芯片集成设计流程——先进的专用集成电路设计（ACD）方法

本文件介绍采用cadence Virtuoso专用集成电路设计平台所适宜使用的芯片集成设计流程，Virtuoso设计平台适宜应用于集成不同设计门类的电路模块的全定制集成电路的设计；这些模块可能涵盖模拟电路．专用数字电路，RF电路，以及存储器电路／阵列等不同电路门类。该平台可以对这些不同     

轴角编码显示器的设计及模块电路的应用

介绍某维修测试台编码显示器的设计及模块电路的应用，采用高集成化电路完成该维修测试台轴角编码显示的功能，不但缩小了体积，比用分离元器件设计的电路器件数减少了90％左右，且给电路的设计，加工，调试等带来了很大的方便，改善了电路的可维修性，进一步增强了电路的可靠性。     

一种智能检测系统电路设计

简述了一种智能检测系统电路的设计，具体分析其中超高部分、轨距部分电路、里程部分测量电路、温度部分测量电路的设计，中央处理与A／D转换电路，电源变换电路。     

基于Smith圆图的射频功放电路的设计与分析

基于Smith圆图设计射频匹配电路，提出了大功率射频放大电路的设计方法，采用MRF9060芯片，运用如Pspice和ADS等开发软件，实现了包括直流偏置电路、保护电路、匹配滤波电路以及射频放大电路在内的整体设计，并给出了对系统增益、回波损耗等指标的仿真结果。     

基于等效变换的回转器设计与实现

本文基于电路的等效变换，从简单的T形电路出发，设计出回转器的实现电路，设计过程中尽量减少运放与负电阻的运用，设计过程简单明了。所设计的回转器仅包含2个运放和7个电阻，具有一定的应用价值。Multisim仿真结果验证了设计电路的正确性和有效性。所述回转器设计与实现方法对电路理论的教学具有一定的启发与助益。     

基于时钟设计的异步时序逻辑电路设计法

基于时钟设计的异步时序逻辑电路设计法，根据电路状态转换规律，立足电路中各位触发器时钟设计，使电路完成所要求的逻辑功能，从而避免了求解电路状态方程，驱动方程。     

CCFT背光LCD逆变器的正确设计

ＥｎｄｉｃｏｔｔＲｅｓｅａｒｃｈＧｒｏｕｐ公司时下电子学设计似乎流行一种观时下电子学设计似乎流行一种观点，越复杂越好。对于ＬＣＤ背光电路，特别是带冷阴极荧光管（ＣＣＦＴ）背光电路的设计也是如此。管子电流的控制多采用闭环电路，开发了专用的ＩＣ驱动器，但并没有取得更佳的总体性能。这种电路有它的优点，但是一种电路并不能解决全部问题，还有成本以及电路带来的副作用和限制使电路设计进一步复杂化。本文遵循杀鸡不必用牛刀的原则，从基本的开环电路入手，分析输出电路的特性，正确选择输入电路，利用电源设计来表征每种控…     

超声波智能脉冲发射机的设计

超声检测中的发射电路（脉冲发生器）是给探头提供电激励脉冲的装置，设计一种查超声波探伤仪的发射电路，不仅能有效地克服目前声波发射电路的某些局限性，还能方便地调节换能器激励脉冲的宽度，使发射电路处于谐振状态，从而有利于提高发射电路的工作效率，具有一定的应用价值。主要采用通用性半导体器件来设计超声检测用高速脉冲发射器。详细论述了发射电路的设计，并指出了所确定的脉冲发射电路的适用范围。     

35V高压CMOS集成电路的设计

随着高压电路的广泛应用，高低压兼容电路的设计变得越来越重要。本文以VFD电路高压输出级部分的设计为例，对高压CMOS电路的设计，从工作原理、结构设计等多方面进行阐述。     

专用集成电路的容差设计

专用集成电路的容差设计电子工业部第１４研究所丁定浩１电路容差设计的目的与意义电路的容差设计，是指在组成电路的元件参数精度等级一定的条件下，能使电路输出响应偏差最小的电路设计技术。它不仅是可靠性设计中保障电路性能参数保持稳定的主要设计手段，而且是提高生...     

