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BCD工艺技术是符合扩展摩尔定律功能多样化发展的重要模拟集成电路技术。经过近三十年的发展,BCD工艺技术在特征尺寸缩小、高压器件的结构设计与优化、高低压隔离技术和金属互联的改进等方面取得巨大进步。本文简要介绍了BCD工艺技术的组成及特点,总结了BCD工艺技术的主要发展,对全球的开发现状进行了总结,并对BCD工艺技术的进一步发展进行了展望。 相似文献
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随着半导体制造工艺技术的发展,纳米片场效应晶体管(NSFET)成为下一代集成电路的核心器件,建立能准确描述NSFET特性的SPICE模型对提高基于NSFET的集成电路设计的成功率和缩短先进工艺的开发周期至关重要。结合Sentaurus TCAD仿真与伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型,对NSFET进行直流特性建模。使用器件模型提取工具XModel提取器件的直流特性参数,包括单器件参数提取、温度及自热效应参数提取。结果表明,单器件直流特性参数提取平均误差小于5%,温度及自热效应的参数提取结果精准度较好,验证了模型的准确性。最后,构建并验证分组模型与工艺角模型。这些模型能准确描述不同尺寸和工艺波动对NSFET器件特性的影响,为加快高性能、低功耗NSFET的开发提供理论参考和实践指导。 相似文献
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随着半导体技术的进步,对A/D、D/A转换器的性能提出了更高的要求,用于制作A/D、D/A转换器的工艺技术也在不断改进.文章介绍了目前用于制作A/D、D/A转换器的主流工艺技术;结合相关产品,对比分析了各种工艺的优缺点,并对A/D、D/A转换器工艺技术的发展趋势进行了展望. 相似文献
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陶瓷四边引线扁平外壳具有体积小、重量轻、封装密度高、热电性能好、适合表面安装的特点,可广泛用于各种大规模集成电路封装,如ECL及CMOS门阵列电路等。文中叙述了CQFP陶瓷四边引线扁平外壳工艺研究中的关键工艺技术,如:金属浆料的配制工艺技术、大版精细印刷工艺技术、大腔体层压工艺技术、细引线拉力强度工艺技术等,以及今后努力的方向。 相似文献
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集成电路制造工艺技术种类繁多,包括光刻、刻蚀、氧化、扩散、溅射、封装等。作为代表性的先进工艺技术是电子束、离子束和光子束加工技术,俗称三束技术。对三束技术做了介绍。 相似文献
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二维特征点的检测和提取是进行图像配准的关键技术。由于不同传感器的成像机理不同,检测和提取的方法也有所不同。针对模糊图像的弱点,分析了通过增强象素模糊属性对比度来提取边界特征的基本原理,实现了两幅图像的配准。计算机模拟实验结果也表明了在实现模糊图像配准的过程中,采用增强象素模糊属性对比度的方法可有效解决图像的边界特征提取问题而且具有较高的配准精度。 相似文献
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主动红外热像检测技术中,红外图像的缺陷信息提取是其核心内容。传统的红外图像处理方法在一定程度上可以消除噪声、提高图像的对比度,但是仍存在一些问题,如:需要手动选择特征信息丰富的红外图像,红外图像增强和图像分割过程中会引入主观成分,仅仅分析单张红外图像可能存在信息丢失等问题。针对上述问题,本文根据主动红外热成像的数据特征提出了一种基于时序信息的红外图像缺陷信息提取方法。首先,通过室内实验制作含缺陷分层的混凝土试块;然后,利用主动红外热像检测技术进行三维红外图像数据的采集,提取每个像素点的时序信息;最后,采用基于时序信息的K-means方法进行缺陷特征提取。结果表明,基于时序信息的缺陷提取方法是可行的,其可以提取到隐藏的分层缺陷信息,提取效果优于基于空域信息的K-means方法。 相似文献
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针对数据网格中如何实现数据安全的双向传输和互访问题,提出了数据网格管道化处理模型(Grid DataChannelisation Handling Model,GDCHM).对此模型中数据传递方式进行了分析,对实现技术进行了探讨,就GD-CHM中如何实现客户之间、客户与服务器之间数据的安全传递和互访的实现方法进行了研究,通过在NET框架下设计Windows服务中间件技术来解决了数据互访和安全的问题. 相似文献
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Hongliang Li King N. Ngan 《Communications Magazine, IEEE》2007,45(1):27-33
Advanced multimedia applications have to provide content-related functionalities such as search and retrieval of meaningful objects, detection and analysis of events, and understanding of scenes, which allow the user to access and manipulate the multimedia content with greater flexibility. This greatly depends on automatic techniques for extracting such objects from multimedia data. In this article we intend to provide a tutorial on the state-of-the-art in video segmentation and tracking technology with particular attention paid to the recent developments in attention-based object extraction. Performance results are included to highlight this emerging technology 相似文献
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Niu G. Cressler J.D. Mathew S.J. Subbanna S. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1999,46(9):1912-1914
A simple yet effective total resistance slope-based method for extracting the effective channel mobility in deep submicrometer CMOS technology is developed. Using the slope of the measured total resistance versus mask length, the series resistance is removed from the measured total resistance, and mobility is extracted without involving the effective channel length. The new method facilitates mobility extraction in situations where the effective channel length is difficult to extract, such as in lightly-doped-drain (LDD) devices or at low temperatures. The new method also allows the series resistance to be any function of the gate bias, making the mobility extraction in LDD devices easier and more accurate 相似文献
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Niu G. Cressler J.D. Mathew S.J. Subbanna S. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2000,47(3):648-650
A channel resistance derivative method for extracting the electrical effective channel length and series resistance is proposed, and demonstrated on an advanced 0.35 μm LDD CMOS technology. A clear graphic image of the LEFF and RSD is obtained directly from the measured channel resistance and its derivative with respect to the gate bias. The method also provides guidelines for the proper gate bias range selection in traditional LEFF extraction techniques 相似文献