一种新型MOS变容管在射频压控振荡器中的应用

基于0.5μm工艺，设计了一个工作频率在1.8GHz，相位噪声在偏移量为500kHz时小于-100dBc/Hz的压控振荡器（VCO）。并将一个普通的压控MOS变容管改进为只工作在反型区的压控MOS变容管。将这两种MOS电容分别应用到该VCO电路中。结果表明，采用反型模式压控MOS变容管的VCO电路具有更大的调谐范围，调谐曲线由之前的反复变化变为单调变化，并且对电路的相位噪声也起到了抑制作用。     

电源软启动电路MOS管失效原因分析

MOS管具有体积小、导通电阻低等优点，在大功率电源的软启动电路中被大量地使用。以某大功率电源在工作过程中发生软启动电路MOS管损坏为案例，通过开封检查，确定该MOS管为过功率损坏。首先，建立了软启动仿真电路，分析了电路启动波形，得出了MOS管过功率损坏过程；然后，通过实验验证了仿真结果的正确性，定位到外部供电电源异常导致MOS管损坏；最后，提出了规避电源软启动电路MOS管失效的思路，对于提高电源软件启动电路MOS管的质量与可靠性具有重要的意义。     

常用MOS管驱动芯片的应用

<正> 很多小信号放大电路都是由晶体管放大电路构成,其功率有限,不能把电路的功率做得很大。随着现代逆变技术的逐步成熟,使信号波形能够很好地在输出端重现,并且可以做到高电压,大电流,大功率。在很多场合,我们需要对MOS管进行驱动,以达到我们的设计要求。MOS管具有低电压、大电流的特点,在电动自行车     

半桥射频MOS管驱动电路设计

基于半桥拓扑结构的特点,得出了MOS管驱动电路的基本要求,重点分析了MOS管驱动电路各分电路的设计参数,实验验证了驱动电路的合理性.     

适用于无源超高频RFID标签的高效率整流电路

基于动态阈值补偿技术,提出了一种适用于无源超高频RFID标签的高效率整流电路。该整流电路可以根据MOS管的工作状态对MOS管阈值电压进行动态补偿,使得MOS管同时具有低的导通电压和反向泄漏电流,从而实现高的功率转换效率。采用该整流电路的无源超高频RFID标签芯片在0.18 μm CMOS工艺下设计实现。测试结果表明,在驱动80 kΩ负载时,整流电路的功率转换效率最高可达53.7%。相比于传统整流电路,转换效率提高了约20％。     

钟控神经MOS管的改进及其在多值电路中的应用

首先对钟控神经MOS管进行研究,提出了相应的改进方法.然后采用此改进的钟控神经MOS管设计了一种新型多值触发器.与传统的触发器相比较,此多值触发器具有结构简单、速度快、功耗低等特点;而且无需改变电路结构就可实现不同基的多值触发器.PSPICE模拟证明了所设计的电路具有正确的逻辑功能.     

采用多输入浮栅MOS器件的四值编-译码电路设计

提出一种采用多输入浮栅MOS管设计具有可控阈值功能的电压型多值逻辑电路的方法.对每个浮栅MOS管的逻辑功能均采用传输开关运算予以表示以实现有效综合。在此基础上提出了一种新的电压型多输入浮栅MOS四值编码器和译码器设计。所提出的电路在结构上得到了非常明显的简化,并可采用标准的双层多晶硅CMOS工艺予以实现。此外,这些电路具有逻辑摆幅完整、延迟小等特点。采用TSMC0.35μm双层多晶硅CMOS工艺参数的HSPICE模拟结果验证了所提出设计方案的正确性。     

MOS管电路模型分析与设计方法

以仿真技术为基础的 MOS管电路分析与设计方法,其核心是建立电路模型。在建立电路模型的过程中,应当对电路的分析目的、设计要求和约束条件进行分析,在使用相应的仿真分析技术对电路进行分析和设计。     

硅基OLED数字型像素驱动电路MOS管尺寸对数据写入的影响

以传统的6T SRAM(5T+1MOS驱动管)结构硅基OLED像素电路为例,分析了开关管尺寸对数据写入的影响.提出了一种新型数字型硅基OLED像素电路,用5T(4T+1MOS驱动管)实现与6T SRAM(5T+1MOS驱动管)结构相同的功能.另外新型的像素电路与传统的SRAM结构相比,其数据写入不受开关管尺寸的影响,可...     

一种驱动MOS管工作在饱和区的硅基OLED微显示像素电路

硅基OLED微显示中为了在极小的像素面积内实现微小的OLED工作电流,其像素驱动电路的驱动MOS管一般工作在亚阈值区,存在OLED电流对驱动MOS管的阈值电压和栅源电压失配敏感、外围电路复杂等问题,如果驱动MOS管工作在饱和区则可避免这些问题,但为了获得微小的驱动电流,必须采用尺寸大的倒比MOS管,这又与极小的像素面积冲突。本文提出了一种采用脉宽调制(PWM)技术、驱动MOS管工作在饱和区的OLED微显示像素驱动电路,PWM信号减少了一帧内OLED的实际工作时间,OLED的脉冲电流变大,使驱动MOS倒比管的尺寸减小;由于PWM信号占空比小,同时实现了OLED微小的平均像素驱动电流和亮度。结果表明PWM信号占空比为3%时,实现的OLED驱动电流和像素亮度范围分别为27pA~2.635nA、2.19~225.1cd/m~2,同时采用双像素版图共用技术,在15μm×15μm的像素面积内实现了像素驱动电路的版图设计。     

