磁场沉积态FeCuCrVSiB薄膜的软磁特性和巨磁阻抗效应

采用射频溅射法,在无磁场和施加72 kA/m的纵向磁场下制备了FeCuCrVSiB软磁合金薄膜样品,对沉积态样品的软磁特性和巨磁阻抗(GMI)效应进行了测量和分析.结果表明,在制备过程中加磁场可明显改善材料的软磁性能,与无磁场沉积态相比,样品的矫顽力从1.080 kA/m降低到0.064 kA/m,在13 MHz频率下有效磁导率比从10%增加到106%.GMI效应与磁导率比的大小密切相关.无磁场沉积态样品没有检测到GMI效应,而磁场沉积态样品则具有显著的GMI效应.在13 MHz的频率下,最大纵向和横向巨磁阻抗比分别高达22%和20%.这些结果都优于厚度几乎相同的退火态FeCuNbSiB薄膜的GMI特性.     

Co-Fe-Ni-Nb-Si-B非晶软磁合金薄带巨磁阻抗效应

研究了Ｃｏ－Ｆｅ－Ｎｉ－Ｎｂ－Ｓｉ－Ｂ非晶软磁合金薄带的磁性和巨磁阻抗（ＧＭＩ）效应。样品在３５０℃下退火６０ｍｉｎ后获得了最佳的软磁特性,并表现出优良的ＧＭＩ效应。在１．４ＭＨｚ的交变电流频率下,获得了最大的ＧＭＩ效应,磁阻抗比ΔＺ／ＺＳ＝（Ｚ０－ＺＳ）／ＺＳ最高可达１９２％。在低频下得到了显著的巨磁电感效应,在１００ｋＨｚ下,磁电感比达到７６９％。在高频下,材料表现出优良的巨磁电阻效应,在１３     

Fe—Cu—Cr—V—Si—B三明治膜的巨磁阻抗效应

用射频溅射法制备了Cu夹层的Fe-Cu-Cr-V-Si-B三明治膜,在不同条件下对样品进行了退火处理,在最佳退火条件下,样品软磁特性得到明显改善,从而获得了优良的巨磁阻抗（GMI）效应,研究了GMI效应与交变电流频率f和外加直流磁场H关系,在5MHz的特征频率下,最大的横向阻抗比△ZH/Zm达91%。由于样品的三明治结构,横向磁阻抗比明显优于纵向。     

Fe88Zr7B4Co1软磁纳米晶薄带的巨磁阻抗效应

利用熔旋快淬技术在铜辊速度为40 m/s的条件下制备了Fe88Zr7B4Co1薄带,分别经550、600、650、700、725、750℃退火处理30 min,形成纳米晶薄带.研究了退火温度、外磁场和驱动电流频率对巨磁阻抗效应的影响.发现存在一个最佳退火温度650℃.其bcc α-Fe相的晶粒尺寸为11.3 nm,在此温度下制备的Fe88 Zr7 B4 Co1纳米晶薄带具有最强的巨磁阻抗效应:在H=90 Oe下,频率约为1 MHz时Fe88Zr7B4Co1纳米晶薄带的磁阻抗△Z/Z0达到-52%.Fe88Zr7B4Co1纳米晶薄带具有比未掺杂的Fe88Zr7B4更强的巨磁阻抗效应.     

FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜的磁畴结构和巨磁阻抗效应

用高频溅射法制备了ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ／Ｃｕ／ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ膜,经３５０℃退火２０ｍｉｎ后得到性能优良的巨大磁阻抗材料,磁畴结构观察表明,样品中心为均匀的细条畴靠近边缘,磁畴方向转向横向,这种畴结构有利于磁力线的闭合,是获得显著的巨阻抗效应的重要原因之一,磁阻抗测量表明,样品在１３ＭＨＺ的频率下,分别获得了６３％和７％的纵向和横向磁阻抗比     

复合非晶丝的巨磁阻抗效应分析

研究了外层为NiFe层，里层为Ag丝的复合结构材料的巨磁阻抗效应，发现复合丝在较低频率下就有较大的阻抗变化值。同时推导了外场小于各向异性场时具有网周各向异性的复合丝的阻抗表达式，并讨论了各结构参量对巨磁阻抗效应的影响。发现材料的巨磁阻抗效应强烈依赖于复合丝铁磁层的厚度；而导体层和铁磁层的电导率相差越多则材料的巨磁阻抗效应也越大。     

磁场退火对CoFeNiNbSiB薄带巨磁阻抗的影响

本文研究了磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带巨磁阻抗（GMI）效应的影响，样品在不同条件下进行了退火热处理，结果表明，在300℃下经横向磁场退火处理后获得了最佳的软磁特性，从而得到了最大的GMI效应，在800KHz的交变电流频率下，得到了236%的最大磁阻抗比，在低场下，材料的磁阻抗磁场灵敏度达到1152%/mT。     

