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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 93 毫秒
1.
本文提出了一种新型的对称式SON LDMOS功率器件.在对器件击穿电压进行解析分析的基础上,利用Silvaco TCAD仿真软件Atals验证了漂移区设计对器件击穿电压的影响,证明了峰值击穿电压的存在.并且对比分析了SON LD-MOS与SOI LDMOS击穿电压和寄生电容方面的优势,研究表明SON LDMOSD在击穿电压上比SOI LDMOS器件提高了近3倍,并且其寄生电容也较小,这为SON LDMOS在功率方面的应用提供了部分理论支持.  相似文献   

2.
利用击穿电压和击穿电量这两个参数评价标准0.18μm CMOS工艺栅氧的可靠性,获得击穿电压和击穿电量的两个常用方法是电压扫描法和电流扫描法.对用这两种方法得到的击穿电压和击穿电量进行了对比.通过对比,发现测试方法对击穿电压的影响非常小.但是测试方法却可以在很大程度上影响击穿电量.用电流扫描法获得的击穿电量要比用电压扫描法的要大,这一差别可以从两种方法不同的电流-电压曲线中得到解释.同时,通过考察Weibull分布的斜率还发现,击穿电压值的分布斜率要比击穿电量大的多,而且曲线拟合得更好.这说明用击穿电压获得的分析结果更可靠.综合以上结果,可以认为对0.18μm CMOS工艺可靠性评价而言,击穿电压是比较合适的评价指标.  相似文献   

3.
利用击穿电压和击穿电量这两个参数评价标准0.18μm CMOS工艺栅氧的可靠性,获得击穿电压和击穿电量的两个常用方法是电压扫描法和电流扫描法.对用这两种方法得到的击穿电压和击穿电量进行了对比.通过对比,发现测试方法对击穿电压的影响非常小.但是测试方法却可以在很大程度上影响击穿电量.用电流扫描法获得的击穿电量要比用电压扫描法的要大,这一差别可以从两种方法不同的电流-电压曲线中得到解释.同时,通过考察Weibull分布的斜率还发现,击穿电压值的分布斜率要比击穿电量大的多,而且曲线拟合得更好.这说明用击穿电压获得的分析结果更可靠.综合以上结果,可以认为对0.18μm CMOS工艺可靠性评价而言,击穿电压是比较合适的评价指标.  相似文献   

4.
提出了一种基于双极载流子导电、具有低开启电压VK和高反向击穿电压BVR的恒流器件,并进行了初步的试验验证。利用Tsuprem4和Medici仿真工具对器件的恒定电流IS、开启电压VK、正向击穿电压BVF和反向击穿电压BVR等电学参数进行了仿真,优化了外延层电阻率ρepi、外延层厚度Tepi、JFET注入剂量DJFET、P-well注入窗口间距WJFET等参数。试验结果显示,该器件工作于正向时,开启电压VK约为1.6 V,恒定电流IS约为31 mA,正向击穿电压BVF为55 V;该器件工作在反向时,反向击穿电压BVR约为200 V。  相似文献   

5.
薄膜电容器是电子仪器中常用的电子元器件,主要用于电视机、显示器、空调、通讯设备、冰箱等设备中。该文介绍了电容器介电强度的概念、电容器介电强度的几个参数即击穿电压、工作电压、试验电压,以及它们之间的关系,介绍了电容器击穿的三种形式即瞬时电压作用下电容器的击穿、电容器的热击穿、在长期电压作用下电容器的击穿——老化击穿。并结合生产实际,总结了提高电容器介电强度的方法。  相似文献   

6.
针对传统方法检测电子元件引线可焊性的缺点,提出了一种干法测量方法.电子元件引线镀层表面的金属氧化物是影响可焊性的主要因素,金属氧化物具有介于绝缘体和半导体之间的物理特性,它的击穿电压和氧化程度成正相关的关系.实验证明:击穿电压低于3V时,焊接性能很好,随着击穿电压升高,焊接性能恶化,超过40V,完全丧失可焊性.因此可以...  相似文献   

7.
全耗尽SOI LDMOS击穿电压的分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
SOI技术已经成功地应用到功率集成电路中,击穿电压是功率器件一个重要的参数。文章分析了SOI LDMOS的击穿电压与漂移区掺杂浓度的关系,并计算了击穿电压。文中首先定义出漂移区临界掺杂浓度,然后分别给出了实际掺杂浓度高于和低于临界掺杂浓度的击穿电压计算公式。计算结果与文献中给出的数值相吻合,证明了模型的正确性。  相似文献   

8.
通过对平面型电力半导体器件场限环终端击穿电压的分析,指出了传统设计方法的缺点,提出了一种新的优化设计方法,使器件的体内击穿电压和终端击穿电压达成匹配,从而提高了器件耐压的稳定性和可靠性。  相似文献   

9.
本文以与实验结果符合得最好的R.V.Overstraeten等人的碰撞电离率为依据,按照雪崩击穿条件,采用数值方法计算了非穿通型单边突变结的雪崩击穿电压与衬底掺杂浓度的关系.在此基础上得到了非穿通型二极管击穿电压与电阻率的经验关系式,此组公式在给定的电压范围内与数值结果符合得相当好.对于穿通型二极管,把这些经验公式与解析式相结合所得结果与数值计算结果符合的程度更加令人满意.  相似文献   

10.
研究了离子注入展宽p-n结终端工艺,介绍了离子注入剂量或者注入净电荷选择理论.实验证明采用本工艺获得产品的击穿电压高于耗尽层刻蚀工艺所得产品的击穿电压.  相似文献   

11.
无人机活塞发动机工作时将产生很强的电磁干扰,如果遥控接收机不采取干扰抑制措施将严重影响正常的通信。通过分析发动机火花塞电磁干扰产生的机理,提出了一种宽带抑制电磁干扰的接收机实现方案,通过缩短信道脉冲响应长度及自适应限幅等措施降低火花塞电磁干扰在时域上的扩展,从而将发动机火花塞产生的电磁干扰影响局限在较短的时间内,并大幅降低干扰能量。仿真和试验表明,可有效降低火花塞电磁干扰对数据解调的影响。  相似文献   

12.
火花放电辅助下激光破坏材料的研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
分析了直流火花放电辅助下激光破坏金属和绝缘体的机理,介绍了有关实验方案和结果.研究表明,在适当的直流火花放电辅助下,激光对材料的破坏作用大大增强,这种方法可望在激光加工技术中得到有效的应用.  相似文献   

13.
设计并实现了一种采用进口电火花技术加工的D波段电感膜片耦合的矩形波导空腔滤波器。采用等效电路法设计了一个140GHz矩形空腔带通滤波器。采用有限元仿真软件HFSS分析了腔体个数对滤波器主要性能的影响,最终成功设计了一个性能优良的四阶空腔滤波器,中心频率(140±3)GHz,带内插入损耗S21在-3dB以内,回波损耗S11在-20dB以下。采用电火花微加工技术成功加工出了四阶滤波器的主体部分,相应完成了结构键合等关键工艺,首次制作了基于电火花技术的D波段矩形波导空腔滤波器。测试结果为中心频率(138.5±3)GHz,带内插入损耗最好达到了-4.4dB。结果表明滤波器在140GHz具有带通特性和滤波功能,尽管与理论上的-3dB有差异,但考虑到加工误差、夹具损耗等情况下,样品主要技术指标与设计值较为一致。  相似文献   

14.
依据基础安全标准,介绍了绝缘配合的概念和设计方法,着重分析了过电压类别对电气间隙设计的影响.  相似文献   

15.
采用低能的短脉冲激光束聚焦到高压阴极上触发BRV型真空火花软X线源。本文与传统的三电极滑动电火花触发装置作了比较,通过实验研究探讨了该触发方式所具有的实用性和优势。  相似文献   

16.
分析了四种现有的火花信号电流拟合波形,在此基础上提出了一种改进的火花放电电流拟合方式。该方式拟合得到的电流波形不仅符合IEC 61000-4-2 标准,而且还具有一定的随机性。在此基础上实现了产生具有随机性和叠加特性的更为接近于真实火花源的火花信号方式。  相似文献   

17.
研制了一种充气火花放电球隙,具有高的触发稳定性,大的工作电压范围,可在50Hz 重复脉冲下长时间稳定工作,适合于 N_2、TEA CO_2、放电准分子等脉冲放电激光器中作开关元件,也可用于脉冲大电流放电的其他场合。  相似文献   

18.
火花点燃试验装置是判断电气设备是否为本安设备的关键试验设备。基于此,主要阐述火花试验装置使用中需注意的几个问题。  相似文献   

19.
由于传统数据采集电路的可靠性和实时性较低,且占用过多处理器资源,文章设计一种基于FPGA的具有过压保护功能的数据采集电路设计方案。一方面使得数据采集电路更加适用于复杂的高集成化系统中,并提高了采集的实时性和可靠性;在另一方面,为防止外部某一路的输入电压过高造成转换芯片AD7656失效,设计出相应的过压保护电路,有效防止外部过大电压对芯片的损伤,提高系统的稳定性。最终通过仿真对结果进行验证。通过本设计可以为高集成化的数据采集系统提供一种稳定性高、转换速度快的实施方案。  相似文献   

20.
针对现有大型多维数据分析和可视化工具分析单一场景、生命周期不完善的问题,利用Apache Spark、Apache Kylin等分布式处理技术,设计并实现了一个基于场景的文化旅游大数据分析系统,提供了数据预处理、混合多场景等全生命周期分析功能,并且可视化功能可以使数据在各种计算平台之间自由流通,打破单一数据计算平台的功能限制,整合面向不同文本旅的场景分析功能及其性能优势,可以为不同的文化和旅游业务场景提供高效的查询服务,并通过不同的分布式处理技术达到优化大数据查询和分析性能的效果。  相似文献   

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