单边突变p~+n结的非耗尽分析

本文对硅单边突变p~+n结的空间电荷区做了非耗尽地分析.在考虑到两种自由载流子同时存在的条件下,分析了该p~+n结在平衡态及正向偏置下(非大注入)的电位、电场分布及其中自由载流子浓度关系.指出,单边突变p~+n结的空间电荷区由三部分组成,即尖峰超强电场及少于强电场区、自由载流子耗尽区和边界区.井同耗尽近似的结果进行了对比.     

单边突变结(p~+—n)的分析

作者提出的关于p~+-n结的理论模型是有讨论价值的。现刊登出来,供同行研究探讨。     

快速热退火铝合金降低硅p~+-n结的漏电流

快速热退火铝合金工艺可以明显改善硼扩硅P~+-n结的漏电流.X射线衍射实验表明,铝原子补偿了硼原子在硅片中造成的应变,改善了晶体的完整性.     

n+多晶硅/n+ SiC异质结欧姆接触

采用器件仿真软件ISE TCAD模拟了n 多晶硅/n SiC异质结形成欧姆接触的新的SiC欧姆接触制造技术.模拟结果表明n 多晶硅/n SiC异质结接触可以形成良好的欧姆接触,具有工艺简单、性能优良的优点.     

n+多晶硅/n+SiC异质结欧姆接触

采用器件仿真软件ISE TCAD模拟了n+多晶硅/n+SiC异质结形成欧姆接触的新的SiC欧姆接触制造技术. 模拟结果表明n+多晶硅/n+SiC异质结接触可以形成良好的欧姆接触，具有工艺简单、性能优良的优点.     

n+多晶硅/n+ SiC异质结欧姆接触

采用器件仿真软件ISE TCAD模拟了n+多晶硅/n+ SiC异质结形成欧姆接触的新的SiC欧姆接触制造技术.模拟结果表明n+多晶硅/n+ SiC异质结接触可以形成良好的欧姆接触,具有工艺简单、性能优良的优点.     

用电子束掺杂形成浅结

本文介绍用电子束掺杂形成浅结的方法和实验结果,给出了结深在0.1～0.2μm的掺磷、掺硼、掺砷的掺杂层的载流子沿深度方向的分布曲线,以及用此法作的平面二极管的伏安特性曲线。在5伏下,反向漏电流<1×10~(-8)A。     

n~＋p~＋p－n结隔离CMOS铝栅工艺

本文介绍一种新的ｎ￣＋ｐ￣＋ｐ－ｎ结隔离铝栅大规模集成电路工艺。它与常规铝栅ＣＭＯＳ工艺的重要区别在于，采用ｎ￣＋ｐ￣＋ｐ－ｎ结隔离技术，芯片上无低掺杂浓度区与厚的场氧化绝缘膜，场氧化膜与栅氧化膜在同一工序中完成并且厚度相接近。文中重点阐述了ｎ￣＋ｐ￣＋ｐ－ｎ结隔离击穿与ｎ￣＋，ｐ￣＋区掺杂浓度ｐ－ｎ结深度和器件特征尺寸之间的关系以及该工艺在电路中的应用等问题。     

尖峰退火在深亚微米超浅结中的应用

栅极和沟道的尺寸缩小，受限于源／漏结点和栅介质的发展。尽管金属栅和高k材料在逐步应用，短沟道效应（SCE）依然是个重大挑战。晶体管也会有多种二级效应：影响迁移率的载流子速度饱和效应、缩短器件寿命的热载流子效应和降低亚阈特性的漏极诱发势垒降低效应（DIBL）。     

高阻NTD-FZ-Si-P~+n结电子辐照缺陷能级N_2气氛的退火特性

报导了高阻（８１～１１０Ω·ｃｍ）ＮＴＤ ＦＺ Ｓｉ Ｐ＋ｎ结中电子辐照缺陷态的退火特性。在Ｎ２气氛保护下进行等时、等温退火,测量了它们的ＤＬＴＳ谱和相应的少数载流子寿命,并对结果进行了分析讨论。     

