材料制备工艺

Y2002-63306-276 0307221生长速率对金属有机分子束外延生长 InGaAs/InP(001)晶面横向组分调制的影响=Effects of growthrate on lateral compositional modulation of InGaAs/InP(001)grown by metalorganic m01ecular beam epiraxy[会,英]/Ogasawara,M.//2001 IEEE InternationalConference on Indiurn Phosphide and Related Materi-als.—276～279(E)     

材料制备工艺

Y2000-62067-337 0012795通过分子束外延生长掺铍 InGaAs/AlGaAs 应变量子阱结构=Be-doped InGaAs/AlGaAs strained quantumwell structures grown by molecular beam epitaxy[会,英]/Zhang,D.H.& Shi.W.//1998 IEEE Interna-tional Conference on Optoelectronic and MicroelectronicMaterials and Devices.—337～339(EC)     

材料制备工艺

2002041电流控制 LPE 生长 Al_xGa_(1-x)As 外延层的生长特性[刊]/曾庆科//发光学报.—1999,20(增刊).—39～42(E)喷雾热解法制备功能材料研究进展(见2002052)MBE 生长高功率半导体激光器(见2001957)大面积水听器用0-3型压电复合材料的制备(见2001830)     

材料制备工艺

N2002-07682 0224657电子情报通信学会技术研究报告:硅材料与器件SDM2000-167～186(信学技报,Vol.100,No.517)[汇,日]/日本电子情报通信学会.—2000.12.—134P.(L)本文集为半导体硅以及相关材料评价专辑,收录的20篇论文主要涉及:硅表面腐蚀技术与模拟,硅中缺陷分布,SiGeC 混晶半导体的外延生长,低温多晶硅薄膜晶体管,多晶硅薄膜结晶生长,低温多硅 TFT 热     

材料制备工艺

电子情报通信学会技术研究报告:电子器件与材料CPM2000-14～18(信学技报,Vol.100,No.60)(见0114825)电子情报通信学会技术研究报告:电子器件与材料CPM2000-1～13(信学技报,Vol.100,No.59)(见0114824)电子情报通信学会技术研究报告:电子器件 ED2000-29～43(信学技报.Vol.100,No.58)(见0114823)     

材料制备工艺

Y2002-63306-583 0309530金属有机汽相选择区域外延制备 InGaAsP/InP Mach-Zehnder 干涉仪光学放大器开关=Fabrication of In-GaAsP/InP Mach-Zehnder roterferometer optical amplifi-er switches by metalorganic vapor phase selective areaepitaxy[会,英]/Futakuchi,N.& Song,X.L.//2001IEEE Internanonal Conference on Indium Phosphide andRelated Materials.—583～586(E)     

材料制备工艺

0603408 共沉淀法制备MFe2O4(M=Zn,Cd,Mg和Cu)厚膜的硫化物传感特性=Sulfide-sensing characteristics for MFe2O4(M=Zn,Cd,Mg and Cu)thick film prepared by co-precipitation method[刊,英]／C．Xiangfeng and Z． chenmou／／Electronics Letters．-2003,96(3)．-504-508(E)     

材料制备工艺

IELDVD060:9322:29630-53 0600555 电介质故障感应式晶体外延:超薄门电路电介质普遍的故障缺陷=Dielectric-breakdown-induced epitaxy:a universal breakdown defect in ultrathin gate dielectrics [会,英]／Ranjan,R．／／Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits,2004．IPFA 2004．Proceedings of the 11th International Symposium on the．-53-56(A) 0600556 光电器件用BexZn1-xTe合金特性及分子束外延生长 =Molecular-beam epitaxy growth and properties of     

材料制备工艺

0014476香草醛改性壳聚糖制备的研究[刊]/吴根//河北科技大学学报.—2000,21(2).—73～77(L)C_(60)与金刚石薄膜成核关系的研究(见0014215)sol-gel 法制备纳米碳化硅晶须的研究(见0014200)薄水铝石制备实验的改进(见0014194)     

材料制备工艺

Y2002-63084-341 0212820硅与镀掺杂 MBE 生长 GaAs 中的补偿=Compensationin MBE-grown GaAs doped with silicon and beryllium     

材料制备工艺

Y2002-63209-52 0312060采用非选择外延的高性能0.25μm SiGe和SiGe:CHBT(学生论文)=High performance 0.25μm SiGe andSiGe:C HBTs using non-selective epitexy(student pa-     

