第一章 显象管内的残余气体

§1.国产显象管寿命过程中的气氛 用第二章所述的第一、第二种气体取样方法分析了多只国产12~#黑白显象管。表1.1和表1.2分别列出了101~#管吸气剂(?)散老炼前后,105~#管寿命过程中各阶段的残气分析数据(其它管子的情况类似),由表1.1可知,吸气剂(?)散前,管内总压力为8.2×10~(-6)杔,其中氮和二氧化碳占首位,达     

显象管中的残余气体

近年来国内在显象管的材料和工艺上做了大量的工作,使国产显象管的质量普遍有所提高,但为了赶上和超过国外显象管生产的先进水平,有待于我们继续努力。当前,如何延长国产显象管的使用寿伞,仍然是一个重要的课题,影响显象管寿命的因素很多,由于显象管具有有效阴极面小,电压高等特点管内的残余气体是一个极为重要的因素,通过管内残余气体的研究,不但可以找出寿终的原因,探索延长寿命的途径,而且也为合理确定制管工艺,正确选用管内材料。提供了依据,可见分析显象管中的残余气体是一项十分重要,不容忽视的工作 本文主要介绍了研究显象管中残余气体的装置和方法,讨论了国产显象管的各个阶段中,管内残余气体的变化规律。     

单片机实现气体压强的测量

介绍了以89C52为控制器的气体压强的测量仪，并采用液晶显示模块完成其显示功能。可记录30组数据，分30页显示，具有较高的测量精度和友好的显示界面。     

气体分析和分压强测量

在许多情况下,需要从真空的“量”和“质”两方面来评价真空环境。一般地讲,前者是指总压强测量,后者是指气体分析或分压强测量。在高和超高真空范围的抽气过程中,气体组分往往在变化。引起真空系统内部气氛变化的因素很多,例如系统原来充入的气体成分,真空泵抽气的选择性,各种材料的电极和容器壁的吸、放气影响,气体在各种表面上产生的物理和化学反应等等。当用某些真空规(其指示值与气体种类有关)测量总压强时,如果不清楚气体的组成,则所测的结果(等效氮压强)与真实压强可能有较大差别。在一些研究领域,工艺过程和器件内部,仅知道总压强是不够的,而了解气体组成及其分压强将更有实际意义。     

电子管内的残余气体

一、前言 为了分析限制真空系统内极限真空进一步提高的因素。1995年阿尔帕脱(Alpert)和培里兹(Burt8)研制成了回旋质谱计。测定了超高真空玻璃系统的残气成分。揭示了玻璃能透氦的特性。此后。人们广泛地研究各种抽气手段(?)到的真空的残气组成。从中找出原因。获得新的启发。不断改进泵的抽气性能。达到更高的极限真空。同时,残气分析技术也进入了电真空工业。分析电子管的排气过程,吸气剂的吸气性     

摄像管内真空压强的测量

摄象管必须在一定的真空和适当的气体成分下工作。对于“硬”真空的摄象管,管内真空度下降,将导致输出图象出现离子斑,光电靶面灵敏度下降,输出信号的信噪比降低,阴极中毒和损伤,管子寿命缩短等。对于“软”真空的摄象管,管内气体成分和真空压强的变化,将使本底电流不足,导致输出图象模糊,或者造成输出图象中离子斑,阴极中毒和损伤,管子寿命缩短等。所以,在摄象管制造过程中,测量封离后摄象管内的真空压强或残余气体压强,对分析摄象管的性能和合理确定工艺规范具有重要意义。     

示波管内残余气体的研究

近年来,电真空器件的残余气体分析技术取得了很大的进展,并广泛的应用于各类电真空器件中,但示波管作为一个很重要的管种,对它的残气分析工作还进行得很少。我们用回旋质谱计对示波管寿命过程中各个阶段的残余气体进行了系统的测试,并对寿终管的残余气氛的特征进行了测定。     

示波管内残余气体的研究

通过用回旋质谱计对示波管寿命过程中管内残余气体的分析,找出了示波管在排气封离前后、吸气剂蒸散前后、老炼过程中以及整个寿命过程中残气的变化规律。为改进工艺提供了依据。     

示波管内残余气体的研究

用HZP-1回旋质谱计对示波管在整个寿命过程中残余气体的变化规律进行了研究,分析了吸气剂蒸散前后,老炼过程,存放和寿命各个过程中管内残余气体的变化,从而为合理选择材料,制订工艺提供了依据。采用开管取样技术对寿终管进行了管内气氛的分析,判明了器件的失效原因,为进一步提高质量,延长器件的寿命指出了方向。     

金属卤化灯外壳内的残余气体

金属卤化灯的放电特性、发光效率、显色性和工作寿命都明显地受电孤管内有害杂质气体的影响,其中最有害的气体是氢气.如果外壳内氢气分压强远低于电孤管内氢气分压强,则有些氢气从电孤管内经高温的石英壁扩散入真空外壳中.一般外充内放入一种像Z_r—Al那样的吸气剂,它将能吸除氢气.在本试验中,用回旋质谱计分析外壳内残余气体,而用B—A真空计测量总压强.最后,实验给出了残余气体随灯管寿命的变化,以及灯管起动电压和端电压因外壳中氢气压力的增大而升高.     

