｏ·Ｇａ２Ｏ３，２Ｎａ２Ｏ·３Ｇａ２Ｏ３，Ｎａ２Ｏ·３Ｇａ２Ｏ３和Ｎａ２Ｏ·５Ｇａ２Ｏ３四个中间化合物。２Ｎａ２Ｏ·３Ｇａ２Ｏ３在温度高于９７６±８℃时分解为Ｎａ２Ｏ·Ｇａ２Ｏ３和Ｎａ２Ｏ·３Ｇａ２Ｏ３·Ｎａ２Ｏ·Ｇａ２Ｏ３，Ｎａ２Ｏ·３Ｇａ２Ｏ３和Ｎａ２Ｏ·５     

Thermodynamic Analysis of Ga-As-Sb-C-H System and Design of MOVPE Process for Ga(As,Sb) Semiconductor

ＴｈｅｒｍｏｄｙｎａｍｉｃＡｎａｌｙｓｉｓｏｆＧａＡｓＳｂＣＨＳｙｓｔｅｍａｎｄＤｅｓｉｇｎｏｆＭＯＶＰＥＰｒｏｃｅｓｆｏｒＧａ（Ａｓ，Ｓｂ）ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＬｉＪｉｎｇｂｏ，ＺｈａｎｇＷｅｉｊｉｎｇ，ＬｉＣｈａｎｇｒｏｎｇａｎｄＤ...     

Kinetic Study of MOCVD Ⅲ-Ⅴ Quaternary Antimonides

１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｈｅＧａＩｎＡｓＳｂａｎｄＡｌＧａＡｓＳｂｑｕａｔｅｒｎａｒｙａｌｏｙｓｍａｔｃｈｅｄｔｏＧａＳｂｓｕｂｓｔｒａｔｅｓｈａｖｅａｇｒｅａｔｐｏｔｅｎｔｉａｌｉｔｙｆｏｒｌｏｎｇｗａｖｅｌｅｎｇｔｈｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒ...     

Correlation between the Concentrations of Ionized EL2 and Carbon Acceptor in Undoped Semi－insulating LEC GaAs

ＣｏｒｒｅｌａｔｉｏｎｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅＣｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｓｏｆｌｏｎｉｚｅｄＥＬ２ａｎｄＣａｒｂｏｎＡｃｃｅｐｔｏｒｉｎＵｎｄｏｐｅｄＳｅｍｉ－ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇＬＥＣＧａＡｓＹａｎｇＲｕｉｘｉａ（杨瑞霞）（ＨｅｂｅｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅ...     

CALCULATION OF PHASE DIAGRAM FOR PSEUDOBINARY GaAs-InAs

ＣＡＬＣＵＬＡＴＩＯＮＯＦＰＨＡＳＥＤＩＡＧＲＡＭＦＯＲＰＳＥＵＤＯＢＩＮＡＲＹＧａＡｓ－ＩｎＡｓ￥Ｑｉａｏ，Ｈｕａｎ；Ｓｈｅｎ，Ｊｉａｎｙｕｎ；Ｌｉ，Ｇｕｏｘｕｎ（ＧｅｎｅｒａｌＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｆｏｒＮｏｎｆｅｒｒｏｕｓＭｅｔａｌ...     

耐热镁合金

日本本田汽车公司（Ｈｏｎｄａ Ｇｉｋｅｎ Ｋｏｇｙｏ Ｋａｂｕｓｈｉｋｉ Ｋａｉｓｈａ， Ｔｏｋｙｏ，Ｊａｐａｎ）发明一种耐热镁合金，并在美国取得专利，专利号为５８１１０５８。该合金的成分（％）为：４．５　～ １０ Ａｌ， ０．１～３Ｃａ，１～３ＲＥ（至少含一种稀土元素），０．２～１Ｍｎ，其余为镁。各成分保持着如下关系。 １．６６＋１．３３ Ｗ（Ｃａ）＋０．３７ Ｗ（ＲＥ）≤Ｗ（Ａｌ）≤２．７７＋１．３３ Ｗ（Ｃａ）＋０．７４Ｗ（ＲＥ）耐热镁合金@王祝堂     

Aluminothermic Reduction of K2ZrF6 for Preparation of Al-Zr Master Alloy

ｌｕｍｉｎｏｔｈｅｒｍｉｃＲｅｄｕｃｔｉｏｎｏｆＫ２ＺｒＦ６ｆｏｒＰｒｅｐａｒａｔｉｏｎｏｆＡｌＺｒＭａｓｔｅｒＡｌｏｙＲａｊａｇｏｐａｌａｎＰ．Ｋ．,ＳｈａｒｍａＩ．Ｇ．ａｎｄＫｒｉｓｈｎａｎＴ．Ｓ．ＭａｔｅｒｉａｌｓＰｒｏｃｅｓｉｎｇＤｉｖｉｓ...     

