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采用离子束溅射Fe靶的方法在500~800℃的Si(111)衬底上制备出不同种类的铁硅化合物.当衬底温度为700℃时得到厚度为500nm的单相的β-FeSi2薄膜,高分辨透射电镜证实该β-FeSi2薄膜为局部外延,薄膜和Si衬底之间界面明显,没有中间层. 相似文献
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磁控溅射法沉积的Fe/Si多层膜和Fe单层膜经真空热处理后制备了β-FeSi2薄膜。[Fe1nm/Si3.2nm]60多层膜在〈880℃温度下真空热处理2h后,样品均呈现β(220)/(202)择优取向,而Fe单层膜制备的样品则易形成β-FeSi2与ε-FeSi相的混合物,且取向杂乱。在920℃真空热处理后,两种样品都形成了α-FeSi2薄膜。原子力显微镜分析表明,样品表面粗糙度随热处理温度升高而变大,最大表面均方根粗糙度约为16nm。卢瑟福背散射分析发现,Fe/Si多层膜样品热处理过程中元素再分布很小。根据光吸收谱测量,Fe/Si多层膜制备的β-Fesi2薄膜的禁带宽度为0.88eV。 相似文献
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本文利用X射线衍射和透射电子显微镜对离子注入合成的 β FeSi2 和 β Fe(C ,Si) 2 薄膜进行了研究。对掺杂C前后样品的对比研究表明 ,选择C作为掺杂元素 ,能够得到界面平直、厚度均一的高质量 β相薄膜 ,晶粒得到细化 ,β FeSi2 层稳定性提高 ,因此从微结构角度考虑 ,引入C离子对于提高 β FeSi2 薄膜的质量是很有益处的。进一步进行光学吸收表征 ,发现C离子的引入对 β层的Edg 值没有产生明显影响。所以综合来说C离子的引入有利于得到高质量的 β FeSi2 薄膜。用掠入射X射线衍射和Celref程序精确地测量薄膜的晶格常数 ,当C/Fe的剂量比为 0 5 %时 ,尽管C的原子半径比Si的小 ,β相晶格却膨胀了 ,这可能是由于间隙固溶的原因。进一步增加掺杂量到一定的程度时 ,单胞体积会缩小 ,这是由于形成了置换固溶体 ,碳置换了 β单胞中的部分硅 相似文献
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采用磁控溅射的方法,在高真空条件下,沉积金属Fe到Si(100)衬底上,然后通过真空退火炉在不同温度条件下对样品进行热处理,直接形成了β-FeSi2薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)对样品进行了晶体结构分析,利用卢瑟福背散射(RBS)对Fe-Si化合物的形成过程中的Fe原子和Si原子的互扩散机理进行了研究,利用扫描电镜(SEM)对样品表面的显微结构进行表征,结果表明,在900℃条件下退火能够得到质量很好的β-FeSi2薄膜,超过这一温度β相将开始向α相转化,到1000℃,β-FeSi2全部转化为α-FeSi2。 相似文献
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文章简要介绍了半导体β—FeSi2的基本性质及制备方法,讲述了β-FeSi2在太阳能电池、红外探测器和热电转换方面的应用,并对目前存在的问题及未来的研究动向做了简要的讨论。 相似文献
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常用的分子束外延、粒子束沉积法难以获得均匀、致密性好的单一相β-FeSi2薄膜,利用脉冲激光沉积及热退火处理法在P型Si(100)基片上制备了均匀的单一相β-FeSi2薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电镜、原子力显微镜及红外光谱仪研究了靶基距对β-FeSi2薄膜的结构、组分、结晶质量、表面形貌及光吸收特性的影响。结果表明:随着靶基距的增加,薄膜的晶化程度先变差后增强再变差,晶粒尺寸先减小后增大再减小,颗粒分布均匀性先变好后变差;表面粗糙度先减小后增大;靶基距为40 mm时,β-FeSi2薄膜的结晶度较高,颗粒大小均匀、趋于球形化,薄膜致密性较好,粗糙度较低,对红外光的吸收较好。 相似文献
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β-FeSi2材料的生长、性质及其在光电子器件中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
