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快速热退火铝合金降低硅p~+-n结的漏电流 总被引:1,自引:0,他引:1
快速热退火铝合金工艺可以明显改善硼扩硅P~+-n结的漏电流.X射线衍射实验表明,铝原子补偿了硼原子在硅片中造成的应变,改善了晶体的完整性. 相似文献
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本文介绍用电子束掺杂形成浅结的方法和实验结果,给出了结深在0.1~0.2μm的掺磷、掺硼、掺砷的掺杂层的载流子沿深度方向的分布曲线,以及用此法作的平面二极管的伏安特性曲线。在5伏下,反向漏电流<1×10~(-8)A。 相似文献
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本文介绍一种新的n ̄+p ̄+p-n结隔离铝栅大规模集成电路工艺。它与常规铝栅CMOS工艺的重要区别在于,采用n ̄+p ̄+p-n结隔离技术,芯片上无低掺杂浓度区与厚的场氧化绝缘膜,场氧化膜与栅氧化膜在同一工序中完成并且厚度相接近。文中重点阐述了n ̄+p ̄+p-n结隔离击穿与n ̄+,p ̄+区掺杂浓度p-n结深度和器件特征尺寸之间的关系以及该工艺在电路中的应用等问题。 相似文献
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栅极和沟道的尺寸缩小,受限于源/漏结点和栅介质的发展。尽管金属栅和高k材料在逐步应用,短沟道效应(SCE)依然是个重大挑战。晶体管也会有多种二级效应:影响迁移率的载流子速度饱和效应、缩短器件寿命的热载流子效应和降低亚阈特性的漏极诱发势垒降低效应(DIBL)。 相似文献
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报导了高阻(81~110Ω·cm)NTD FZ Si P+n结中电子辐照缺陷态的退火特性。在N2气氛保护下进行等时、等温退火,测量了它们的DLTS谱和相应的少数载流子寿命,并对结果进行了分析讨论。 相似文献
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用卤素灯快速退火工艺代替原始的炉退火工艺,使全离子注入的硅双极浅结器件的杂质浓度更高、结深更浅,从而有效地改善了器件的电参数性能。用这种新工艺制做的分频器,工作频率由原来的1300MHz提高到了1600MHz。该工艺操作方便,节省能源,均匀性、重复性、可控性都大大地优于原始炉退火工艺。 相似文献
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采用蒸发淀积、快速热退火等技术,通过Ti/Si,Ti多晶硅固相反应,形成高电导均匀的TiSi2薄膜,并将这种钛硅化物形成技术应用于浅结多晶硅发射极工艺中,自对准形成钛硅化物薄膜,以形成良好的欧姆接触减小器件互连线电阻。本文介绍了钛与单晶硅、多晶硅形成的硅化物及其在浅结多晶硅发射极工艺中的应用研究。 相似文献
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根据近年来的文献资料总结报道几种离子注入浅结制备技术,即:大角度偏转注入、分子离子注入、双离子注入,通过介质掩膜注入,注入固体源驱入扩散再分布、等离子体浸没离子注入(PIII)和反冲离子注入等。 相似文献
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吴应前 《固体电子学研究与进展》1991,11(1):44-48
本文根据Kane的直接隧穿理论,结合欧姆接触的特点,导出了p~+-n~+隧道结比接触电阻的计算公式.此式适用于直接能隙半导体,也适用于Si.在N_D+5×10~(20)cm~(-3)的磷浓度下,对一系列N_A值,按此式计算了Al/n~+-Si的比接触电阻R_(co)结果与Finetti等的测量值在数量级上完全一致.证明AL/n~+-Si的R_c基本上由其中的p~+-n~+结决定,因而与合金工艺有密切关系. 相似文献
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实现SiC器件欧姆接触常规工艺需要800~1200℃的高温退火.研究了n型4H-SiC低温制备Ti欧姆电极的工艺及其基本电学特性.通过氢等离子体处理4H-SiC的表面,沉积Ti后可直接形成欧姆接触,室温下比接触电阻率ρc为2.25×10-3 Ω·m2(ρc由圆形传输线模型CTLM测得),随着合金温度的升高,其欧姆特性逐渐增强,400℃合金后获得最低的比接触电阻率ρc为2.07×10-4 Ω·m2.采用X射线衍射(XRD)确定金属/n-SiC界面反应时形成的相,以分析电学性质与微观结构间的联系.最后讨论了低温欧姆接触的形成机制. 相似文献