银—氧—钾光电管内的残余气体

光电管的性能和寿命主要取决于光电阴极的质量,而管内气氛的优劣又是影响光电阴极质量的主要因素之一.这是因为一般光电管都具有人面积的活性表面,残余气体与光电阴极表面作用将会改变光电阴极的发射性能.例如,用少量的O_2对C_3—Sb光电阴极敏化将会大大提高光电阴极的光电灵敏度;而少量的H_2O污染S—20光电阴极表面将会永久性地损害其光电发射性能;残余Cs蒸汽的存在,还会引起Ag—O—Cs光电管性能的不稳定.     

磁控管内残余气体总压强的量测

本文分析了磁控管内冷阴极放电的特性,提出了利用管内自持汤生放电的原理来测量磁控管管内残余气体的总压强,通过对几种管型的磁控管放电特性的测试,确定了最佳工作电压 ,比较了不同条件的放电特性。这种方法可在10~(-2)～10~(-7)乇的 范围内利用磁控管本身来确定其管内的总压强。放电特性线性良好,灵敏度为1A/乇,有较好的重复性。文中也提出了降低测量下限的一些设想,最后介绍了一台磁控管内残余气体总压强测试仪。     

用残余气体分析仪测量和计算分压强

残余气体分析仪可以得到真空系统残余气体的质谱图,并给出各个质荷比峰的离子流值,但不能直接测量残余气体中各组分气体的分压强。在考虑到组分气体对某个峰的贡献可以线性叠加的基础上,本文介绍了峰的离子流与分压强、仪器灵敏度、传输几率和丰度之间的关系,从而得到了利用RGA质谱峰的离子流计算残余气体分压的公式。     

残余气体对阴极的作用

一、引言氧化物阴极,钡钨浸渍阴极或压制阴极,以及它们的改进型铱膜钡钨浸渍阴极在各种电真空器件中得到了广泛的应用。在真空器件的性能改进和增长寿命问题上、管内残余气氛对阴极性能和寿命的影响,仍然是一个重要因素。不论是化学活泼气体如O_2、H_2O、CO_2等或是例     

用于测量锅炉内气体温度的高温计

以前的类似高温计都是通过测量烟灰的温度来确定气体温度的,因此其应用仅限于使用含灰量较高的燃料的锅炉。     

超小型显象管和内磁聚焦技术

本文介绍了超小型显象管的水平和技术,并说明国内目前生产的最小尺寸1.5英寸管。详细介绍了国外研制的1/2英寸管的技术。特别是采用了内磁聚焦技术,为电子束管的结构更新开创了新路。     

真空灭弧室的残余气体分析

真空灭弧室的真空性能其制造的关键。真空灭弧室在三十多年的寿命期内要保持高真空，就必须对其最大漏气率和内部放气量提出严格要求。     

真空断路器内部气体压强的诊断方法

真空断路器体操小且极少维修。然而使用几年后,需要对真空灭弧室进行检测以保证真空室内具有足够的真空度。超过一定阀值的内部压强的升高将会降低电流开断容量和绝缘性能。普遍的做法是在工厂内对新地真空灭弧室进行压强测量。常用的测量系统是众所周知的磁控管原理。然而,使用多年后的真空断路器中真空度检验和新生产出的真空灭弧室的压强测量需要不同的测试程序和诊断技术。真空断路器的使用者对适用于现场使用的能否检测出超过     

气体压强对非晶硅薄膜光学特性的影响

采用RF-PECVD工艺在20～100 Pa范围内改变a-Si:H薄膜沉积工作气体压强.傅立叶红外光谱仪(FTIR)测试KBr衬底上的薄膜红外光谱峰随工作气体压强的变化情况,结合红外光谱峰的理论分析确定薄膜中氢含量随工作气体压强变化规律.光谱式椭偏仪中用Forouhi Bloomer(FB) 模型拟合得到薄膜的折射率(n),消光系数(k),厚度及光学禁带Eg,并用扫描电镜(SEM)断面分析对椭偏仪测试结果的准确性进行验证.根据Tauc公式推出薄膜的光学禁带宽Eg和截止波长,并和FB模型得到结果进行了比较,Eg(FB)和Eg(Tauc)的差值在11 meV内.原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)表征了工作气体压强对a-Si:H薄膜微结构的影响.     

第二章 显象管内电子诱导解吸的研究

§1引言 当电子碰撞固体表面时,可以从固体表面上激发出下述粒子。 (a)中性分子、原子或分子碎片; (b)受激中性粒子; (c)正的或负的离子。 这个过程为电子诱导解吸,简称EID(Electron Incluced Desorption)或者称为电解吸。 存在有电子束的真空器件中,不能忽视EID,因为它会引起如下后果: (1)中性粒子的释放,成为超高空真空状态中的主要气源,使容器内的压力上升。 (2)受激中性分子或化学活性碎片的释放。结果这些气体与其它一些表面发生化学反应,导致了气体成份的变化。 (3)释出的受激中性粒子足以从表面释放出电子。 此外,由于电子的轰击,从阳极解吸出离子,造成浪涌电流的产生,导致真空高压击穿。在B-A规里,EID的离子脱附,会出现反常的本底电流,造成气体压力的测量误差。