一种新型电子束曝光文件格式设计及其应用

提出一种新型的电子束曝光数据格式，引入了面向对象的设计和适应于矢量型电子束扫描方式的设计，提高了对通用图形数据格式转换的精确度和效率，同时更便于对电子束曝光机的曝光控制。该设计已在电工所的科研项目“纳米级电子束曝光系统”中得到应用，被称之为EDF数据格式。     

电子束光刻技术与图形数据处理技术

介绍了微纳米加工领域的关键工艺技术——电子束光刻技术与图形数据处理技术,包括:电子束直写技术、电子束邻近效应校正技术、光学曝光系统与电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术、电子束曝光工艺技术、微光刻图形数据处理与数据转换技术以及电子束邻近效应校正图形数据处理技术。重点推荐应用于电子束光刻的几种常用抗蚀剂的主要工艺条件与参考值,同时推荐了可以在集成电路版图编辑软件L-Edit中方便调用的应用于绘制含有任意角度单元图形和任意函数曲线的复杂图形编辑模块。     

SAL601负性电子束抗蚀剂纳米级集成电路加工

讨论了采用SAL6 0 1负性化学放大电子束抗蚀剂进行电子束曝光应用于纳米级集成电路加工的实验方法与工艺条件。经过大量实验总结 ,通过变剂量模型对电子束曝光中电子散射参数进行提取 ,应用于邻近效应校正软件 ,针对集成电路曝光图形进行邻近效应校正。校正后的曝光图形经过曝光实验确定显影时间及曝光剂量 ,最终得到重复性良好的 ,栅条线宽为 70nm的集成电路曝光图形     

SAL601负性电子束抗蚀剂纳米级集成电路加工

讨论了采用SAL601负性化学放大电子束抗蚀剂进行电子束曝光应用于纳米级集成电路加工的实验方法与工艺条件.经过大量实验总结,通过变剂量模型对电子束曝光中电子散射参数进行提取,应用于邻近效应校正软件,针对集成电路曝光图形进行邻近效应校正.校正后的曝光图形经过曝光实验确定显影时间及曝光剂量,最终得到重复性良好的,栅条线宽为70nm的集成电路曝光图形.     

大规模集成电路制作中的光刻技术——紫外线曝光和电子束曝光

本文从实用于大规模集成电路制备的观点出发,对紫外线光刻和电子束光刻图形制作工艺中的问题进行了综述。在紫外线光刻方面,对接触曝光和投影曝光的对比、图形对准精度和正性胶图形的缺陷进行了讨论;对电子束曝光亦进行了讨论,这里包括扫描电子束曝光系统的稳定性、绘图精度、电子束光刻胶特性及其在有掩模制备和芯片直接曝光方面的应用等问题。     

用工艺法校正邻近效应:理论与应用

电子束曝光时,由于抗蚀剂层和衬底中电子散射的作用,使抗蚀剂产生不希望的曝光,这种现象就是邻近效应。它导致图形特征尺寸与设计值的差异。这是采用电子束曝光方法制作高分辨率集成电路器件的主要限制。我们采用计算机模拟法研究了邻近效应,并且探索了能改进图形保真度的工艺处理方法。有两种方法能使邻近效应大大减小,即小束径法和多层抗蚀剂技术。这两种方法已经在HP电子束曝光系统上实际试验过。     

SAL601负性电子束抗蚀剂纳米级集成电路加工

讨论了采用SAL601负性化学放大电子柬抗蚀剂进行电子束曝光应用于纳米级集成电路加工的实验方法与工艺条件。经过大量实验总结，通过变剂量模型对电子束曝光中电子散射参数进行提取，应用于邻近效应校正软件，针对集成电路曝光图形进行邻近效应校正。校正后的曝光图形经过曝光实验确定显影时间及曝光剂量，最终得到重复性良好的，栅条线宽为70nm的集成电路曝光图形。     

电子束图形分割程序FDEB

电子束图形分割程序FDEB将CAD系统产生的原始图形分割成不相交的几种基本图形,以适应电子束曝光机制作细线条IC版的需要。本文介绍了图形分割的主要算法以及场划分和曝光路径优化的方法。     

基于DSP图形发生器曝光算法的研究

新型图形发生器使用DSP控制曝光过程，因此要求DSP程序高效地控制电子束实现图形的高精度扫描。而以往的算法(包括Bresenham算法)无法满足电子束扫描的特殊性，因此提出一种DSP实现曝光的算法。分析了Brcsenham算法的缺陷，同时对提出的新算法进行工作效率的理论分析和曝光数据的采集对比，结果证明该算法是一种能够保证精度和效率的算法。同时还探讨了斜矩形不分割的曝光算法。     

电子束重复增量扫描生成三维结构的研究

针对三维曝光图形的结构特点,结合自行设计的图形发生器,提出了电子束重复增量扫描方式及曝光剂量与刻蚀深度关系和灵敏度的计算方法.根据计算得到的剂量关系,按照重复增量扫描方式,在SDS-3电子束曝光机上进行了曝光实验,显影后得到了轮廓清晰的梯锥和圆锥的三维结构.因此,重复增量扫描方式可以用于三维结构的加工,并且关于曝光剂量与刻蚀深度关系和灵敏度的计算可以为其提供符合实际曝光的参数.     

