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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
’96IEC/CISPR/EMandelieu-La-Napoule会议CISPR/E声音和电视广播接收机干扰特性分技术委员会于1996年10月8日召开。参加本次年会的除15个国家的代表外,还有国际电信联盟(ITU)的代表和CISPR主席、CISPR...  相似文献   

2.
自对准硅化物CMOS/SOI技术研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
在CMOS/SIMOXSOI电路制作中引入了自对准钴(Co)硅化物(SALICIDE)技术,研究了SALICIDE工艺对SOIMOSFET单管特性和CMOS/SOI电路速度性能的影响.实验表明,采用SALICIDE技术能有效地减小MOSFET栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻,改善单管的输出特性,降低CMOS/SOI环振电路门延迟时间,提高CMOS/SOI电路的速度特性.  相似文献   

3.
在SOI/CMOS电路制作中引入了自对准钴硅化物(SALICIDE)技术,研究了SALICIDE工艺对SOI/MOSFET单管特性和SOI/CMOS电路速度性能的影响。实验表明,SALICIDE技术能有效地减小MOSFET栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻,改善单管的输出特性,降低SOI/CMOS环振电路门延迟时间,提高SOI/CMOS电路的速度特性。  相似文献   

4.
SOITEC将扩大SOI圆片生产规模据SemicondIntl1996年第6期报道,法国SOITEC公司已完成第三轮投资,这一举措将使该公司获得大批量生产SOI圆片的能力。这次投资的资金将用于建设均匀粘接(Unibond)圆片的中试线和一条生产线。...  相似文献   

5.
ISO/IEC导则第1部分修改草案拟就ISO、IEC将对ISO/IEC导则第1部分进行修改,并出版第3版本。1994年年底,ISO、IEC已将第3版草案发往各国家委员会,要求各成员对草案提出意见和投票表决。修改的主要内容有:(1)对新工作项目给出了明...  相似文献   

6.
甘学温  奚雪梅 《电子学报》1995,23(11):96-98
SOI-MOSFET主要模型参数得一致的提取,因而该模型嵌入SPICE后能保证CMOS/SOI电路的正确模拟工作,从CMOS/SOI器件和环振电路的模拟结果和实验结果看,两者符合得较好,说明我们所采用的SOI MOSFET器件模型及其参数提取都是成功的。  相似文献   

7.
MPEG—2传送流的结构分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
1 MPEG - 2简介MPEG是运动图像专家组的英文缩写 ,它成立于1998年 ,职能是制定建立活动图像及相应音频的编码标准。MPEG是一个标准系列 ,有MPEG - 1、MPEG -2、MPEG - 4和MPEG - 7。MPEG - 2目前分为 9个部分 ,成立于 1990年的ATM视频编码专家组与MPEG一起开发适用于ATM传输的视频编码联合标准。 2个工作组主要在 9个部分的ISO/IEC 13818国际标准中第 1和第 2部分进行合作 ,即 :MPEG - 2的国际电信联盟标准ITU -T .Rec .H .2 2 0、ISO/IECDIS 13818- 1系统和ITU …  相似文献   

8.
ISO/IEC准备再次修改25导则根据IEC147号公报(1994年8月)的报道,ISO/IEC准备再次修改ISO/IEC25导则——《校准和检测试验室能力的一般要求》,以使25导则是作为要求还是作为导则在应用方面的区别进一步明确。换句话说,修改后的...  相似文献   

9.
在对兼容性没有任何要求的条件下,ISO/IECMPEG-2先进音频编码(AAC)系统使ISO/IECMPGE-2编码具有最好的音频质量,叙述了AAC系统(ISO/IEC13818-7)的主要特点,MPEG-2AAC把高分辨率滤波器组,预测技术,霍夫曼编码的编码效率和其他功能结合在一起,可以在数据率可变的情况下,传输品质极高的音频。  相似文献   