卤素灯快速退火在硅浅结器件中的应用

用卤素灯快速退火工艺代替原始的炉退火工艺,使全离子注入的硅双极浅结器件的杂质浓度更高、结深更浅,从而有效地改善了器件的电参数性能。用这种新工艺制做的分频器,工作频率由原来的1300MHz提高到了1600MHz。该工艺操作方便,节省能源,均匀性、重复性、可控性都大大地优于原始炉退火工艺。     

p~ -n~--n结的势垒分布

GaP∶N绿色LED发光效率的提高有赖于对其结构参数的优化。 根据载流子分布的连续性, 由泊松方程自洽求解, 得出了半导体n~-－n结势垒分布的计算方法。 在此基础上,计入n~-区内的电位降, 计算了商用发光二极管p~ －n~-－n结构的势垒分布, 为整体结构的参数优化准备了必要的条件。     

TiSi2的形成及其在浅结多晶硅发射极工艺中的应用

采用蒸发淀积、快速热退火等技术，通过Ｔｉ／Ｓｉ，Ｔｉ多晶硅固相反应，形成高电导均匀的ＴｉＳｉ２薄膜，并将这种钛硅化物形成技术应用于浅结多晶硅发射极工艺中，自对准形成钛硅化物薄膜，以形成良好的欧姆接触减小器件互连线电阻。本文介绍了钛与单晶硅、多晶硅形成的硅化物及其在浅结多晶硅发射极工艺中的应用研究。     

衬底预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响

本文研究了不同剂量,不同能量硅自注入预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响。对于10keV硼注入情形,只要含硼表面层是充分预非晶化的,都可得到结深为0.15μm左右的浅结。     

离子注入浅结制备技术

根据近年来的文献资料总结报道几种离子注入浅结制备技术，即：大角度偏转注入、分子离子注入、双离子注入，通过介质掩膜注入，注入固体源驱入扩散再分布、等离子体浸没离子注入（ＰＩＩＩ）和反冲离子注入等。     

P~+-n~+隧道结的比接触电阻

本文根据Kane的直接隧穿理论,结合欧姆接触的特点,导出了p~+-n~+隧道结比接触电阻的计算公式.此式适用于直接能隙半导体,也适用于Si.在N_D+5×10~(20)cm~(-3)的磷浓度下,对一系列N_A值,按此式计算了Al/n~+-Si的比接触电阻R_(co)结果与Finetti等的测量值在数量级上完全一致.证明AL/n~+-Si的R_c基本上由其中的p~+-n~+结决定,因而与合金工艺有密切关系.     

用减小p~+-n~+结隧穿电流的方法来改进Si/SiGe/Si HBT的基极电流

本文报道了用快速加热化学汽相外延法生长重掺杂Si/Si和Si/Ge/Sip~+-n~+结的实验结果,与过去报道的用离子注入法制作的Si结相比,这些结中的寄生隧穿电流减小了三个数量级。这些结果对降低小尺寸双极晶体管,尤其是SiGe异质结双极晶体管(HBT)中的基极电流有十分重要的作用,而且外延界面的质量也有所提高。     

微波退火法低温制备多晶硅薄膜晶体管

多晶硅薄膜晶体管以其独特的优点在液晶显示领域中有着重要位置。为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器,低温制备（小于600℃）高质量多晶硅薄膜已成为研究热点,文章利用微波加热技术,采用非晶硅薄膜微波退火固相晶化法低温制备出多晶硅薄膜晶体管,研究了微波退火工艺对多晶硅薄膜晶体管电学性能的影响。     

低温退火制备Ti/4H-SiC欧姆接触

实现SiC器件欧姆接触常规工艺需要800～1200℃的高温退火.研究了n型4H-SiC低温制备Ti欧姆电极的工艺及其基本电学特性.通过氢等离子体处理4H-SiC的表面,沉积Ti后可直接形成欧姆接触,室温下比接触电阻率ρc为2.25×10-3 Ω·m2(ρc由圆形传输线模型CTLM测得),随着合金温度的升高,其欧姆特性逐渐增强,400℃合金后获得最低的比接触电阻率ρc为2.07×10-4 Ω·m2.采用X射线衍射(XRD)确定金属/n-SiC界面反应时形成的相,以分析电学性质与微观结构间的联系.最后讨论了低温欧姆接触的形成机制.