材料制备工艺

0622971两亲性聚乳酸嵌段共聚物的制备受性能研究[刊,中]/刘健//北京化工大学学报(自然科学版)．—2006,33 (3)．—52-55(C) 0622972 TiO_2/SiO_2复合粉体的制备及催化性能的研究[刊,中]/封娜//合肥工业大学学报(自然科学版)．—2006,29(6)．—651-654(C) 0622973从高铅碲渣中浸出碲的热力学分析及实验[刊,中]/马玉天//中南大学学报(自然科学版)．—2006,37(3)．—498-504(L) 0622974高纯纳米α-Fe_2O_3粉体的制备及表征[刊,中]/阳征会//中南大学学报(自然科学版)．—2006,37(3)．—487- 492(L) 0622975具有渐变层半导体DBR的MOCVD外延制备[刊,中]/盖红星//功能材料与器件学报．—2006,12(3)．—207-210(G)应用金属有机化合物气相演积(MOCVD)制备了具有渐变层的半导体布拉格反射镜(DBR),分别是抛物线性、线性和突变结构的DBR。三种反射镜结构都设计为8个周期,通过白光反射谱测量突变DBR具有     

材料制备工艺

0314340三元石墨插层化合物的合成与表征[刊]/任慧//北京理工大学学报.—2003,23(2).—248～251(L)0314341新型脱除 SO_2催化剂的研究[刊]/陈实//北京理工大学学报.—2003,23(2).—245～247,259(L)     

材料制备工艺

0608920沉积温度对HfO2薄膜残余应力的影响〔刊,中〕/申雁鸣//强激光与粒子束.—2005,17(12).—1812-1816(E)0608921超高压制备n型PbTe的性能与分析〔刊,中〕/张丽丽//电源技术.—2005,29(11).—758-761(D)0608922双核铜配合物[Cu2(Ophen)2]·2H2O(Hophen=2-羟基-1,10-啉菲咯啉)的水热合成和晶体结构〔刊,中〕/胡长文//北京理工大学学报.—2005,25(12).—1103-1105,1112(L)0608923超薄层Si OxNy栅介质薄膜的制备与研究进展〔刊,中〕/张弘//河北大学学报(自然科学版).—2005,25(6).—673-679(L)0608924阳极氧化工艺对氧化铝模板孔径的…     

材料制备工艺

9904617横向固相外延生长及其影响因素的研究[刊]/罗南林 //半导体技术.—1998,23(5).—51～53(DC)9904618SiC 晶体生长和应用[刊]/邓志杰//半导体技术.—1998,23(5).—13～17(DC)     

材料制备工艺

9913221Zn:Fe:LiNbO_3晶体的生长及位相共轭效应的研究[刊]/徐衍岭//压电与声光.—1999,21(2).—127～130(L)在 LiNbO_3中掺进 ZnO 和 Fe_2O_3生长出 Zn:Fe:     

材料制备工艺

0217413纳米 ZnO 薄膜制备及液态源掺杂[刊]/李健//真空科学与技术学报.—2002,22(2).—149～152(L) 0217414各向异性胶体基底表面的分形凝聚体[刊]/钱昌吉//真空科学与技术学报.—2002,22(2).—107～111(L)对各向异性胶体基底表面的分枝状金原子凝聚体的生长机制进行了研究。沉积在无规杂质区域的熔融玻璃表面的金原子先形成网状结构的薄膜,然后逐渐演变成分枝状凝聚体。根据这一实验结果,建立了各     

材料制备工艺

0620004国外铁基复合材料的发展及应用[刊,中]／高跃岗／／合肥工业大学学报(自然科学版)．-2006,29(4)．-431- 436(C)铁基复合材料的制备和应用是提高钢铁材料性能的重要研究方向。文章按照时间顺序总结了国外铁基复合材料的发展和应用状况,详述了粉末冶金法、高温自蔓延烧结法、铸造法及铸渗法工艺的发展历史及其适用的增强体、基体材料和应用范围。参34     

材料制备工艺

9915150应用于 EEPROM 的超薄 SiO_2 TDDB 特性的研究[刊]/薛刚//微电子学.—1999,29(3).—187～189,199(A)MM-HEMT 材料的分子束外延生长研究(见9915085)ZnO 薄膜的 MBE 制备与结构分析(见9914896)P-Si(111)上溅射生长 ZnO 薄膜的结构特性(见9914892)     

材料制备工艺

Y2000-62422-108 0103751用于单栅极和双栅极 MOS 场效应晶体管的选择外延生长多层绝缘体上硅岛技术=Multi-layer SOI islandtechnology by selective epitaxial growth for single-gateand double-gate MOSFETs[会,英]/Pae,S.& Denton,