一种65nm CMOS互连线串扰分布式RLC解析模型

基于65nm CMOS工艺,综合考虑电容耦合与电感耦合效应,提出了一种互连线耦合串扰分布式RLC解析模型.采用函数逼近理论与降阶技术,在斜阶跃输入信号下,提出了被干扰线远端的串扰数值表达式.基于65nm CMOS工艺,对不同的互连耦合尺寸下的分布式RLC串扰解析模型和Hspice仿真结果进行了比较,误差绝对值都在2.50%内,能应用于纳米级SOC的计算机辅助设计.     

一种基于目标延迟约束缓冲器插入的互连优化模型

基于分布式RLC传输线,提出在互连延迟满足日标延迟的条件下,利用托格朗日函数改变插入缓冲器数目与尺寸来减小互连功耗和面积的优化模型.在65nm CMOS工艺下,对两组不同类型的互连线进行计算比较,验证该模型在改善互连功耗与面积方面的优点.此模碰更适合全局瓦连线的优化,而且互连线越长,优化效果越明显,能够应用于纳米级SoC的计算机辅助设计和集成电路优化设计.     

一种基于目标延迟约束缓冲器插入的互连优化模型

基于分布式RLC传输线,提出在互连延迟满足目标延迟的条件下,利用拉格朗日函数改变插入缓冲器数目与尺寸来减小互连功耗和面积的优化模型. 在65nm CMOS工艺下,对两组不同类型的互连线进行计算比较,验证该模型在改善互连功耗与面积方面的优点. 此模型更适合全局互连线的优化,而且互连线越长,优化效果越明显,能够应用于纳米级SOC的计算机辅助设计和集成电路优化设计.     

一种新的集成电路互连线串扰模型和估计公式

建立了一个考虑分布电阻,分布电容的互连线混П模型,在这个模型的基础上,分析了终端在最坏条件下的串扰响应,并推导了三阶S域系数的精确表达式,最终,获得了一个新的互连线串扰响应的估计公式,通过与SPICE模拟的结果相比较,该文的模拟结果非常接近实际电路的串扰响应,与相关文献所发表的结果相比较,该模型更符合实际情况,结果也更精确。     

一种基于Birnbaum-Saunders 分布的新型互连时延统计模型

基于统计概率分布的互连时延模型具有效率高、准确性好的特点,但此类方法往往包含一些查表运算.本文提出了一种基于Birnbaum-Saunders分布的互连线时延模型,避免了查表运算,且仅需要采用前两个瞬态,计算简单,准确性较好,并提出了一种精度修正算法,使该方法具有更好的适应性.     

一种基于Birnbaum-Saunders分布的新型互连时延统计模型

基于统计概率分布的互连时延模型具有效率高、准确性好的特点,但此类方法往往包含一些查表运算.本文提出了一种基于Birnbaum-Saunders分布的互连线时延模型,避免了查表运算,且仅需要采用前两个瞬态,计算简单,准确性较好,并提出了一种精度修正算法,使该方法具有更好的适应性.     

基于RLC模型的树形互连线时延估算

文章给出了基于RLC模型的树形互连线50％时延的估算公式。这里给出的算法精度较高(与SPICE仿真结果的误差在10％以内)，而且具有与Elmore时延相同的算法复杂度。该算法基于RLC模型，可以得到各种不同的阻尼响应，包括欠阻尼振荡，而Elmore时延只能反应呈单调变化的过阻尼响应。因此，该算法对阻尼响应的估算精度高于Elmore时延，而其相当的计算开销(算法复杂度)使它可以应用于Elmore时延使用的各个领域。     

基于65 nm CMOS工艺的2阶温度补偿全CMOS电压基准源

采用65 nm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈区特性的全CMOS结构电压基准源.首先利用工作在亚阈值区NMOS管的栅源电压间的差值得到具有特定2阶温度特性的CTAT电压,该CTAT电压的2阶温度特性与PTAT电压2阶温度特性的弯曲方向相反.再通过电流镜技术实现CTAT电压和PTAT电压求和,最终得到具有2阶温度...     

基于40nm CMOS工艺电路的NBTI退化表征方法

负偏压温度不稳定性(NBTI)退化是制约纳米级集成电路性能及寿命的主导因素之一,基于40 nm CMOS工艺对NBTI模型、模型提参及可靠性仿真展开研究。首先对不同应力条件下PMOS晶体管NBTI退化特性进行测试、建模及模型参数提取,然后建立了基于NBTI效应的VerilogA等效受控电压源,并嵌入Spectre^TM仿真库中,并将此受控电压源引入反相器及环形振荡器模块电路中进行可靠性仿真分析,可有效反映NBTI退化对电路性能的影响。提出了一套完整可行的电路NBTI可靠性预测方法,包括NBTI模型、模型参数提取、VerilogA可靠性模型描述以及电路级可靠性仿真分析,可为纳米级高性能、高可靠性集成电路设计提供有效参考。     

一款基于65nm CMOS工艺的高效率50GHz 压控振荡器及其电感耦合效应的研究

A 50 GHz cross-coupled voltage controlled oscillator(VCO) considering the coupling effect of inductors based on a 65 nm standard complementary metal oxide semiconductor(CMOS) technology is reported.A pair of inductors has been fabricated,measured and analyzed to characterize the coupling effects of adjacent inductors. The results are then implemented to accurately evaluate the VCO’s LC tank.By optimizing the tank voltage swing and the buffer’s operation region,the VCO achieves a maximum efficiency of 11.4%by generating an average output power of 2.5 dBm while only consuming 19.7 mW(including buffers).The VCO exhibits a phase noise of—87 dBc/Hz at 1 MHz offset,leading to a figure of merit(FoM) of-167.5 dB/Hz and a tuning range of 3.8%(from 48.98 to 50.88 GHz).     

一种基于Sobel分解算子的图像边缘检测并行算法

串行Sobel梯度算子边缘检测算法需要将两个掩模S1和S2分别在图像的每个像素上移动．并在每个像素上进行11次加法运算，即需要11xN^2次加法，时间复杂度为O（N^2）；文章提出了一种Sobel算子分解模型。并设计了一种在SIMD—MPP模型上基于Sobel分解算子的并行图像边缘检测算法．该并行算法总共只需要8次平移操作和9次加法运算即可完成，其时间复杂度为O（1），加速比达到N^2，大大地提高了基于Sobel算子的图像边缘特征提取的效率。