10.
1 MPEG-2标准简介MPEG是活动图像专家组的英文缩写。它成立于1998年,现在属于国际标准化组织(ISO)和国际电工委员会(IEC)信息技术委员会第29研究组的第11工作组,其全称是:ISO/IEC/JTCI/SC29/WG11。MPEG-2标准在1993年11月汉城会议后,形成了委员会文件草案。1996年1月通过为国际标准,编号为ISO/IEC13818。它作为一种信息技术标准,规定了数字化活动图像和附带音频信号的一般编码方法,主要有4个部分:13818-1系统,规定了系统编码层的技术要…  相似文献   

11.
多媒体通信的MHEG标准在多媒体应用时,通信的网络交换和用户各方的通信中,多种媒体之间的关系也要求有一个统一的规定,即国际标准。CCITT(SGVlll/Qg)一ISO—IEC/JTCI/SC29/WG12专家组(MultimediaandhyPer...  相似文献   

12.
薄膜SOI/CMOS器件结构的设计考虑=Designconsiderationsforthin-filmSOI/CMOSdevicestructures[刊,英]/Aoki.Takahiro∥IEEETrans.ElectronDev,-1989.5...  相似文献   

13.
张兴  王阳元 《电子学报》1996,24(11):30-32,47
利用薄膜全耗尽CMOS/SOI工艺成功地研制了沟道长度为1.0μm的薄膜抗辐照SIMOXMOSFET、CMOS/SIMOX反相器和环振电路,N和PMOSFET在辐照剂量分别为3x105rad(Si)和7x105rad(Si)时的阈值电压漂移均小于1V,19级CMOS/SIMOX环振经过5x105rad(Si)剂量的电离辐照后仍能正常工作,其门延迟时间由辐照前的237ps变为328ps。  相似文献   

14.
本文介绍的是一种家用网的用户接口。此用户接口易被用户接受,适用灵活,以家用网络为基础,也适用于其它家用系统,如欧洲的ESPRIT HOME SYSTEM [EHSA92],美国的Consumer Electronics Bus(CEBus)[EIAU92]以及日本的HOME BUS SYSTEM(HBS)[EIAJ86]。  相似文献   

15.
A/D与D/A转换器技术WD9451110位100M采样/秒流水线子区BiC-MOSADC=A10-b100-Msample/spipelined sub-rangingBiCMOSADC[刊,英]/Sone,K.…//IEEEJ.Solid-Sta...  相似文献   

16.
THEOUTPUTOPTICALFIELDINTENSITYDISTRIBUTIONFORMEDBYANOPTICALFIBEREND¥YUANLi-Bo(Departmentofphysics,HarbinEngineeringUniversity...  相似文献   

17.
用SPICE模拟薄膜SOI/CMOS集成电路=TFSOI/CMOSICssimulationusingspice[会,英]/XiXuemei…∥TheProceedingsoftheThirdInternationalConferenceonSoli...  相似文献   

18.
一种10位20MS/s3v电源CMOsA/D转换器=A10hit20MS/s3VsupplyCMOSA/Dconverter[刊,英]/Ito,M…//IEEEJ.Solid-StateClrcults,-1994,29(12).-1531~1536...  相似文献   

19.
适于嵌入应用的一种25MS/s8位CMOSA/D转换器=A25MS/s8-bitCMOS.A/Dconvertcrforembeddedapplication[刊,英]/Pel-grom,MJM…∥IEEEJ.Solid-StateCircuits....  相似文献   

20.
薄膜SOI/CMOS的SPICE电路模拟   总被引:1,自引:0,他引:1  
鉴于SPICE是目前世界上广泛采用的通用电路模拟程序,具具有可扩展模型的灵活性,我们通过修改SPICE源程序把新器件模型--SOIMOSFET模型移植入SPICE中,通过我们的模拟工作,证实了我们模型的正确性和电路实用性,分析了器件参数对SOI/CMOS电路速率的影响,这些结论可以很好地指导电路设计和工艺实践。  相似文献   

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