0.1μm T型栅PHEMT器件

通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法,并利用复合胶结构,一次电子束曝光制作出具有T型栅的PHEMT器件,并对0.1μm栅长PHEMT器件的整套工艺及器件性能进行了研究．形成了一整套具有新特点的PHEMT器件制作工艺,获得了良好的器件性能(ft=93.97GHz;gm=690mS/mm)．     

基于低能电子束的光刻技术

讨论了聚焦电子束曝光中的邻近效应问题,阐述了扫描隧道显微镜的原理和工作方式。把扫描隧道显微技术用于低能电子束的光刻,不仅能提高图形的分辨率,而且使电子束加工工艺不再局限于真空环境。对曝光电子的能量和线条宽度之间的关系进行了分析。     

Fabrication of 20 nm patterns for automatic measurement of electron beam size using BEAMETR technique

BEAMETR technique is developed for robust operator independent measurement of electron beam sizes in two coordinates. This method involves software and a specially designed pattern-sample. In this paper, we report the fabrication of this sample and the demonstration of beam size and shape measurements for different Scanning Electron Microscopes and operating conditions (voltage, aperture, astigmatism) with a good consistency. Electron Beam Lithography system (100 keV) was used for patterning; proximity correction was applied to improve pattern quality. In this chip version, the minimum feature linewidth was 20 nm after lift-off.     

电子束能量、剂量对固化厚度影响的研究

在电子束液态曝光技术的可行性已被证实的基础上，采用理论和实验相结合的方法，就电子束能量和剂量对固化深度的影响进行了研究，以TMPTA和环氧618两种液体低聚物为抗蚀剂，得出了不同能量、不同剂量下的有效穿透深度曲线，以及两种抗蚀剂在能量为25keV的电子束辐射下的临界剂量，固化出了十字形微结构。     

聚焦离子束曝光技术

聚焦离子束技术是一种集形貌观测、定位制样、成份分析、薄膜淀积和无掩模刻蚀各过程 于一身的新型微纳加工技术。它大大提高了微电子工业上材料、工艺、器件分析及修补的精度和速 度,目前已经成为微电子技术领域必不可少的关键技术之一。对聚焦离子束曝光技术作了介绍。     

The development of device lithography

Lithography has been the principal pacing element in the development of complex integrated circuits. Although major programs in electron-beam lithography and X-ray lithography have developed new systems with smaller feature capability, the optical systems remain the only candidates for large-volume device production. Scanning and step-and-repeat optical systems have been developed for the next generation of devices with 1-µm features. Electron beams are used for mask fabrication and direct exposure of special devices of exceptional value or for prototypes. X-ray and ion systems are being developed for future devices.     

DXF文件在激光打标系统的应用研究

对于速度和重构性要求比较高的激光打标系统来说,一种有效易用的文件格式将起到举足轻重的作用.分析了DXF（drawing exchange format）文件的结构及DXF图形交换文件在基于数字信号处理的激光打标系统中的应用,详述了DXF文件的解析方法,指出了DXF文件在此系统中的优势之处.利用数据交换接口对DXF文件进行二次开发,使得系统获得了比较好的图形处理效果.     

基于VC＋＋C6DXF数据文件接口程序设计

基于实际的雕刻控制平台能有效地读取CAD软件设计图形的数据参数的目的,采用了AutoCAD强大的绘图功能与C语言强有力的计算、输入和输出等功能相结合的方法。通过研究分析AutoCAD的DXF文件数据格式及组成,结合C语言的文件管理功能,设计出了C语言与AutoCAD接口程序,并给出了具体的设计方法。通过自行开发软件与AutoCAD之间建立数据通道,实现数据传递和共享（即对DXF中的实体（如直线、圆等）进行坐标提取）的实验,证明了该方法的实用性和便利性。     

一种高精度测量束斑电流的新方法

提出了一种高精度测量电子束曝光机束流的新方法。并给出测量电路，该电路在未加屏蔽的情况下，可达９０ｄＢ的共模抑制比。     

虚拟仪器技术在试验模态分析中的应用

介绍了一种使用虚拟仪器（virtual instrument.简称VI）技术进行机械结构模态分析的新方法。利用虚拟仪器开发软件LabVIEW与VC＋＋来完成复杂的机械测试过程。该方法通过虚拟仪器开发软件LabVIEW（G语言）编程控制数据采集卡采集数据,生成具有一定数据格式的文件,然后用VC＋＋软件编写模态分析程序对此文件进行分析,最后完成机械结构模态分析过程。该方法使模态分析实验过程得到了简化,降低了设备成本。算例与试验验证证明了所做的讨论和修正是正确的、有效的。