高功率半导体激光器光纤耦合线阵技术

研究高功率半导体激光器的光纤耦合和光纤输出端密排成线阵的技术。论述了微柱面透镜对高功率半导体激光器椭圆光束的准直原理,计算了剩余发散角,设计了光纤耦合器件和光纤输出端密排成线阵的夹具。这种方法耦合效率高,线阵中各激光元地址可设定,并可对各激光元输出功率进行调制。它作为能量型器件,可在激光显示技术(LDT)和选择性激光烧结快速成型(SLS RP)技术中应用。     

高性能980nm单模半导体激光器

采用经过优化的新型大光腔结构,设计出低发散角的980nm半导体激光器,利用分子束外延系统生长出应变InGaAs量子阱半导体激光器材料,并制作出980nm单模半导体激光器。器件在3μm条宽,750μm腔长时,100mA电流下室温连续输出功率达到70mW以上。激光器的最大斜率效率为0.89W/A.垂直方向远场发散角为28°.器件在250mA工作电流下输出功率达到190mW.器件在70℃温度下仍可以正常工作。     

应用半导体激光器的尺寸测量系统研究

利用光学原理推导了位置尺寸与光学系统参数之间的关系和位置敏感器件ＰＳＤ与光轴夹角之关系。在此基础上，提出了一种半导体激光器作光源，ＰＳＤ作光电拉收器的尺寸测量系统，并通过实验对其精度进行了验证。     

脉冲半导体激光器的温度补偿

采用温度预补偿模块,使得在-40℃～+60℃的环境温度下,以脉冲方式工作的激光二极管的输出功率(能量)恒定,这种方法适用于半导体激光起爆系统等对输出稳定性要求较高的脉冲半导体激光器的温度补偿.     

基于UCC27322的中功率半导体激光器驱动电路设计

根据脉冲式半导体激光器驱动电路的基本工作原理,采用专用芯片UCC27322构成了中功率半导体激光器驱动电路,并对该驱动电路进行了仿真和实验,结果表明该激光器驱动电路具有开关速度快和集成度高的特点,是一种性能较好的驱动电路。     

大功率半导体激光器光斑整形和均匀化处理

针对光学透镜整形中光斑均匀性差的问题，设计了双路和多路激光照明装置，并进行了试验验证．从实验效果来看，采用多路激光输出整形方式，其光斑形状均匀性好、成本低、寿命长，效果更好．     

半导体激光器近场光束整形设计初步研究

半导体激光器作为主动光源广泛应用于激光引信。阵列激光二极管光束的高效准直整形是传统光学技术的难题。本文介绍一种折/衍混合准直微光学阵列系统的设计方法,并结合激光引信所用半导体激光器的光束整形做了初步的理论计算,就其实现可能性进行了讨论。     

基于DSP2812的半导体激光器恒功率系统

针对样机陀螺仪中由于半导体激光器功率变化带来的寻北精度降低问题,设计一种基于位置敏感探测器控制的稳恒功率控制系统。其原理是：在阈值电流以上,激光器的输出功率具有与驱动电流呈正比的特性,设定基准电流,以测定电流与基准电流的差值作为反馈信号;在满足设计要求情况下,尽量减少元器件等硬件的使用,提高系统可靠性;软件设计上利用差值电流实现负反馈。通过软件与硬件结合的方式实现对激光器功率的稳恒控制。实验结果表明：与不增加功率稳恒电路相比,新的控制方式使激光器输出功率稳定度提高了50%,基本保持在4.65 mW;陀螺仪寻北精度提高大约70%,极大改善了陀螺仪的寻北性能。     

半导体激光器驱动源功率器件的建模与仿真

模拟电路、数字电路及数模混合电路中小信号电路的仿真技术现已趋于成熟,而大功率电路的仿真技术尚需完善。当大功率器件处于工作状态时,功率器件会发热。小信号电路的仿真技术尚不能模拟大功率电路的工作状态。半导体激光器驱动源功率执行级为大功率电路,建立能描述其功率器件工作状态的PSPICE仿真软件模型是亟待解决的问题之一。依据功率器件的结构、工作原理及其功耗等建立了包含热模型的金属—氧化物—半导体场效应晶体管(MOSFET)模型,使用此模型对半导体激光器驱动源进行了计算机仿真优化研究。通过实际系统验证了该模型的正确性。该模型也适用于其它大功率电路的计算机仿真。     