过渡金属硅化物β-FeSi2是具有直接带隙特性的半导体材料,禁带宽度约0.8eV,是制作硅基光电子光源及探测器件以及太阳能电池,热电器件等最有发展前景的硅基材料之一。目前,已经用多种方法在硅衬底上进行了薄膜外延生长及器件制作的尝试,取得了一定的成功。文中就近年来β-FeSi2薄膜材料的生长,性质以及在光电子器件中的应用进行了评述。 相似文献
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采用磁控溅射方法,在不同的溅射气压(Ar气0.5-3.0Pa)条件下沉积纯金属Fe到Si(100)衬底上,通过真空退火炉在800℃对样品进行保温2h,直接形成了正交的β-FeSi2薄膜,利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、椭偏光谱仪,对不同溅射气压下合成的β-FeSi2薄膜的结晶特性、表面形貌及光学性能进行表征,研究了不同溅射气压对制备β-FeSi2薄膜的影响。结果表明:在1.5Pa时能形成较好的β-FeSi2薄膜,临界溅射气压在2.0Pa附近,当溅射气压低与临界值时,β-FeSi2薄膜的成核密度较高,且成核密度随溅射气压的增大而降低;当溅射气压超过临界值以后,β-FeSi2薄膜的成核密度基本不变;薄膜的折射率n随压强的增大而增大,消光系数k随压强的增大而减小。 相似文献
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本文讨论了β-FeSi2热电材料的微观组织结构特征、合金成分、掺杂和晶粒细化对β-FeSi2热电性能的影响,并给出了根据Harm an 方法自制的材料热电性能测量装置的原理与测量方法。 相似文献
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介绍了β-FeSi2合金的基本特性和制备方法.评述了目前通过不同的元素掺杂可制得N型或P型β-FeSi2基半导体材料以及在热电性能方面取得的重要大进展.其中掺杂Co,B元素可得到N型β-FeSi2基半导体材料,且掺杂Co,在850 K最大ZT值为0.4;而掺杂B,高于800 K时Z值是未掺杂3~6倍,在667 K最大Z值为1.18×10-4 K-1.掺杂Mn,Cu,Al可获得P型β-FeSi2基半导体材料,掺杂Mn在873 K时最大Z值达2×10-4 K-1;掺杂Cu可缩短β相的生成时间;掺杂Al,在743 K获得的最大Z值为1.55×10-4 K-1.指出通过结构优化、组分调整,进一步提高β-FeSi2基合金的热电性能. 相似文献
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Au/(Si/SiO2)/p型Si结构的可见电致发光研究 总被引:2,自引:0,他引:2
Si/SiO2薄膜采用射频磁控溅射技术制备,当正向偏压大于5V时即可观测到来自不同Si层厚度的Au/(Si/SiO2)/p-Si结构在室温下的可见电致发光,其发光谱峰位均位于660nm处,测得的各种储藏坟下的发光峰位不随正向偏压的升高而移动。突验结果表明光发射主要来自于SiO2层中的发光中心上的复合发光。 相似文献
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采用磁控溅射沉积方法制备Mg2Si半导体薄膜。首先在Si衬底上沉积Mg膜,随后低真空热处理。采用X射线衍射、扫描电镜、拉曼光谱对Mg2Si薄膜的结构进行表征。研究了在低真空(10-1~10-2Pa)条件下热处理温度(350~550℃)和热处理时间(3~7h)对Mg2Si薄膜形成的影响。结果表明,低真空热处理条件下制备了单一相Mg2Si半导体薄膜,400~550℃热处理4~5h是最佳的热处理条件。在拉曼谱中256和690cm-1处观察到两个散射峰,这与Mg2Si的拉曼特征峰峰位一致。 相似文献
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采用脉冲激光沉积(PLD)法在p型Si(100)衬底上制备了β-FeSi2半导体薄膜,并在沉积系统中进行了800℃、3h的原位高温退火过程,最后采用X射线衍射仪、3D显微镜、原子力电子显微镜、荧光光谱仪分析了实验样品的晶体结构、表面形貌、元素组成、红外吸收和光致发光特性。分析实验结果发现,制备的单相β-FeSi2多晶半导体薄膜结晶质量良好,β-FeSi2在Si(100)衬底上沿(202/220)方向择优生长,且在常温下测得了β-FeSi2半导体薄膜的光致发光谱。 相似文献