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针对国际微机电系统(MEMS)发展趋势和未来的产业化前景,结合我国社会经济发展的需要,本文介绍了MEMS国内外发展状况,并对MEMS市场及应用进行了分析与探讨,以期为开展MEMS的研究与开发提供参考。 相似文献
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MEMS惯性技术是近年来战术级惯性导航的研究热点,也是惯性导航技术未来的主要发展方向之一。本文介绍了MEMS惯性传感器的发展概况,结合Draper实验室的MEMS惯性系统项目计划介绍了MEMS惯性系统的发展,分别介绍了MEMS惯性测量单元和MEMS组合导航技术的最新进展,并展望了MEMS惯性系统的发展趋势。高性能MEMS陀螺、芯片级MEMS-IMU和MEMS组合导航系统是MEMS惯性技术未来的发展趋势。 相似文献
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射频通信领域中,开关触点材料对射频微电子机械系统(RF MEMS)开关的性能影响很大.在图形化的二氧化硅(SiO2)基底上采用热化学气相沉积(TCVD)法通过“分段”方法生长出了长度为1 ~ 20 μm可控的垂直均匀的优质碳纳米管(CNT)微阵列,并结合MEMS工艺将CNT/Au复合触点转移到了玻璃基底上.转移前在面积分别为30~ 120 μm2碳管阵列顶端镀金,测量出CNT/Au电极阻值分布在0.429~0.612 Ω,与相同面积Au电极(0.421 Ω)导电性能相差不大.因此,CNT/Au是一种潜在优良的MEMS开关触点材料. 相似文献
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微电子机械系统(MEMS)技术是半导体微电子学的创新,利用Si基集成电路的平面工艺从两维加工向三维加工发展,开创了MEMS新的领域。综述并分析了与信息产业以及移动网络相关的MEMS主流产品(加速度计、陀螺仪、微麦克风、数字微镜器件(DMD)、喷墨头和RF MEMS)的技术发展现状和趋势,同时预测了MEMS新兴产品(光滤波器、微小电子鼻、微扬声器、微超声器、微能量采集器和纳机电系统(NEMS))的科研现状和面临的技术挑战。从当前世界MEMS技术发展的特点(系统集成、与CMOS工艺结合走向标准加工、纳米制造与微米、纳米融合和多应用领域扩展)出发,结合国内MEMS技术发展的现状,提出我国MEMS技术发展的建议。 相似文献
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MEMS技术现状与发展前景 总被引:1,自引:0,他引:1
谷雨 《电子工业专用设备》2013,(8):1-8,49
介绍了微电子机械系统(MEMS)技术的发展现状、加工工艺及产品市场。结合MEMS材料与加工技术,讨论了MEMS产品的封装技术及存在的问题,展望了MEMS技术的发展前景。 相似文献
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MEMS技术现状及应用 总被引:6,自引:0,他引:6
微机电系统(MEMS)技术是一门新兴的技术,它将微电子技术和精密机械加工技术融合在一起,实现了微电子与机械的融为一体。近年来,对MEMS的技术发展、加工工艺及其产业化的研究也被越来越多的人所重视。文章介绍了MEMS的特点与技术发展现状、MEMS器件的类型及其功能,并以多层弯曲磁芯结构微执行器为例介绍了磁驱动微执行器工作原理与制作工艺过程。 相似文献
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Bower C. Shalom D. Wei Zhu Lopez D. Kochanski G.P. Gammel P.L. Sungho Jin 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2002,49(8):1478-1483
A fully integrated on-chip vacuum microtriode using carbon nanotubes as field emitters was constructed laterally on a silicon surface using microelectromechanical systems (MEMS) design and fabrication principles. Each electrode in the triode was made of a hinged polycrystalline silicon panel that could be rotated and locked into an upright position. The device was operated at a current density as high as 16 A/cm/sup 2/. Although the transconductance was measured only at 1.3 /spl mu/S, the dc output power delivered at the anode was almost 40 /spl times/ more than the power lost at the grid electrode. The technique combines high-performance nano-materials with mature solid-state fabrication technology to produce miniaturized power-amplifying vacuum devices in an on-chip form, which could potentially offer a route of integrating vacuum and solid-state electronics and open up new applications for "old-fashioned" vacuum tubes. 相似文献
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本文分析了常见的MEMS天线及其应用,包括多对称锥形弯曲缝隙微带天线、用于WLAN中的微尺度宽频天线、开关式微机械毫米波天线、微机械自适应贴片天线等,对这些天线的结构原理、制造方法及其性能做了分析。这些天线设计简单、可用CMOS工艺制造、利于集成,兼有宽频、高辐射效率、小尺度等优点。但相对普通天线而言,这些制造工艺明显复杂、尺度更微小,增加了实现难度,要实现MEMS天线批量应用,还需要在基础理论及其微细工艺进行研究。最后,对MEMS天线在无线通信系统中的应用作出展望。 相似文献
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三维集成封装中的TSV互连工艺研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
为顺应摩尔定律的增长趋势,芯片技术已来到超越"摩尔定律"的三维集成时代。电子系统进一步小型化和性能提高,越来越需要使用三维集成方案,在此需求推动下,穿透硅通孔(TSV)互连技术应运而生,成为三维集成和晶圆级封装的关键技术之一。TSV集成与传统组装方式相比较,具有独特的优势,如减少互连长度、提高电性能并为异质集成提供了更宽的选择范围。三维集成技术可使诸如RF器件、存储器、逻辑器件和MEMS等难以兼容的多个系列元器件集成到一个系统里面。文章结合近两年的国外文献,总结了用于三维集成封装的TSV的互连技术和工艺,探讨了其未来发展方向。 相似文献
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非线性光限幅材料的研究进展 总被引:2,自引:1,他引:1
通过对线性、非线性以及相变激光防护材料性能的简要比较,综合分析半导体材料、金属酞菁类化合物、C60及其衍生物、无机金属团簇化合物及碳纳米管材料的光限幅特性.基于碳纳米管材料具有限幅阈值低、限幅波段宽、响应时间短等优势,进一步论述了其在光限幅应用中的研究进展,指出该光限幅材料在材料化及器件化方面需要更深入的探索,以期能够更好地用于光限幅领域. 相似文献