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采用脉冲激光沉积(PLD)方法,在SrTiO3(100)衬底上在650℃、10Pa N2条件下成功制备了立方结构的AlN薄膜.高能电子衍射(RHEED)及X射线衍射(XRD)分析表明立方AlN和SrTiO3的外延关系为AlN[100]∥SrTiO3[100]和AlN(200)∥SrTiO3(100).其AlN(200)衍射峰的摇摆曲线半高宽(FWHM)为0.44°,说明薄膜结晶性能良好.原子力显微镜(AFM)表明外延的立方AlN薄膜表面具有原子级平整度,其表面均方根粗糙度(RMS)为0.674nm.通过X光电子能谱(XPS)分析AlN薄膜表面成分,结果表明AlN薄膜表面没有被氧化. 相似文献
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介绍了AlN压电薄膜的研究现状,着重突出了AlN薄膜的制备方法、择优取向结构及表面形貌等方面的研究,尤其对脉冲激光沉积工艺(PLD)镀膜的基本原理和过程、分别采用周期价键链(PBC)理论和断键模型对薄膜晶面择优取向机理的分析作了较为详细的探讨.最后简单讨论了AlN压电薄膜研究的发展趋势. 相似文献
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用KrF准分子脉冲激光在低基板温度下制备AlN薄膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用KrF准分子脉冲激光在 2 0 0℃的Si(111)基板上通过改变制备条件 ,采用沉积后直接保温处理的方式制备出了具有不同择优取向的AlN薄膜 ,并得出了较高的处理温度和过长的时间不利于AlN相的形成的结论。 相似文献
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通过改变氧分压,利用脉冲激光沉积方法在Si(100)衬底上制备了系列LaNiO3导电氧化物薄膜;经XRD测试研究发现,通过调控氧压,可获得具有高(100)取向薄膜,且氧压对薄膜结晶性有很大影响,在氧分压为7.5Pa时获得结晶性最好的薄膜。经XRF分析表明,La、Ni元素化学成分计量比随氧压增大而减小。经四探针法测试,薄膜电阻率最小为2.03×10-4Ω.cm,表现出了良好的金属导电性。经SEM和AFM分析表明,薄膜晶粒为柱状晶,排列均匀致密,薄膜表面均匀,粗糙度较小,表明LaNiO3薄膜可以用作一种良好的铁电薄膜底电极材料。 相似文献
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采用脉冲激光,在Si(001)衬底上生长ZnO薄膜,利用X射线衍射(XRD),原子力显微镜(AFM)和光致发光光谱(PL)等测试手段研究了不同衬底温度所生长的ZnO薄膜结构特征和光学性能。研究表明:衬底温度影响ZnO薄膜结构和光学性能。在500℃~600℃沉积范围内随着温度升高,ZnO薄膜结构和光学性能提高。 相似文献
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采用脉冲激光沉积技术在(0001)取向的蓝宝石基片上外延生长了Pt单晶薄膜,研究了沉积温度和激光能量对Pt薄膜的晶体结构,表面形貌及电学性能的影响规律.X射线衍射(XRD)分析结果表明,在沉积温度650℃、激光脉冲频率1Hz和激光能量280mJ的条件下,制备得到的Pt(111)单晶薄膜,其(111)面ω摇摆曲线半高宽(FWHM)仅为0.068°.原子力显微镜(AFM)分析表明外延的Pt薄膜表面具有原子级平整度,其表面均方根粗糙度(RMS)约为1.776nm.四探针电阻测试结果显示薄膜方阻为1/962Ω/□,满足铁电薄膜的制备工艺对Pt底电极的要求. 相似文献