液相外延生长高质量大功率InGaAsP/GaAs半导体激光器研究

用改进的液相外延法生长了大功率InGaAsP/GaAs半导体激光器,实验测量和理论分析都表明该方法生长的单量子阱分别限制异质结构,达到设计要求,阈值电流密度为300A／cm^2,斜率效率达1．32W／A,具有很高器件质量。     

HIGH POWER 1.55

1.55μm半导体激光器有很多突出的优点,但普通的双异质结激光器功率小,且对温度很敏感。本文将大光腔结构形式引入1.55μm GaInAsP/ InP半导体激光器中,用液相外延技术研制成功了脉冲峰值功率超过2W的1.55μmGaInAsP/ InP 半导体激光器。普通双异质结构激光器特征温度T     

MBE生长高功率列阵激光器的研究

利用V80型MBE生长GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱(GRIN-SCH-SQW)结构.测试结果表明,该结构晶格和光学质量符合设计要求.制成激光器列阵,室温连续输出功率达7.2W,峰值波长为807～809nm,经柱透镜光纤耦合后的光强远场分布为θ∥=8°,θ⊥=3.5°.     

短时间、大功率磁流体发电

介绍了正在发展中的、以炸药或燃烧驱动的等离子体为工质的短时间、大功率磁流体（MHD）发电系统。这是一种脉冲发电系统，可提供几百兆瓦或更高的脉冲功率；也是一种利用电能的新概念火炮的合适能源，具有广阔的军事应用前景。文中还介绍了磁流体发电的基本原理；结合国外的发展现状、动态和我们做过的有关工作，对研制这种脉冲发电系统将会碰到的部分问题作出了评述。     

垂直腔面发射激光器中的新结构研究

通过对垂直腔面发射激光器( VCSEL)台面结构的深入研究,提出了新型环形分布孔结构,并制作了这种新结构器件。测试结果表明这种新结构器件不仅表现了良好的工作特性,而且输出功率也提高到环形沟槽结构的1. 34倍。     

改进偏最小二乘法在航空煤油的近红外光谱分析中的应用

针对建立近红外光谱定量分析的偏最小二乘校正模型时,存在变量多以及光谱复共线性多样化等问题,采用一种间隔组合偏最小二乘法(icPLS)的近红外光谱谱区选择方法用于建立航空煤油闭口闪点近红外光谱模型。通过与整个光谱参与建立的近红外光谱模型的分析比较,icPLS模型的预测均方根误差(RMSEP)和相关系数R2分别为1.08和0.8088,而全谱偏最小二乘法(PLS)模型的RMSEP和R2分别为1.6和0.7381.实验结果表明,采用改进偏最小二乘法所建模型更稳定可靠,预测结果也得到明显改善。     

高功率微波照射下电引火头引爆机理研究

高功能微波武器是近几年许多国家竞相研制的新型能束武器之一。本文通过高功率微波（ＨＰＭ）照射地雷的模拟试验和地雷电引火头高功率微波感应电流的数值分析,初步探讨了高功率微波照射下地雷电不引爆机理。     

High Performance SLED Fabricated by Pulsed Anodic Oxidation

InGaAs/AlGaAs MQW superluminescent LED （SLED） is fabricated by using pulsed anodic oxidation and molecular beam epitaxy （MBE）. The power and spectral output characteristics of three kinds of device structures are investigated. An output power above 10 mW with FWHM of 18 nm is demonstrated at a current of 150 mA.     

强激光作用下金属表面的凝固特征研究

研究了将Ｌ－６０５钴基高温合金粉末和Ｔ１５超硬高速钢粉末涂覆在２０Ｃｒ２Ｎｉ４ＷＡ钢表面，经激光熔凝处理后的涂层表面的凝固特征。结果表明：激光熔凝的涂层表面既有以波纹状形式向前推进的，如涂覆有Ｔ１５粉末的凝固表面，也有以直线状枝晶形式为其表面凝固特征的，如涂覆有Ｌ－６０５钴基粉末的凝固表面。这表明材料的表页熔体流动特征及材料的热物理性能参数，将明显地影响凝固表面的特征。