精密工程中压电作动器两种高压驱动电源的研制

分别介绍了用普通耐压器件直流放大管和MOSFET功率开关管实现的1000V以上输出的压电陶瓷微位移驱动电源和超声振动驱动电源的设计思想、电路原理、设计计算及安装调试等内容,该设计的特点是电路简单、经济实用以及安全可靠。     

基于0.18μm CMOS高压工艺的低压器件优化设计

产品设计时,是否能灵活应用低压器件与高压器件对一款成功的设计而言至关重要。设计一款多电源芯片,器件电压种类繁多,最高电源为±15 V,基于SMIC 0.18μm 40 V HV-LDMOS工艺,5 V低压器件版图采用优化设计,在±15 V电源下,在同一芯片上实现了电路的高低压转换,没有发生击穿漏电现象,并满足了各种器件的电特性指标,产品工作稳定、性能可靠,并且整体性能良好。     

超低压ESD保护器件设计与工艺研究

介绍了一种新颖的超低压保护器件的工作原理、结构特点,并进行了器件结构模拟。结合理论分析与模拟仿真得到超低压1.8～5 V的ESD保护器件系列模型。经过设计与工艺验证,制作出了非常吻合模拟结果的超低压器件,该系列器件具有工作电压低、电容小、漏电小的特点。由于采用新型复合型穿通结构及单片低温减压外延工艺,器件的电参数一致性非常理想,在高速数据线的保护电路中成功地得到应用。     

利用新型场效应管(QFET)的正向变换器

介绍了单端正向变换器基本电路，重点叙述带三路调节DC电压的100KHZ180W离线电源。它采用具有低导电阻RDS和低栅极电荷Qg的新型场效应管（QFET）作为变换电路的主开关器件，降低了电源开关损耗并提高了效率3%-5%。     

高低压兼容单片CMOS驱动器的设计

采用标准n阱硅栅等平面CMOS工艺,将耐压大于200V、吸收电流大于200mA的高压功率VMOS器件与工作在5V电源电压的CMOS控制电路兼容在同一个硅芯片上。分析了电路设计及工艺措施,证明这种技术可以低成本地制作各种低高压兼容电路。     

基于SP6641的手持设备电源设计

根据心理测评数据采集手持设备的低功耗要求,采用SP6641设计高效、升压DC／DC转换电源电路。详细介绍电路设计方案和外围电路元件的选择,实现手持设备使用2节普通碱性电池升压供电。这种电源电路具有很低的启动电压、超低静态电流、高效率电压转换的特点,可用于单或双电池供电的手持设备应用。     

基于单片机的低压马达保护装置

介绍了一种以单片机MSP430为控制核心的低压马达保护装置,能够实现对低压马达故障进行判断和保护。分析了低压马达在工作时的常见故障和判定依据,及傅里叶算法作为采样算法。设计了以单片机控制系统的硬件电路,能够实现过载、堵转、短路、断相、不平衡等马达故障的功能保护,提出了软件设计程序流程。该装置能够有效且可靠地保护低压马达。     

10kV电压扰动装置主电路设计及稳态运行特性

为了检测电能质量补偿装置在电能质量扰动情况下的性能,文章提出了适用于10kV电压等级的多功能电压扰动发生器的主电路结构设计方案,采用H桥级联的拓扑结构,将该装置直接串联在线路,形成了电压扰动发生源。结合该装置主电路拓扑,研究了装置的稳态运行特性,利用PSCAD/EMTDC软件对装置稳态运行特性进行了仿真,仿真结果验证了该装置主电路设计方案的可行性。     

一种低噪高输出电压DC—DC变换器设计

针对某航天器设备用的130V高压DC—DC变换器的低噪声要求,采用初级侧隔离的负载端直接反馈控制方式,次级侧采用结合LC低通无源滤波电路和有源滤波电路的两级输出滤波电路设计方法。通过实验,不仅实现了高压DC—DC变换器的低噪声输出,而且通过优化设计,使得两级滤波器的体积较小,可靠性较高,实现了星载应用。     

High-Voltage Analog System for a Mobile NAND Flash

High-voltage analog circuits, including a novel high-voltage regulation scheme, are presented with emphasis on low supply voltage, low power consumption, low area overhead, and low noise, which are key design metrics for implementing NAND Flash memory in a mobile handset. Regulated high voltage generation at low supply voltage is achieved with optimized oscillator, high-voltage charge pump, and voltage regulator circuits. We developed a design methodology for a high-voltage charge pump to minimize silicon area, noise, and power consumption of the circuit without degrading the high-voltage output drive capability. Novel circuit techniques are proposed for low supply voltage operation. Both the oscillator and the regulator circuits achieve 1.5 V operation, while the regulator includes a ripple suppression circuit that is simple and robust. Through the paper, theoretical analysis of the proposed circuits is provided along with Spice simulations. A mobile NAND Flash device is realized with an advanced 63 nm technology to verify the operation of the proposed circuits. Extensive measurements show agreement with the results predicted by both analysis and simulation.