精密基准电压源LM4050

MAX6613是一种工作电压低、功耗低、封装尺寸小的模拟温度传感器。主要特点:工作电压1.8～5.5V;静态电流低,典型值7.5μA自热影响甚微;测温精度:O～50℃范围精度±1.3℃、-20～ 80℃范围精度±2℃、-55～ 100℃范围精度±2.4℃、100～ 125℃范围精度±2.8℃;测量范围-55℃～ 130℃;小尺寸5管脚SC70封装。     

LM199／299／399精密电压基准

LM199、299、399是目前市场上电压基准芯片中温度系数最低的集成“稳压管”,其温度系数不仅远低于带温度补偿的“标准稳压管”如2DW232～236(原型号2DW7C,军品指标可达5ppm/℃,市售民品实测约50ppm/℃。1ppm/℃表示环境温度每变化1℃、其击穿电压变化10~(-6),即变化百万分之一),比目前应用较多的高精度集成电压基准芯片如LM185、285、385系列(温度系数典型值20ppm/℃)低几十倍。这是因为LM399系列芯片除制造有集成“稳压管”外,还包含自动恒温电路,并在金属壳外另加了保温性能极好的聚     

一种廉价高精密基准电压源

<正> 适用于单片机A/D、D/A 转换器参考电源及传感器桥压的高精密基准电压源电路原理图如图l所示。电路工作原理是:基准电压源U_1的输出为A_1提供+2.5V 基准电压并接至其同相输入端,经A_1放大,在V_(01)点输出+5V、20mA 供A/D、D/A 转换器用。A_2,     

引脚可编程精密基准电压源AD584及其应用

<正> 一、概述精密基准电压源是设计模/数转换电路时常用的器件之一。笔者介绍的AD584是美国AD 公司推出的一种精密基准电源,通过对引脚编程可实现不同电压输出。它的最大特点就是使用时无需任何外加元件即     

高精度电压基准源

<正> 概述随着集成技术的发展,人们已经制成一种新型集成电路器件,它能代替齐纳二极管作高精度电压基准使用.它比普通齐纳二极管具有更优良的性能和指标.基准源的工作形式有两种,一种是能隙式基准,此产品的国标为:CJ313,CJ336,CJ385,即相当于美国国家半导体公司推出的LM313、LM336、LM385产品.这几种产品采用了先进的激光校正工艺、低温漂高精度铬镍合金电阻淀积工艺及电路本身的温度自补偿功能,因此能制成高精度、超低噪声、零温漂的电压基准器件.另外一种是采用次表面隐埋齐纳二极管制做的,相当于美国国家半导体公司生产的LM399     

可计算性三次设计——精密基准电压源的稳定性设计

引言“正交试验法”是研究与处理多因素试验的一种科学方法,它在实际经验与理论认识的基础上,利用一种现成的规格化表——正交表,科学地挑选试验条件,合理地安排试验,从而选取最佳配合。这个方法的优点是:能在很多的试验条件中,选出代表性强的少数条件,并能通过少数     

1.2V基准电压源设计

基于0.35μm CSMC CMOS工艺设计并流片了一款典型的带隙基准电压源芯片,输出不随温度变化的高精度基准电压。电路包括核心电路、运放和启动电路三部分。芯片在3.3V供电电压,-40oC到80oC的温度范围内进行测试,结果显示输出电压波动范围为1.2128V～1.2175V,温度系数为32.2 ppm/oC。电路的版图面积为135μm×236μm,芯片大小为1 mm×1 mm。     

高稳定性低功耗基准电压源

<正> 2DW7系列温度补偿硅稳压管工作电流一般在5mA 以上,这样的电流在以电池为电源的电子电路中是一个较大的负载。若降低工作电流,其动态电阻和电压温度系数急剧增大,稳压特性和温度稳定性也随之下降。同时稳压管产生的噪声也增大。为了解决上述问题,现介绍一种高稳定性低功耗基准电压源如图1所示。     

高精度分段线性补偿基准电压源

介绍了一种新型电压基准电路,基于分段线性补偿方式设计了一种高精度基准电压源.利用与温度成正比的电流(IPTAT)和与温度成反比的电流(ICTAT)做差,从而获得用于基准电压源曲率补偿的分段线性电流.将电路整个工作温度区间分为两段,利用分段线性电流完成补偿,且增加三极管基极电流补偿技术,最终得到高精度的基准输出电压.仿真...     

