SiC／Si异质生长的研究

在半导体材料中，ＳｉＣ比Ｓｉ具有更优越的物理特性、化学特性和半导体特性，在高温、高频和功率器件制造中有十分广阔的应用前景．但是它的材料制备很困难．文中在理论分析基础上，以Ｓｉ为衬底，用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）技术，在温度为１１００℃下，生长出ＳｉＣ多晶薄膜，样品用ＡＥＳ和Ｘ－射线衍射进行了测试和分析     

InP—MIS界面特性的研究

通过实验对ＩｎＰ－ＭＩＳ结构进行了研究分析，指出造成该结构的Ｃ－Ｖ曲线滞后现象的主要原因不是界面上ＩｎＰＯ４所造成陷阱，而是低温淀积ＳｉＯ２中的ＳｉＯ２，ＳｉＨ等有机团所致；探索出一种新工艺技术，能做到基本消除该结构的Ｃ－Ｖ曲线的滞后现象，从而可望制作出性能较为稳定的ＩｎＰ－ＭＩＳ器件。     

离子束辅助淀积下Cu/Si系统相变研究

研究在离子束条件下硅基底上淀积金属薄膜及其界面结构在退火条件下金属硅化物的形成和变化特点,即１５ｋｅＶ的Ａｒ＋在ＩＢＡＤ条件下直接生成Ｃｕ１５Ｓｉ４相．ＩＢＡＤ复合薄膜样品在退火前无新相生成,而退火后形成ε相,不同于通常Ｃｕ－Ｓｉ退火反应生成ε相的相序．研究证明在Ｃｕ－Ｓｉ界面退火反应系统中,ε相的成核是得到稳定相结构的关键．     

硅基3C-SiC薄膜的外延生长技术

用常压化学气相淀积法在（１００）Ｓｉ衬底上异质外延生长了３Ｃ－ＳｉＣ薄膜。为减小３Ｃ－ＳｉＣ与硅之间的晶格失配,在化学气相淀积系统中通过对硅衬底表面碳化制备了缓冲层,确定了形成缓支的最佳条件。测量结果表明,１３００℃下在Ｓｉ℃衬底缓冲层上可以获得３Ｃ－ＳｉＣ单晶。     

掺硼金属膜热敏电阻器的制备工艺及温度响应

介绍了一种帽状结构的掺硼金刚石膜敏电阻器及其制备工艺。使用ＰＣＶＤ方法在Ｓｉ４Ｎ４或Ｓｉ基片上淀积掺硼金刚石膜膜，然后在金刚石膜上淀积Ｔｉ／Ａｕ薄膜形成欧姆接触电极。结果获得了具有良好温度响应和欧姆接触的金刚石膜热敏电阻器。     

蓝宝石/氮化铝衬底上SiC外延薄膜的X射线衍射分析

介绍了在蓝宝石／氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术。通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善。用多种Ｘ光衍射方法对生长在蓝宝石／氮化铝复合衬底上的碳化硅薄膜的结构进行了分析,结果表明,可在这种衬底上成功地生长 出６Ｈ－ＳｉＣ单晶薄膜。     

碳纳米管的场致发射研究进展

碳纳米管的研制和应用是一门新兴的科学技术。碳纳米管薄膜机械强度高，化学稳定性好，并且有很低的发射场强阀值，较高的发射电流密度。碳纳米管阵列薄膜的这些特显示出其在场致发射应用中的良好前景。介绍了碳纳米管的几种产生工艺、碳纳米管在场致发射方面的研究和应用场景新动态，比较了不同生产工艺的优缺点及场致发射的特性，分析了碳纳米管用于场致发射存在的不足和发展前景。     

锗—二氧化硅复合薄膜的光电特性

采用射频共溅射技术在石英玻璃和硅片衬底上制备出Ｇｅ－ＳｉＯ２复合薄膜,然后在真空气氛中进行热处理。利拉曼散射、Ｘ射线衍射、ＵＶ／ＶＩＳ／ＮＩＲ透射和反射谱、变温电导测试等手段对薄膜的光、电特性进行了研究。实验结果表明,用热处理的方法可以在薄膜中形成Ｇｅ纳米颗粒,Ｇｅ纳米颗粒的平均尺度约５．０ｎｍ时,薄膜的光学带宽约１．４２ｅｖ,电导激活能的最小值约为０．４３ｅｖ。     

Si衬底上外延3C-SiC薄层结构及光学常数分析

采用热丝化学气相淀积生长法,在Ｓｉ衬底上外延生长３Ｃ－ＳｉＣ薄层获得成功,生成源为ＣＨ４＋ＳｉＨ４＋Ｈ２混合气体,热丝温度约为１８００－２０００℃,碳化和生长时底温度低于１０００℃,用Ｘ射线衍射,变角椭偏法等分析手段研究了外延层的晶体结构和光学常数,Ｘ射线衍射结果显示出３Ｃ－ＳｉＣ薄层的外延生长特征,变角椭偏法测量出外延层的折射率为２．６８６,光不常数随深度变化曲线表明薄层结构分布衬底晶向有关。     

溅射条件对SiO2膜力学特性的影响

介绍了在不锈钢衬底和Ｎｉ－Ｃｒ应变电阻间ＳｉＯ２薄膜的制做方法，在不宜用热氧化和ＣＶＤ法制做ＳｉＯ２膜的情况下，利用该法是行之有效的．探讨了溅射工艺条件对膜附着力和应力的影响，并指出了制备具有较好附着力和较低应力的方法．