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采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)基底上制备了有效氧化层厚度为8.6nm,介电常数为29.3的HfO2薄膜.借助C射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电镜(HRTEM)分析了样品的微观结构,对电容的C-V与I-V电学特性进行了测试。实验结果表明,该方法制得的HfO2薄膜表面光滑,N2500℃下退火30mm后样品表面粗糙度由0.203nm变为0.498nm,薄膜由非晶转变为简单正交结构,界面层得到有效控制,该栅介质电容具有良好的C-V特性,较低的漏电流密度(4.3×10^-7A/cm^2,@-1V),是SiO2栅介质的理想替代物. 相似文献
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太阳能电池是一种清洁能源, 近年来发展迅猛。减反射膜能大幅减少太阳能电池对光线的反射, 从而提高电池光电转化率。为优化减反射效果, 减反射膜设计多样, 包括单层膜、双层膜、三层膜和多层膜, 膜层不同对薄膜材料的折射率要求不同。氮化硅薄膜是一种优秀的硅基太阳能减反射膜, 其折射率在1.78~2.5之间, 调控范围广。本文采用脉冲激光沉积法制备氮化硅减反射膜, 研究不同工艺参数对硅片上沉积的氮化硅薄膜性能的影响。 相似文献
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在不同的衬底温度下,通过脉冲激光淀积(PLD)方法在Si衬底上生长出c轴高度取向的ZnO薄膜。ZnO薄膜的结构分别通过X射线衍射(XRD)和广延X射线吸收精细结构(EXAFS)来表征,而表面成份和化学态则通过X射线光电子能谱来研究。利用光致发光(PL)来研究样品的发光特性。XRD结果和EXAFS结果都表明了500℃时生长的ZnO薄膜的结晶性比300℃时生长的要好。EXAFS结果和XPS结果显示,300℃时生长的ZnO薄膜处于富氧状态,而500℃时生长的则处于缺氧状态。结合XRD谱、EXAFS谱、XPS谱和PL谱的结果可以看到:随着ZnO薄膜的结晶性变好,它的紫外发光增强;另一方面,随着ZnO薄膜中O的含量减少,绿光发射变强。我们的结果表明绿光发射与ZnO中氧空位(V0)有关。 相似文献
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采用脉冲激光沉积法制备了(GeSe2)100-x-Bix(x=0~12)硫系玻璃薄膜。测量了薄膜的光学透射谱、吸收谱和拉曼光谱。薄膜的光学短波吸收边对应于电子的间接带间跃迁,并由此计算出其光学带隙。拉曼光谱分析表明Bi含量的增加,减小了玻璃的平均键能,导致光学带隙由1.94 eV减小到1.11 eV。Tauc斜率由486 cm-1/2eV-1/2减小到178 cm-1/2eV-1/2。退火过程中的热漂白效应减小了玻璃的结构无序性,使得薄膜的光学带隙和Tauc斜率相应增大。 相似文献
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采用氧等离子体辅助脉冲激光沉积方法(PLD)在硅衬底上, 制备出高度(001)取向的钙钛矿相结构钛铌镁酸铅(PMN-PT)薄膜. 研究了氧等离子体辅助对PMN-PT薄膜相结构、微观形貌和电学性能的影响. 结果表明, 通过在薄膜沉积过程中引入高活性的氧等离子, 可以有效地提高PMN-PT薄膜的结晶质量和微观结构. 未采用氧等离子体辅助PLD方法制备PMN-PT薄膜的介电常数(10 kHz)和剩余极化(2Pr)分别为1484和18 μC/cm2, 通过采用氧等离子体辅助, 其介电常数和剩余极化分别提高至3012和38 μC/cm2. 相似文献
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脉冲激光沉积(PLD)薄膜技术的研究现状与展望 总被引:2,自引:0,他引:2
综述了脉冲激光沉积 (PLD)薄膜技术的研究现状 ,并按照研究方向将整个研究领域分为三个部分 :PLD法沉积薄膜的机理 ,PLD的工艺研究以及PLD法沉积的主要薄膜材料 ,分别进行了阐述 ,对相关的研究工作提出了建议 ,并对PLD技术的应用前景做了展望 相似文献