低功耗带隙基准电压源电路设计

文章提出一种三层self-cascode管子工作在亚阈值区的低功耗带隙基准电压源电路。该电路具有电路结构简单、功耗低、温度系数小、线性度小和面积小等特点。采用CSMC 0.18μm的标准CMOS工艺,华大九天Aether软件验证平台进行仿真。仿真结果表明,在tt工艺角下电路的启动时间为6.64μs,稳定输出的基准电压V_(ref)为567 m V;当温度在-40℃~125℃范围内时,tt工艺角下基准电压V_(ref)的温度系数TC为18.8 ppm/℃;电源电压在1.2 V~1.8 V范围内时,tt工艺角下基准电压V_(ref)的线性度为2 620 ppm/V;在10 Hz~1 k Hz带宽范围内,tt工艺角下基准电压V_(ref)的电源抑制比(PSRR)为51 d B;版图核心面积为0.001 95 mm~2。     

基准电压源的设计与选用

基准电压是许多控制或应用电路所必需的，而且电路的控制精度或性能指标在很大程度上取决于基准电压的好坏。对基准电压的基本要求是：在电源电压和环境温度变化时其电压值应保持恒定不变。     

无电阻带隙基准电压源

本文提出了一种无需使用电阻的带隙基准电压源。采用反函数方法,利用两对成比例的源耦差分对产生基准中与温度成正比(PTAT)的电压项。该电路实现了一阶温度补偿,在0.6μmCMOS工艺条件下,电路spectre模拟仿真结果表明,在-45°C～-80°C范围内,输出电压变化低于1mV。电源电压为4V时,功耗为52μW。     

基于CMOS阈值电压设计的电压基准源

基于TSMC 0.18μm标准CMOS工艺,提出了一种新型无电阻低温漂电压基准源。通过采用CMOS阈值电压（Vth）和与温度成正比的电压（VPTAT）作为基础线性温度单元加权求和的方式,消除了电压基准源输出中残留的非线性温度分量,最终得到高精度的电压基准输出。其中CMOS阈值电压由无电阻结构产生,VPTAT的产生和与CMOS阈值电压的加权求和由非对称差分运放完成。实测结果证明,在-55℃～125℃温度范围内,电压基准源输出为1.23 V,温度系数为4.5 ppm/℃。在无滤波电容的情况下,基准电源抑制比可达-93 dB。     

强磁场电源精密电压参考源的设计

本文首先提出了强磁场电源电压参考源的设计要求即高稳定和可程控,然后在分析影响该电压参考源稳定度的关键因素的基础上选取了有效的数模转换芯片DAC1220和其基准电压源MAX6325,并给出了整个系统的硬件设计和各部分的软件设计,实验结果表明,数模转换输出能产生程序控制的按照设定斜率上升的电压曲线,并且在严格控制温度的条件下,设定值处能取得预期的8小时内良好的稳定性.     

低功耗高性能的全MOS电压基准源设计

设计了一种基于亚阈值技术的全MOS电压基准源,采用共源共栅结构来增大PSRR,使用MOS管代替电阻,优化温度特性,使电路中大部分MOS管工作于亚阈值区。基于0.18μm CMOS工艺进行设计、版图绘制、和前、后仿真,在后仿真中得出相关参数值。对各参数做出详细分析,包括:一定温度范围内的温度系数;常温下基准输出电压;不同电源电压条件下的线性调整率、基准源静态电流及功耗,并对不同频率下的电源电压抑制比进行了对比。实验结果表明达到了低功耗高性能的设计目标。     

带隙基准电压源的抗SET设计

鉴于带隙基准电路在芯片系统中作为关键电路被广泛应用,针对小工艺尺寸条件下单粒子瞬态效应SET对带隙基准电路造成的辐射影响,对带隙基准电压源的输出端进行电路级抗辐照加固,提出一种由比较器作为开关,并于输出端连接MOS管栅极进行充放电的对称式电流补偿电路。经仿真实验,结果表明,所设计加固结构可有效抑制SET对输出电压的影响,有助于提高带隙基准电压源的稳定性。     

一种高精度的带隙基准电压源及电流源

设计了一种采用0．25μm CMOS工艺的高精度带隙基准电压源,该电路结构新颖,性能优异,其温度系数可达5ppm／℃,电源抑制比可达到62dB。在此基础上设计了一种基准电流源,其温度系数可达6ppm／℃,输出电流变化率仅为0．03％／V。     

基于阈值电压差原理的CMOS电压基准源

设计了一种新型的纯MOS结构电压基准源,提出了一个基于简单偏置电路的电流相加电路,利用该电路中具有与电源电压无关且与环境温度成反比特性的和式电流,改善了PMOS和NMOS阈值电压差电路输出电压的温度性能,提高了电压基准源的精度。     

一种低压曲率校正带隙基准电压源

基于标准0.6umCMOS工艺,设计依据在亚阈值区工作的一阶温度补偿电路,采用VPTAT电压驱动曲率校正电路,对一阶温度补偿电路进行高阶温度补偿,获得了一种电路结构简单,性能较好的带隙基准源。经过Hspice仿真,仿真结果表明电路可以在-10-150范围内,平均温度系数约9.9ppm/oC;工作电压为1.4V。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。