开关电流双二次滤波器的设计

提出了一种开关电流双二次滤波器的设计方法 ,用该方法所设计的滤波器的特征频率ω0 和品质因数Q只与 MOS管的尺寸之比有关。通过调整 MOS管的尺寸可改变滤波器的参数 ,电路级仿真表明所提设计方法正确。     

一种采用齐纳管作为开关器件的Dickson电荷泵电路

文章提出了一种基于Dickson原理的电荷泵电路,采用齐纳管作为开关器件。该电路克服了采用MOS管作为开关器件的Dickson电路在多级级联时的转换效率急剧下降问题,并且可以利用齐纳管来稳定输出电压。Spice仿真结果显示,五级齐纳电荷泵可以轻松在3V电源电压下实现10V左右的稳定电压输出。该电路结构简单,与标准CMOS工艺兼容,具有较高的应用价值和经济价值。     

一种新颖的LDO限流保护电路

设计了一种新颖的LDO限流保护电路。该保护电路结构简单,由5个MOS管构成,其静态电流约200 nA。对该保护电路的原理进行了详细的分析和仿真验证。该LDO采用0.6μm SOI工艺流片,测试结果表明,该LDO具有稳定的限流保护功能。     

高端MOS管栅极驱动技术研究

高端MOS管驱动电路在高压输入大功率电源中被广泛应用。分析了高端MOS管的驱动原理,对影响高端MOS管驱动的各种因素进行了探讨,提出了适合高端MOS管驱动的基本方法。较全面地评估了传统的变压器驱动电路和自举驱动电路对高端MOS管驱动的影响,继而提出了适合高端MOS管驱动的线路结构,并采用该方案设计了一个实验电路。仿真和实验电路测试结果表明,设计电路满足要求。     

基于多值逻辑方法的二值神经元MOS电路设计技术

提出一种通过引入多值求和信号指导设计二值神经元MOS电路的方法.对每个神经元MOS管的逻辑功能均采用传输开关运算予以表示.在此基础上设计了实现常用二变量逻辑函数的神经元MOS电路和全加器等电路.采用所提出的方法综合得到的电路结构十分简单,而且很容易确定各耦合电容之间的取值比例.设计结果同时表明,利用浮栅电压信号易于实现求和的优点,通过引人求和辅助变量可显著简化对电路的综合过程.采用TSMC0.35μm双层多晶硅CMOS工艺参数的HSPICE模拟结果验证了所提出设计方案的正确性.     

辅佐有方也靓音-介绍一款新颖辅助电路的MOS功率放大器

在众多的MOS功率放大器中，其辅助电路，采用加法积分器作直流伺服提高放大器性能，扬声器输出电路利用“有源地”技术防备干扰的实在新奇罕见。这里给大家介绍日本木村雪秀的一款新颖辅助电路的MOS功率放大器，不仅新颖别致，令人耳目一新，而且为我们完善音响功率放大器提供了新思路。     

基于多值逻辑方法的二值神经元MOS电路设计技术

提出一种通过引入多值求和信号指导设计二值神经元MOS电路的方法.对每个神经元MOS管的逻辑功能均采用传输开关运算予以表示.在此基础上设计了实现常用二变量逻辑函数的神经元MOS电路和全加器等电路.采用所提出的方法综合得到的电路结构十分简单,而且很容易确定各耦合电容之间的取值比例.设计结果同时表明,利用浮栅电压信号易于实现求和的优点,通过引人求和辅助变量可显著简化对电路的综合过程.采用TSMC0.35μm双层多晶硅CMOS工艺参数的HSPICE模拟结果验证了所提出设计方案的正确性.     

4阶Colpitts MOS管混沌电路设计

仅增加一个线性电容并联于单电感两端,使3阶Colpitts MOS管电路成为4阶混沌电路。该电容与电感形成选频谐振子电路,便于产生混沌信号,可扩展存在混沌的参数取值范围。结合新电路归一化状态方程,分别计算电感电流和三只电容端压的4个李指数,探讨关键参数对该混沌电路的影响。对比MATLAB仿真数据与实测单MOS管电路的输出,一致性地显示4阶混沌特有的混沌吸引子已经实现。     

基于开关信号理论的三值电流型CMOS电路设计

本文应用开关信号理论对电流型CMOS电路中MOS传输开关管与电流信号之间的相互作用进行了分析,并提出了适用于电流型CMOS电路的传输电流开关理论。应用该理论设计的三值全加器等电路具有简单的电路结构和正确的逻辑功能,从而证明了该理论在指导电流型CMOS电路在开关级逻辑设计中的有效性。     

一种新型的高精度神经元MOS源极跟随单元电路

提出了一种新型的神经元MOS源极跟随电路结构,该电路即使在输入信号小于阈值电压的情况下也能够完成源极跟随的功能,因而具有较高的精度.仿真和实验结果表明它比传统的神经元MOS源极跟随电路具有更高的精度.