3mm波段集成振荡器研究

描述了一种3mm波段集成振荡器,该振荡器由雪崩二极管、微带谐振器、阻抗匹配器、鳍线过渡组成.通过对3mm波段集成振荡器进行理论分析和实验研究,最终在国内首次采用3mm连续波雪崩二极管成功研制出微带集成振荡器,工作频率为94.78GHz,输出功率大于7mW.     

3mm稳频脉冲雪崩管振荡器设计

介绍一种3mm波脉冲雪崩管振荡器,采用顶部斜率可调的脉冲电流给雪崩管(IMPATT Diode)供电,应用高Q腔谐振稳频,具有振荡频率高,输出功率大,频率稳定性好等优点.     

八毫米脉冲高功率雪崩管振荡器

本文简述了IMPATT器件的设计、制造工艺、振荡器的微波电路结构和脉冲调制的研制。对脉冲偏置期间产生的频啁效应作了原理性的说明,并提出了减小频啁带宽的方法。目前所研制的八毫米雪崩管振荡器输出功率在20W以上,最大脉冲输出功率在35.5GHz时达到48W。重复频率在1—100kHz范围内可调,脉宽从50ns—1μs可调。频率稳定,工作可靠。     

Ka波段宽带变容管电调振荡器研究

本文分析交建立了串联型宽带变容管电调振荡器的电路模型,在Ｋａ波段上完成了电路设计,获得了１３．３％的相对电调带宽,带内最小功率４０ｍＶ,最大功率达９０ｍＶ;最大电调速宽达到４．６ＧＨｚ。     

3mm肖特基势垒二极管雪崩噪声源

介绍了3mm波段肖特基势垒二极管雪崩噪声源,其宽带超噪声比为10.5dB,它与反向电流呈线性关系。     

集成宽带压控振荡器的设计

介绍了S波段、C波段集成宽带压控振荡器的设计方法和设计思路,进行了理论分析和数学模拟。通过利用Ansoft公司的Serenade8.5软件进行仿真、优化设计,获得了较好性能的宽带振荡器。给出了2-4GHz、4-8GHz宽带VCO最终达到的技术指标。     

3mm谐波振荡器的电调谐

本文在分析谐波振荡器的电路特性的基础上,针对谐波振荡器的电调谐问题,提出了“电调基频,提取谐波”的新构想,并以该构想指导振荡器的电路设计。最后,采用国产参放变容管作为电调元件于1988年在国内首次研制成功了3mm电调谐波振荡器。该振荡器最大电调带宽超过4GHz;当电调带宽等于±100MHz时,输出功率大于10mW;当电调带宽等于±500MHz时,输出功率大于5mW。     

3mm波段硅双漂移崩越二极管外延材料研制

报导了3 mm波段硅双漂移崩越二极管所需PN/N~+多层、亚微米外延材料的常规CVD生长技术,研究了实现这些高要求的多层结构的方法,得到了最佳的外延工艺条件。     

3mm二次谐波回旋振荡管设计与数值模拟

二次谐波回旋振荡管的互作用磁场比基波回旋振荡管的磁场降低了一半,从而降低了设计难度,具有广阔的应用前景。通过对单腔结构的W波段二次谐波回旋振荡管高频结构、起振电流、模式竞争以及注波互作用研究,确定了W波段TE02模二次谐波回旋振荡管的基本工作参数,通过粒子模拟(PIC)软件进行计算,在电子注电压为60kV,注电流为6A及速度比为1.5时,获得了67.5kW的输出功率和超过18%的效率,且工作稳定。     

数字控制振荡器的设计和顶层模型

采用0.18 μm CMOS六层金属工艺,利用带中心抽头的对称螺旋电感和新型电容调谐阵列构成的LC谐振回路,设计并实现了一种低功耗低相位噪声的数字控制振荡器(DCO).流片测试结果表明,相位噪声在1 MHz偏移频率处为-119.77 dBc/Hz.电路采用1.8V电源供电,消耗约4.9mA电流,当电源电压降到1.6V时,消耗约4.1 mA的核心电路电流,此时,相位噪声在1 MHz频偏处仍达到-119.1 dBc/Hz.为了提高全数字锁相环设计效率,采用硬件描述语言,构建了一种适用于全数字锁相环的仿真模型.该模型能大大缩短早期系统级架构选择和算法级行为验证的时间.     

X波段硅里德型双漂移崩越二极管外延材料

采用全外延工艺，研制了Ｘ波段里德型双漂移崩越二极管所需πｐｎγＮ￣＋多层外延材料，分析了各过渡区的形成机理及减小其宽度的方法，实现了陡峭的杂质浓度分布。     

一种K波段GaAs MESFET压控振荡器的设计

利用微波晶体管的负阻特性,基于Agilent ADS软件,设计出一种K波段微带结构、变容管调谐的MESFET压控振荡器(VCO)。对VCO进行实测．结果表明,VCO的中心频率为20.56GHz,调频带宽大于100MHz,带内输出功率大于2mW,相位噪声大于-90dBc／Hz@100kHz,满足实际应用。     

Effect of optical illumination on DDR IMPATT diode at 36 GHz

A reverse biased p-n junction diode with proper resonant cavity and boundary conditions is able to generate rf power and shows normal DC and small signal properties designed with semiconductor materials like 4H-SiC, GaAs, InP, Si-based DDR IMPATT structure at Ka band with dark condition. But when it is exposed to optical illumination through a proper optical window for both top mounted (TM) and flip chip (FC) configuration, it shows the influence on the oscillator performances in that band of frequency. The simulated results are analyzed for 36 GHz window frequency in each of the diodes and relative differences are found in power output and frequency of all these diodes with variable intensities of illumination. Finally it is found that optical control has immense effect in both FC and TM mode regarding the reduction of output power and shifting of operating frequency from which optimization is done for the best optically sensitive material for IMPATT diode.     

1.8 V低相位噪声全集成LC压控振荡器的设计

介绍了一种全集成的LC压控振荡器(VCO)的设计。该电路的中心频率为3.8 GHz,电源电压为1.8 V,采用0.18μm CMOS工艺制作。测试结果表明,VCO的相位噪声在偏离中心频率1 MHz时达到-126 dBc/Hz,调谐范围达到9%,VCO核心电路功耗小于8 mW。