CALCULATING ACTIVITIES USING Δ_(fus) H_((A_η)( B_ξ)) AND CALCULATION OF ACTIVITIES IN Ga-As, Ga-Sb AND In-Sb SYSTEMS

ＣＡＬＣＵＬＡＴＩＮＧＡＣＴＩＶＩＴＩＥＳＵＳＩＮＧΔｆｕｓＨＡηＢξＡＮＤＣＡＬＣＵＬＡＴＩＯＮＯＦＡＣＴＩＶＩＴＩＥＳＩＮＧａＡｓ，ＧａＳｂＡＮＤＩｎＳｂＳＹＳＴＥＭＳ①ＬｉＷｅｎｃｈａｏ，ＺｈｏｕＧｕｏｚｈｉ，ＬｉＸｉｎｇｋａｎｇ，Ｄｉｎ...     

A型沸石的制备及其对钙离子的吸附机理

研究了用高岭土制备Ａ型沸石及有关工艺过程，得出了最佳工艺条件，并对产品进行了Ｘ射线衍射及电镜扫描的测定。制备出对钙离子吸附能力高的Ａ型沸石，研究了其对溶液中Ｃａ２＋离子的吸附机理，讨论了温度和溶液浓度变化对Ａ型沸石吸附Ｃａ２＋离子动力学的影响。实验结果表明：Ａ型沸石对Ｃａ２＋的吸附可分为两个阶段：在反应的初期（ｔ≤１０ｍｉｎ），反应进行非常之快，影响因素复杂，动力学方程呈曲线关系；在反应的后期（ｔ＞１０ｍｉｎ），满足方程ｄＣ／ｄｔ＝－ｋ·Ｃ。经过计算，得出该吸附反应的活化能Ｅ＝１７．０７ｋＪ／ｍｏｌ，吸附频率因子Ａ＝２０２．４ｓ－１。     

Spatial Distribution of EL2 Defect in Semi-insulating GaAs

ＳｐａｔｉａｌＤｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｏｆＥＬ２ＤｅｆｅｃｔｉｎＳｅｍｉ－ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇＧａＡｓＲｕＱｉｏｎｇｎａ；ＬｉＧｕａｎｇｐｉｎｇａｎｄＨｅＸｉｕｋｕｎ（汝琼娜）（李光平）（何秀坤）（ＴｉａｎｊｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓ...     

回收铝的新工艺──Alurec法

回收铝的新工艺──Ａｌｕｒｅｃ法瑞典ＡＧＡＡＢ气体工艺集团公司（ＡＧＡＡＢＧａｓＴｅｃｈｎｏｌｏｓｙＧｒｏｕｐ）与德国霍哥文斯铝业公司（ＨｏｐｅｒｖｎｓＡｌｕｍｉｎｉｕｍ）共同开发了一种从铝渣中回收铝的工艺，名为阿卢雷克（Ａｌｕｒｅｃ）法，其特点是：...     

纳米晶SmFeGaC合金的硬磁性

用电弧熔炼方法制备了Ｓｍ２Ｆｅ１７－ｘＧａｘＣｙ（ｘ≤６，ｙ＝１．５和２．５）化合物，研究了它们的相形成、结构与磁性。用快速急冷方法制备了纳米晶ＳｍＦＧａＣ硬磁材料，研究了淬火速率、Ｇａ含量对矫顽力的影响，得到诀淬ＳｍＦｅＧａＣ的室温最大矫顽力ＨＣ＝１６ｋＯｅ。     

Growth and Characterization of AIGaAsSb by MOCVD

ＧｒｏｗｔｈａｎｄＣｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆＡＩＧａＡｓＳｂｂｙＭＯＣＶＤＷｕＷｅｉ；ＰｅｎｇＲｕｉｗｕａｎｄＷｅｉＧｕａｎｇｙｕ（吴伟）（彭瑞伍）（韦光宇）ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ，ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄ...