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一、什么是场致发光显示屏?场致发光是在电场的作用下,直接将电能转换为光能的发光现象。实现这种发光的材料很多。利用这种材料制成的场致显示屏,将不需要真空,成为全固体化的发光器件,而且是平板显示器件。这种平板场致发光显示屏,按激发电源不同,有交流和直流两种。场致发光器是本世纪30年代发明的。到目前为止,已经发展了三代。第一代是粉末场致发光器;第二代是夹层结构单色场致发光器,其发明人是日本的猪口敏夫;第三代是分层优化彩色薄膜场致发光器,其发明人是徐叙容教授。因为它是显示器中主动发光的后起之秀,目前世界… 相似文献
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在许多便携式应用中,通常采用两种背发光器件:一种是冷阴极荧光管背光板(CCFL),还有一种是场致发光(EL)LCD背光板。比较起来,EL板薄,轻,功耗小且工作电压比CCFL的工作电压低。但大多数EL DC/AC逆变器要 相似文献
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场致发光灯及其驱动电源 总被引:2,自引:0,他引:2
场致发光灯(EL)是一种面发光的冷光源,现被大量用作LCD显示器的背光源,文章在介绍了场致发光灯性能特点的基础上,着重介绍了两种轻巧实用的场致发光灯驱动电源。 相似文献
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用微波方法在钼衬底上沉积出金刚石镶嵌非晶碳薄膜,对其场致电子发射特性和机理进行了研究,使该薄膜的场致发射电子激光发荧光屏,并观察到发光。 相似文献
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本文介绍了光电导,场致发光,和电致变色等光电子功能薄膜及器件,着重于应用于大屏幕显示和可见-红外动态图象转换系统的液晶光阀空间光调制器,电致发光以及场致变色薄膜器的原理,制作及特性等。 相似文献
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热电子的碰撞引起发光中心的激发,碰撞离化截面与热电子的能量紧密相关,因此,了解初始电子的来源非常重要。本文提出了分层优化多层场致发光薄膜的等效电路,并比较了多层和三层薄膜的电荷-电压特性。 相似文献
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1992年,美国PixTech公司的前身法国PixelInternational公司从国家研究所(LETI)获得FED(场致发射显示)技术。从此,FED的研究一直以美国为主,美国的开发目标是与液晶显示器件竞争,争取在笔记本式PC领域占有一席之地。日本对FED的研究始于1995年,并进行了平面阴极结构和尖锥状阴极方面的研究。但与美国不同的是,日本的目标是FED在大屏、薄型电视中得到应用。日本研究FED大致是两个方向。其一,采用平面状阴极,使结构单一,容易制成大屏器件。但平面状阴极的缺点是发光效率低下,功耗大。选择这一方向的开发厂商则认为,他… 相似文献
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《电子科技文摘》2006,(1)
0600934 平板密封环境下ZnS:Ag Cl磷光粉屏低压阴极射线致发光退化行为=Degradation behavior of low-voltage cathodoluminescence of a ZnS:Ag Cl phosphor screen under a panel sealing environment[刊,英]/Z.M.Park,D. Y.Jeon//Journal Vacuum Science & Technology B.- 2003,21(1).-527-531(E) 0600935 改进场致发射平板显示器均匀性的微处理机技术研究 相似文献
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《液晶与显示》1988,(5)
1.彩色显像管、屏、红粉的发趋势与现状。 Tpy八二BHHH汀。MoHo中。p。。 1987,32,11~ 2.铺激活的硫代桔酸铭的制备特点与发光 性质,同上.2057,32,24~ 3。低温对低压阴极射线发光粉亮度的影 响,同上。1957,32,29、 4。标准数据库用x射线发光粉标准样品的 某些发光特性,同上,1957,32,35~ 6.俘获中心对BaFCI:Eu发光粉的X射线 发光强度和余辉的影响,同上,198了, 32一41~6.利用CaF擎Tm对快中子进行剂量的可 能性,同上,198了,32,46~7。用元素氧化结构进行表面变异对ZnS场 致发光粉性质的影响,同_L,1987,32, 54~8。ZnS和场致发光粉表面的… 相似文献
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各种各样的新技术,诸如:有机材料或无机材料制成的场致发光显示器,做在硅上的LCD投影仪驱动器,MEMS影像产生器,以及采用传统方法或新方法制成的各种场致发光显示器,汇聚今年的SID大会,在人们的心中留下了难忘的印象。 相似文献
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