GaAs、GaAlAs晶片的化学择优腐蚀

本文在总结实验的基础上,给出了化学腐蚀的选择原则。并针对化学腐蚀中较重要的晶向择优和异质择优腐蚀,借助大量的曲线和照片,就 GaAs、GaAlAs材料做了讨论。最后,简单介绍了一下它们的应用。     

GaAs[100]衬底的择优腐蚀

(一)引言 GaAs是闪锌矿结构,在[111]方向有极性,当选择适当的择优腐蚀液时,各晶面的腐蚀速度有[110]≥B[111]≥[100]>A[111]关系。A[111]面是难以被腐蚀的。因此,它对腐蚀图形起重要作用,利用这个特点可以设计和制造各种形状的新器件。本文介绍了     

用择优腐蚀技术制作MMI型GaAs光功率分配器

通过对器件结构进行优化设计和择优腐蚀技术 ,用 H3 PO4 - H2 O2 - H2 O系腐蚀液制作了能直接与单模光纤阵列相耦合的 MMI型 Ga As1× 4光功率分配器 .最后用 1 .3 μm波长的He- Ne激光进行了测试 ,发现该器件基本实现了功率均分要求 ,功率离散度为 0 .1 55d B.     

GaAs的气相腐蚀

在GaAs气相生长时,有的情况下能够在衬底与生长层的界面处形成高阻层,这是制备GaAs的器件中的问题所在。自从沃耳夫报导采用气相腐蚀可有效地除去这种高阻层以来,在生长开始前,一般都进行气相腐蚀。可是关于GaAs的气相腐蚀,在生长机构的分析方面有许多的报导,而从表面处理角度写出的报告却很少。作为外延生长前的处理,气相腐蚀的必要条件是:(1)腐蚀后能够保持镜面状态,(2)腐蚀-生长变换必须连续地并迅速地进行。前者作为外延生长前的处理是当然的。因为生长中     

用于GaAs的新腐蚀液的腐蚀特性和动力学

系统地研究了新的GaAs腐蚀液HCl-H_2O_2-H_2O.用它腐蚀的GaAs表面具有的残留氧化物膜较薄,且不易引起杂质沾污.给出了等腐蚀速率的三元图和各区中的激活能.研究了对于GaAs及常用于GaAs器件工艺中之金属的各种腐蚀特性以及对于器件工艺中常用的各种光刻胶的溶解性,并与其他腐蚀液系统作了对比.实验表明,腐蚀是依照氧化随后溶解氧化物的过程进行的.考虑到溶液中组分间的化学反应 pA+qB→产物,提出了一般的腐蚀速率方程.用于HCl-H_2O_2-H_2O系统的计算结果与实验数据一致.     

光子辅助GaAs的干法腐蚀

业已用氟化氩激光的紫外线辐射完成了单晶砷化镓的大面积腐蚀。该工艺以甲基或三氟甲基与溴基的光化学反应为基础。具有各向异性腐蚀的特点,已腐蚀出小于1μ的线条。     

GaAs和InP基HFET工艺中的选择腐蚀

综合了ＧａＡｓ和ＩｎＰ基ＨＦＥＴ工艺中选择腐蚀技术的有关报道,重点介绍了应用ＩＣＰ设备和气体组合ＢＣＩ＋ＳＦ６进行异质结材料组合的干法腐蚀实验,腐蚀后在显微镜和扫描电镜窗口平整干净、作迁移率测试等为法腐蚀的片子相比较没有看出差别,适宜用于器件工艺。     

TMG和TEGMOCVD生长GaAs物理化学研究

本文采用三甲基镓和三乙基镓为镓源的金属有机化合物气相沉积，获得了高质量的ＧａＡｓ外延层，生长速率随ＴＭＧ和ＴＥＧ的浓度增加而增高和理论计算基本相符，而与ＡｓＨｓ浓度无关，用自制的ＴＥＧ为镓源生长的ＧａＡｓ有较高的迁移率。