Fe84Zr2．08Nb1．92Cu1B11纳米晶薄带中的巨磁阻抗效应

摘要：利用真空甩带机制备了Fe84Zr2．08Nb1．92Cu1B11金属快淬薄带。X射线衍射结果表明：薄带经570℃退火后析出纳米化结构bccα-Fe相，晶粒大小约为20nm～40nm，利用HP4294A阻抗分析仪测量了此纳米晶薄带中的巨磁阻抗效应。结果显示在低频下阻抗随外磁场单调减小，这主要是由于磁导率随外磁场的变化导致的，高频下阻抗随外磁场变化出现1个峰值，这主要是由于横向各向异性的原因。运用计算机模拟了这一结果，发现磁导率随外磁场的变化在外场与各向异性场的比值约为0．9处出现了峰值，巨磁阻抗效应也在此位置出现峰值。并且随着驱动电流频率的增大峰值变大。     

Fe4.5Co67.5Nb0.5Mn0.5Si12B15丝材中的巨磁阻抗效应

报道了淬火态Fe4.5Co67.5Nb0.5Mn0.5Si12B15丝中GMI效应,发现淬火态非晶丝GMI(Z)＝|(Z(65Oe)-Z(0))/Z(0)|可高达73%.我们也对简单退火下对Fe4.5Co67.5Nb0.5Mn0.5Si12B15钴基材料中GMI效应的影响也进行了深入细致的研究,发现GMI峰值随退火温度从300℃增加到450℃而先上升,达到一个最大值,然后下降.350℃退火的效果较佳.同时发现低于1MHz时,淬火态对应的GMI效应优于退火态的值,而高于1MHz时,350℃退火材料的GMI(Z)值相应的要高.     

Fe73Cu1.5Nb3Si13.5B9淬态薄带中的巨磁阻抗效应研究

通过调高Cu在合金薄带的含量，并采用合适的甩带速度V，在FeCuNbSiB淬态薄带材料中观察到了较大的巨磁阻抗效应。甩速V=30m／s的Fe73CU1．5Nb3Si13．5B9淬态薄带在外加直流磁场H=7162A／m下，在f=300kHz时磁阻抗△Z／Zo为-22．6％。另外发现Fe3Cu1．5Nb3Si13．5B9淬态薄带中横向磁各向异性很微弱。Fe73Cu1．5Nb3Si13．589淬态薄带中AZ／Zo随磁场变化的峰值基本来源于△X／X0项的变化。在f≤16MHz的频率范围内，其峰值磁场随着频率的增加而增加。     

SOFT MAGNETIC PROPERTIES AND GIANT MAGNETOIMPEDANCE EFFECT IN MAGNETIC FIELD–DEPOSITED FeCuCrVSiB FILMS

采用射频溅射法, 在无磁场和施加72 kA/m的纵向磁场下制备了FeCuCrVSiB软磁合金薄膜样品, 对沉积态样品的软磁特性和巨磁阻抗(GMI)效应进行了测量和分析. 结果表明, 在制备过程中加磁场可明显改善材料的软磁性能, 与无磁场沉积态相比, 样品的矫顽力从1.080 kA/m降低到0.064 kA/m, 在13 MHz频率下有效磁导率比从10%增加到106%. GMI效应与磁导率比的大小密切相关. 无磁场沉积态样品没有检测到GMI效应, 而磁场沉积态样品则具有显著的GMI效应. 在13 MHz 的频率下, 最大纵向和横向巨磁阻抗比分别高达22%和20%. 这些结果都优于厚度几乎相同的退火态FeCuNbSiB薄膜的GMI特性.     

制备态FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜的巨磁阻抗效应

用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了FeZrBNi／Ag／FeZrBNi三层膜,对制备态样品进行了磁阻抗测量．结果表明,样品纵向和横向的最大磁阻抗比分别为18％和31％,取得最大阻抗比的频率分别为7和8MHz;在此频率下,样品的纵向和横向相对磁导率比分别达到153％和5117％．这表明掺Ni的FeZrB三层膜在制备态已具备优异的巨磁阻抗效应和软磁性能．同时还分析了薄膜样品的电阻、电抗分量和有效磁导率随频率的变化关系．     

THEORETICAL STUDY OF GIANT MAGNETO-IMPEDANCE IN AMORPHOUS FILMS WITH LONGITUDINAL MAGNETIC ANISOTROPY

1. IntroductionGiant magneto-impedance (MI) effect has been observed in ferromagnetic wires, ribbonsand filmsll--7]. Considering the potential applications of films in micromagnetic sensors forhigh frequencies, a large amount of work on experiments and theories has been done, somesuccessful results have been obtained. FOr example, MI ratio reaches as high as 700% at20MHz in CoSiB/SiOZ/Cu/SiOZ/CoSiB multilayered film.14]. The great sensitivity of thiseffect at very low external magnetic…     

Fe－Dy非晶膜晶化过程中结构及磁性变化

用真空双源蒸镀法在ＮａＣｌ和Ｓｉ单晶衬底上制备Ｆｅ，Ｄｙ成分调制多层膜．研究了非晶膜晶化过程，等温退火后多层膜结构及磁性变化。结果表明，在２００℃以下退火，其沉积态非晶和成分调制结构几乎不变；３００℃开始晶化，首先出现Ｆｅ晶核，随温度升高，Ｆｅ，Ｄｙ逐步晶化，６００℃全部形成晶态ｂｃｃ－Ｆｅ和ｈｃｐ－Ｄｙ．饱和磁化强度Ｍｓ对非晶Ｆｅ，Ｄｙ膜晶化时Ｆｅ晶核的形成十分散感，而只有Ｆｅ晶粒的长大才导致矫顽力Ｈｃ增加．