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本文描述了一种实现亚100nm基区宽度的晶体管结构。加工工艺类似BSA(硼硅玻璃自对准)技术,可实现亚100nm的基区结深,还可解决自对准器件在横向和纵向按比例缩小时所遇到的困难。与离子注入工艺相比,这种工艺可轻易地解决诸如高剂量离子注入所产生的下列问题:二次沟道效应对基区结深减小的限制及晶格损伤。晶体管采用了多晶硅发射极,RTA(快速热退火)用于形成晶体管的单晶发射区,为提高多晶发射区的杂质浓度 相似文献
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<正> 据报道松下电器产业最近发表了一种高速高精度双极晶体管的制造工艺。该工艺采用选择氧化法使发射区集电区自对准,采用由同一窗口的离子注入来形成有源基区和发射区的所谓[SMASH-1],用多晶硅进行掩埋隔离。最后制造成更高速高精度的 相似文献
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采用新结构与新工艺降低SiGe HBT基区串联电阻 总被引:1,自引:1,他引:0
采用新型调制掺杂量子阱基区结构和掩埋金属自对准工艺方法,在器件的纵向结构和制备手段上同时进行改进,使超薄基区小尺寸SiGeHBT的基区横向电阻和接触电阻分别降低42%和55%以上,有效解决了基区串联电阻的问题。 相似文献
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本文研究了离子注入的基区工艺在集成电路大生产中的应用,对离子注入的基区氧化再扩散、中性气氛再扩散和基区CVD工艺的表面缺陷作了比较和分析。对离子注入的基区工艺,本文给出了理论与实验的工艺参数和工艺条件的关系曲线。 实验表明,基区离子注入工艺具有的工艺稳定性,均匀性,一致性和可控性均比基区 CVD工艺优越,可以有效地防止由于基区工艺参数超规范而引起的成品率下降和整批报废。 相似文献
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报道了一套先进的0.5μm高速双层多晶硅自对准BiCMOS制作工艺.工艺中采用了先进的深槽隔离技术、选择性集电极注入(SIC)技术、使用自对准Si3N4/SiO2复合侧墙作为E-B结的隔离、用低能氟化硼取代硼注入基区形成超薄内基区.通过优化BiCMOS制作工艺,最终制作出了性能优良的高速BiCMOS器件. 相似文献
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GaAs亚微米自对准工艺技术研究 总被引:2,自引:2,他引:0
总结了在50mmGaAs圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究,着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好,在50mmGaAs圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的GaAsIC和GaAs功率MESFET,证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国GaAsIC确实具有重大意义。 相似文献
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利用硅栅自对准分离子注入工艺制备了SOI/SDB CMOS器件,讨论了该器件的短沟道效应、“Kink”效应以及SOI硅膜厚度对NMOS、PMOS管参数的影响。 相似文献
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在器件纵向结构确定后,常规工艺制作的SiGe/SiHBT噪声性能不理想的主要原因是其基极电阻较大,高频性能不理想主要是由于其基极和发射极台面面积较大造成的;为达到改善其高频与低噪声性能的目的,在不改变光刻工艺精度的情况下,采用离子注入和掩埋金属自对准工艺方法完成了器件制作;与传统制作方法相比,前者可减小外基区电阻,后者可以减小电极接触电阻,并能使器件的台面面积做得更小。在此基础上,我们测试了器件的最小噪声系数与最高截止频率,结果表明:用自对准工艺制作的器件的高频噪声与频率性能都显著改善。 相似文献
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综述了近年来国际上SiGe BiCMOS工艺的最新研究成果和工艺量产情况,具体展现和讨论了不同机构所研发的器件结构、工艺流程及其性能,并且展望了器件及工艺进一步优化的方向。虽然目前传统的双多晶自对准选择性外延基区结构实现了最佳的量产性能,但受限于内外基区连接电阻和选择性外延基区薄膜的不均匀性,其器件性能很难再有进一步提高。非选择性外延基区结构在实验室获得了极高的性能,但其自对准特性较低,这妨碍了其工业量产和更大规模集成。维持HBT器件与更小尺寸基线CMOS的工艺兼容性变得越来越困难。对高性能、工业量产和低成本进行综合,仍然是一项具有较大挑战性的任务。 相似文献
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为了制备耐高温肖特基势垒,已采用RF或DC磁控溅射法在n~+n型GaAs衬底上溅射淀积钨(W)膜。这种膜具有良好的力学及电学性质。膜的可蚀性及肖特基势垒的热稳定性能够满足自对准栅IC的要求。新颖的自对准结构及用W栅制成的自对准离子注入GaAs MESFET初步特性能说明W栅工艺适用于GaAs IC。 相似文献
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